第三代半導體材料及其應用是全球半導體產業(yè)戰(zhàn)略競爭新高地,目前我國正迎來發(fā)展第三代半導體的重要窗口期。功率半導體從原材料到設計、晶圓制造加工裝備、封測,正加速實現(xiàn)全產業(yè)鏈國產化。雖然我國已發(fā)展成為全球第一大功率半導體市場,但國產自給率較低,行業(yè)仍存巨大供需缺口,國產替代將是未來重要的發(fā)展方向。
為了更好的把握時機推進產業(yè)的發(fā)展,打破功率半導體產業(yè)在材料與裝備、芯片制造、封裝模組、系統(tǒng)應用等環(huán)節(jié)產業(yè)化主要技術瓶頸,引領技術及市場風向,半導體產業(yè)網(wǎng)在南京大學電子科學與工程學院、第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導下,定于2021年9月13-14日在南京召開“2021中國(南京)功率與射頻半導體技術市場應用峰會(CASICON 2021)”。會議圍繞碳化硅、氮化鎵、砷化鎵、氧化鎵、金剛石等材料在電力電子、5G 射頻領域的技術進展與創(chuàng)新應用,助推相關領域市場產品國產化替代,屆時邀請行業(yè)眾多技術及應用專家進行研究、分享、交流。誠摯歡迎各研究院所、高校、產業(yè)鏈企事業(yè)單位參與討論。
會議時間:2021年9月13-14日
會議地點:南京·城市名人酒店(江蘇省南京市鼓樓區(qū)中山北路30號)
聯(lián)系人:賈先生18310277858,jiaxl@casmita.com
張小姐13681329411,zhangww@casmita.com
附件:會議資料
一、組織機構:
指導單位
南京大學
第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟
第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟
主辦單位
半導體產業(yè)網(wǎng)
第三代半導體產業(yè) 公號
承辦單位
北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司
贊助支持單位
藍雨軟件技術開發(fā)(上海)有限公司
愛發(fā)科商貿(上海)有限公司
寧波恒普真空技術有限公司
蘇州晶湛半導體有限公司
青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司
德儀國際貿易(上海)有限公司
大族激光顯示與半導體裝備事業(yè)部
上海翱晶半導體科技有限公司
上海智湖信息技術有限公司
蕪湖啟迪半導體有限公司
湖南國芯半導體科技有限公司
二、會議背景:
以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體材料,具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率、抗輻射等優(yōu)異特性,因其在國防安全、智能制造、產業(yè)升級、節(jié)能減排等國家重大戰(zhàn)略需求方面的重要作用,正成為世界各國競爭的技術制高點。但受工藝、成本等因素限制,多年來僅限于小范圍應用。
近年來,隨著材料生長、器件制備等技術的不斷突破,第三代半導體的性價比優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)并正在打開應用市場: SiC肖特基二極管器件開始應用于新能源汽車及高端電源市場,包括PFC、光伏逆變器和高端家電變頻器等,GaN快速充電器也大量上市。未來5-10年是全球第三代半導體產業(yè)的加速發(fā)展期,基于第三代半導體材料的功率半導體器件將廣泛應用于5G基站、新能源汽車、特高壓、數(shù)據(jù)中心等場景,也是我國能否實現(xiàn)產業(yè)自主可控的關鍵期。
由于功率半導體器件在實現(xiàn)電能高效利用、節(jié)能減排、建設資源節(jié)約型社會方面發(fā)揮著不可替代的作用。國家各級政府紛紛出臺政策護航產業(yè)發(fā)展,一批針對性扶持措施開始顯效,將會不斷推動功率半導體器件行業(yè)的技術進步,形成先進技術的自有知識產權,優(yōu)化國產功率半導體器件的產品結構。
功率半導體的應用領域已從工業(yè)控制和消費電子拓展至新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)、變頻家電等諸多市場,市場規(guī)模呈現(xiàn)穩(wěn)健增長態(tài)勢。隨著5G帶來的萬物互聯(lián)及基地臺、數(shù)據(jù)中心數(shù)量的迅速增長,以及汽車電子化程度的持續(xù)提升,帶動功率半導體市場實現(xiàn)較快增長。
