近日，安徽、上海、重慶、山西原平、遼寧大連、青島等地第三代半導體項目有新進展。
最新消息! 又一家碳化硅項目喜封金頂
8月01日上午9:58時，安徽微芯長江碳化硅項目建設工程，自2020年11月19日開工奠基至今，經(jīng)過建設團隊200多天日日夜夜的堅苦奮戰(zhàn)，如期迎來了主體工程封頂。
銅陵市人民政府副市長王綱根、銅陵經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)黨工委書記\主任周劍、銅陵經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)黨工委副書記吳世偉，日本磁性技術控股股份有限公司代表取締役社長、Ferrotec（中國）集團董事局主席賀賢漢、日本磁性技術控股股份限公司執(zhí)行董事并木 美代子，杭州大和熱磁電子有限公司副總經(jīng)理董小平等領導出席儀式，并與建設單位、管理公司、監(jiān)理單位領導及施工單位建設團隊，共同見證激動人心的時刻。
上海瀚鎵半導體擬建設4英寸GaN中試線
8月9日，浦東時報刊登了瀚鎵GaN自支撐晶圓制造關鍵技術研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化 環(huán)境影響報告書公眾意見征求的登報公示。
公示顯示，上海瀚鎵半導體科技有限公司將在上海市浦東新區(qū)建設瀚鎵GaN自支撐晶圓制造關鍵技術研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目，主要建設4英寸GaN高質量自支撐晶圓的研發(fā)及中試生產(chǎn)線。
天眼查顯示，上海瀚鎵半導體科技有限公司成立于2020年8月，法定代表人為何哲強，注冊資本為500萬元，經(jīng)營范圍包括從事半導體科技領域內的技術服務、技術開發(fā)、技術咨詢、技術交流、技術轉讓、技術推廣；電子元器件批發(fā)；電子專用材料銷售；電子專用材料研發(fā)；半導體器件專用設備銷售等。
招聘網(wǎng)站顯示，上海瀚鎵半導體科技有限公司由上海集成電路材料研究院支撐孵化，公司技術核心團隊成員來自中國科學院、加州勞倫斯伯克利國家實驗室、加州大學伯克利分校等知名機構和院校，具有完全自主知識產(chǎn)權的核心專利技術。
公司專注于GaN晶體材料制造技術及相關設備、應用技術的開發(fā)，進行GaN自支撐晶圓制造關鍵技術中試研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，為推動GaN半導體行業(yè)的高性能、高品質發(fā)展提供核心基礎材料支撐，助力我國競占第三代半導體行業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略制高點。
華潤微重慶擴建功率半導體封裝基地
8月12日，公眾號“重慶發(fā)布”發(fā)文指出，華潤微電子控股有限公司（以下簡稱“華微控股”）決定追加投資42億元，建設功率半導體封裝基地，包含功率封裝測試與先進封裝測試兩大工藝生產(chǎn)線。達產(chǎn)后，功率封裝產(chǎn)量達到每月220萬顆。
重慶高新區(qū)改革發(fā)展局相關負責人表示，目前，該項目可研方案擬提交國家發(fā)改委，后期將積極對接市發(fā)改委加快通過項目評審。據(jù)悉，華微控股是華潤微的全資子公司，加上12寸功率半導體晶圓生產(chǎn)線項目的投資金額，這意味著，華潤微在重慶的投資金額將達117.5億元。6月24日，由華微控股、大基金二期及重慶西永微電子共同發(fā)起設立的潤西微電子（重慶）有限公司（以下簡稱“潤西微電子”）正式成立。
重慶高新區(qū)改革發(fā)展局相關負責人表示，目前，該項目可研方案擬提交國家發(fā)改委，后期將積極對接市發(fā)改委加快通過項目評審。據(jù)悉，華微控股是華潤微的全資子公司，加上12寸功率半導體晶圓生產(chǎn)線項目的投資金額，這意味著，華潤微在重慶的投資金額將達117.5億元。6月24日，由華微控股、大基金二期及重慶西永微電子共同發(fā)起設立的潤西微電子（重慶）有限公司（以下簡稱“潤西微電子”）正式成立。
據(jù)華潤微披露，潤西微電子主要負責建設12寸功率半導體晶圓生產(chǎn)線項目，該項目計劃投資總額為75.5億元，建成后預計將形成月產(chǎn)3萬片12寸中高端功率半導體晶圓生產(chǎn)能力，并配套建設12寸外延及薄片工藝能力。