在新能源汽車應用以及PD快充市場爆發(fā)的強力帶動下,2020年國內SiC、GaN電力電子器件市場規(guī)模較上年同比增長90%,未來5年將以45%的復合增長率增長至300億。根據(jù)CASA Research第三代半導體產業(yè)發(fā)展報告(2020)表明:2020年我國第三代半導體電力電子與射頻總產值已經超過100億元 。SiC、GaN電力電子產值規(guī)模達44.7億元,同比增長54%;GaN微波射頻產值達到60.8億元,同比增長80.3%。“十四五”科技計劃中將建設“面向大數(shù)據(jù)中心應用的GaN基高效功率電子,應用于數(shù)據(jù)中心電源的GaN電力電子器件”提上日程,未來這個市場將迎來高速增長。
隨著國內企業(yè)逐步突破行業(yè)內高端產品的核心技術,我國功率半導體器件對進口的依賴將會減弱,進口替代的市場機遇逐漸顯現(xiàn)。功率半導體器件是國民經濟中各行業(yè)發(fā)展的基礎元器件,其技術進步和應用領域的拓寬既能夠促進工業(yè)的產業(yè)結構升級,也為居民生活帶來更多便利和舒適。
目前,第三代半導體材料及其應用是全球半導體產業(yè)戰(zhàn)略競爭新高地,目前我國正迎來發(fā)展第三代半導體的重要窗口期。功率半導體從原材料到設計、晶圓制造加工裝備、封測,幾乎可以實現(xiàn)全產業(yè)鏈國產化。雖然我國已發(fā)展成為全球第一大功率半導體市場,但國產自給率較低,行業(yè)仍存巨大供需缺口,國產替代將是未來重要的發(fā)展方向。
為了更好的把握時機推進產業(yè)的發(fā)展,打破功率半導體產業(yè)在材料與裝備、芯片制造、封裝模組、系統(tǒng)應用等環(huán)節(jié)產業(yè)化主要技術瓶頸,引領技術及市場風向。半導體產業(yè)網(wǎng)在南京大學、第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟等單位的指導下,擬定于2021年在南京組織召開“2021功率與射頻半導體技術市場應用峰會(CASICON 2021)” 邀請行業(yè)眾多技術及應用專家進行研究、分享、交流。歡迎各研究院所、高校、產業(yè)鏈企事業(yè)單位參與討論。
三、會議安排:
四、報告嘉賓&主題報告:
1、9月13日報告(陸續(xù)更新中)
嘉賓:于坤山--第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長
報告:中國功率與射頻技術市場現(xiàn)狀及未來展望
嘉賓:陳堂勝--中國電科首席科學家/微波毫米波單片集成和模塊電路重點實驗室主任
報告:低溫鍵合金剛石GaN HEMT微波功率器件
嘉賓:陳敦軍--南京大學電子科學與工程學院副院長、教授
報告:GaN功率開關器件及其高頻電源應用
嘉賓:劉斯揚--東南大學教授
報告:SiC功率MOSFET器件可靠性研究進展
嘉賓:龍世兵--中國科學技術大學微電子學院執(zhí)行院長
報告:低成本高性能氧化鎵半導體功率器件
嘉賓:Dr Simon Li--Founding director, Crosslight Software Inc and GaNPower Intl. Inc
報告:Pushing GaN power devices to the limit - A material and TCAD perspective
嘉賓:戴小平-湖南國芯科技總經理
報告:淺析SiC模塊封裝技術
嘉賓:Yuhao Zhang 美國弗吉尼亞理工大學電力電子系統(tǒng)中心助理研究員
報告:1.2-10 kV GaN Power Devices Exceeding SiC Limit
嘉賓:龔平--西安唐晶量子科技有限公司董事長
報告:6 inch GaAs 基 VCSEL 和 射頻外延技術
嘉賓:紐應喜--啟迪半導體研發(fā)總監(jiān)
報告:碳化硅外延裝備及技術進展
嘉賓:張 云--天津大學電氣自動化與信息工程學院教授
報告:新能源汽車電力電子系統(tǒng)及其運行控制
2、9月14日報告(陸續(xù)更新中)
嘉賓:程新紅--中科院上海微系統(tǒng)研究所研究員
報告:SOI基GaN材料及功率器件集成技術
嘉賓:鄧小川--電子科技大學教授
報告:極端應力下碳化硅功率MOSFET的動態(tài)可靠性研究
嘉賓:張之梁--南京航空航天大學 教授
報告:1kV寬禁帶LLC變換器控制與應用
嘉賓:惠 峰--云南鍺業(yè)公司首席科學家/中科院半導體所研究員
報告:VCSEL用六英寸超低位錯密度砷化鎵單晶片研制及應用
嘉賓:陳 鵬--南京大學教授
報告:GaN肖特基功率器件新進展
嘉賓:Yuhao Zhang 美國弗吉尼亞理工大學電力電子系統(tǒng)中心助理教授
報告:Packaging Enabled Thermal Management of Ga2O3 Devices
嘉賓:倪煒江--安徽芯塔電子科技有限公司 總經理
報告:高性能高壓碳化硅功率器件設計與技術
嘉賓:李 強--西安交通大學副教授
報告:基于HBN 的射頻器件
嘉賓:吳 彤--安森美首席SiC 專家
報告:Adopt of SiC devices in EV applications
嘉賓:吳 亮--奧趨光電CEO
報告:AlN/AlScN材料制備技術及其在5GRFFE濾波及功率器件等領域應用前景展望
嘉賓:張保平--廈門大學電子科學與技術學院 副院長、教授
報告:氮化鎵基VCSEL技術進展
嘉賓:蔚 翠--中電科第十三研究所研究員
報告:金剛石微波功率器件研究
嘉賓:左 超--愛發(fā)科商貿(上海)有限公司電子營業(yè)部部長
報告:量產高性能功率與射頻器件的ULVAC裝備技術
嘉賓:裴軼/Amgad Alsman--蘇州能訊高能半導體有限公司技術副總裁/中國科學技術大學
報告:基于物理的5G射頻GaN 晶體管模型、趨勢和挑戰(zhàn)
嘉賓:王祁玉--益豐電子副總經理
報告:射頻器件(TBD)
嘉賓:袁 理--青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司
報告:面向快充應用的GaN材料和器件技術
嘉賓:劉 雯--西交利物浦大學副教授
報告:硅基GaN MIS-HEMT 單片集成技術
嘉賓:黃潤華--中電科五十五所副主任設計師
報告:碳化硅MOSFET技術問題及55所產品開發(fā)進展
嘉賓:英諾賽科科技股份有限公司
報告:八英寸硅基氮化鎵技術進展(TBD)
嘉賓:葉建東--南京大學教授
報告:氧化鎵基雙極型異質結功率器件研究
嘉賓:彭 燕--南砂晶圓研發(fā)中心主任,山東大學副教授
報告:碳化硅與金剛石單晶襯底技術與產業(yè)化研究
嘉賓:葉念慈--三安集成技術市場總監(jiān)
報告:(TBD)
嘉賓:童吉楚--乾照激光副總經理
報告:VCSEL 技術 (TBD)
嘉賓:向鵬博士--蘇州晶湛半導體有限公司研發(fā)經理
報告:用于新型GaN功率器件的外延技術進展
嘉賓:楊學林--北京大學物理學院高級工程師
報告:Si襯底上GaN基電子材料外延生長技術研究進展
嘉賓:Yuhao Zhang 美國弗吉尼亞理工大學電力電子系統(tǒng)中心助理教授
報告:Ruggedness of SiC MOSFETs and GaN HEMTs in Overvoltage Switching
嘉賓:徐尉宗--南京大學研究員
報告:面向高可靠性、高能效應用的GaN HEMT增強型器件技術
嘉賓:郭宇鋒--南京郵電大學副校長、教授
報告:Off-state Characterization of AlGaN/GaN HEMT via Artificial Neural Network
嘉賓:樊嘉杰--復旦大學青年研究員
報告:SiC功率器件先進封裝材料及可靠性優(yōu)化設計
更多報告嘉賓正在確認中?。?!
擬參與單位:華為、中興、南京大學、三安光電、東南大學、英諾賽科、鍇威特、泰科天潤、基本半導體、捷捷微電、中微公司、蘇州納維、廈門大學、南砂晶圓、瀚天天成、蘇州晶湛、云南鍺業(yè)、Crosslight、英飛凌、GaNPower、安森美、許繼電氣、中車時代、國家電網(wǎng)、中芯集成、華潤微電子、南大光電、AIXTRON、中電科五十五所、中電科十三所 西安電子科技大學、江蘇能華、西安交通大學、北京大學,電子科技大學,河北同光、山東天岳、天津大學、聚能創(chuàng)芯,賽微電子,南京百識,唐晶量子,天科合達,漢驊半導體,大族激光,德儀,江蘇三代半研究院等
投稿 :Oral或Poster :500字左右擴展摘要提交到 1957340190@qq.com。
參會注冊 :注冊費 2000元 (會議資料,招待晚宴,自助餐)
開戶行:中國銀行北京科技會展中心支行
賬 號:336 356 029 261
名 稱:北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司
參會/贊助/商務合作:
聯(lián)系人:賈先生18310277858,jiaxl@casmita.com
聯(lián)系人:賈先生18310277858,jiaxl@casmita.com
張小姐13681329411,zhangww@casmita.com
協(xié)議酒店:城市名人酒店(協(xié)議價400元,含早)
聯(lián)系人:王瑋18652978537,648231476@qq.com
防疫提示:會務組最新咨詢南京市衛(wèi)健委并得到答復,目前南京市全域均為低風險區(qū),進出南京不需要核酸檢測證明,只要14天內未曾去過中高風險區(qū)和出入境經歷,體溫無異常情況下,均可持綠碼進出南京參加會議。
聯(lián)系人:王瑋18652978537,648231476@qq.com
防疫提示:會務組最新咨詢南京市衛(wèi)健委并得到答復,目前南京市全域均為低風險區(qū),進出南京不需要核酸檢測證明,只要14天內未曾去過中高風險區(qū)和出入境經歷,體溫無異常情況下,均可持綠碼進出南京參加會議。