重慶高新區(qū)改革發(fā)展局相關負責人介紹，該項目計劃建成國內首座本土企業(yè)12寸功率半導體晶圓生產(chǎn)線。最新消息是，“重慶發(fā)布”發(fā)文稱，為了縮短定標周期，重慶高新區(qū)改革發(fā)展局指導項目業(yè)主單位通過電子招投標方式，已完成施工單位及監(jiān)理單位招標文件掛網(wǎng)，最快本月啟動設備采購，預計將于年內完成廠房動力設施改造。
山西阿斯卡新材料公司擬在原平建10條GaN產(chǎn)線
8月10日，山西省投資項目在線審批監(jiān)管平臺審核通過了山西阿斯卡新材料科技有限公司第三代半導體新材料項目。
據(jù)披露，該項目總投資19.03億元，建設10條氮化鎵生產(chǎn)線，年生產(chǎn)4英寸氮化鎵外延片220000片，項目計劃2021年9月開工。
天眼查信息顯示，山西阿斯卡新材料科技有限公司成立于2021年7月29日，注冊資本500萬元，經(jīng)營范圍包括電子專用材料制造；電子元器件制造；新型膜材料制造；電子專用材料銷售；電子元器件零售；新型膜材料銷售等。
正威集團擬在遼寧大連建設第三代半導體產(chǎn)業(yè)基地
大連新聞網(wǎng)報道，近日，金普新區(qū)管委會與深圳正威集團簽署總投資達300億元的戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將在金普新區(qū)就半導體產(chǎn)業(yè)、新材料產(chǎn)業(yè)以及物流產(chǎn)業(yè)等領域進行全方位合作。
根據(jù)協(xié)議，雙方將合作建設以氮化鎵半導體為核心的第三代半導體產(chǎn)業(yè)基地、以金屬銅為原料向下游延伸建設5G新材料產(chǎn)業(yè)基地，同時搭建金屬和新材料等大宗商品交易平臺，建設臨港產(chǎn)業(yè)工貿(mào)集聚地。這些項目達產(chǎn)后，預計年主營收入將達400億～500億元。
大連日報報道，正威集團是一家以新一代電子信息和新材料完整產(chǎn)業(yè)鏈為主導的高科技產(chǎn)業(yè)集團，去年，該集團實現(xiàn)營業(yè)額逾7000億元，目前位列世界500強企業(yè)排名第68名、中國民營企業(yè)500強第3名和中國制造業(yè)民營企業(yè)500強第2名。
當前，正威集團正在積極布局第三代半導體產(chǎn)業(yè)。今年6月，正威集團旗下控股子公司正威金控完成向海特高新旗下控股子公司海威華芯的12.88余億元增資，本次增資擴股完成后，正威金控持有海威華芯34.01%股權，成為海威華芯第一大股東。
據(jù)悉，海威華芯由海特高新和央企中電科29所合資組建，是國內6英寸砷化鎵集成電路（GaAs MMIC）的純晶圓代工（Foundry）服務制造商之一，已建成國內第—條6英寸砷化鎵/氮化鎵半導體晶圓生產(chǎn)線，目前已達到砷化鎵2000片/月，氮化鎵600片/月的晶圓制造能力。
深圳艾兒維思碳化硅晶圓生產(chǎn)項目簽約湖南懷化
8月9日，由深圳艾兒維思智能高科有限公司投資建設的碳化硅晶圓、單質碳晶體材料及常溫超導材料生產(chǎn)項目在湖南懷化高新區(qū)簽約。
據(jù)悉，該項目總投資3億元，分兩期建設。其中一期投資1億元，建設實施年產(chǎn)5000片碳化硅晶圓片，3萬噸單質碳晶體納米粉末，5噸銅基碳復合材料生產(chǎn)線項目，一期達產(chǎn)后預計年產(chǎn)值可達3億元、年納稅達1500萬元；二期投資2億元用于擴大再生產(chǎn)。項目全面達產(chǎn)后預計年產(chǎn)值可達10億元、年納稅達5000萬元。
新微化合物半導體一期項目設備即將進場
8月13日，公眾號“上海臨港”發(fā)文指出，從目前8月下旬設備將要進廠，到預計年底投資約15億的新微一期項目將拉開“通線”帷幕。
上海新微半導體有限公司由上海聯(lián)和投資有限公司、上海臨港管偉投資發(fā)展有限公司、上海新微科技集團有限公司和上海新微技術研發(fā)中心有限公司聯(lián)合發(fā)起，2020年1月在上海臨港新片區(qū)完成注冊。
據(jù)介紹，新微化合物半導體產(chǎn)業(yè)化項目主要定位于化合物半導體材料和器件技術開發(fā)平臺和量產(chǎn)線，于去年9月底打下第一根樁基，今年5月初“量產(chǎn)線潔凈廠房”結構封頂。
根據(jù)此前的資料，新微化合物半導體項目分三期建設，前兩期總投資30.5億元，其中第一期總投資15億元，主要用于建設廠房以及4寸光電和6寸毫米波二條量產(chǎn)線，預計將于2021年第四季度建成并投入使用；第二期總投資15.5億元，主要用于建設一條以硅基射頻和硅基功率器件為主要內容的8寸量產(chǎn)線，異質集成、多種封裝測試研發(fā)中試平臺。
華芯晶元第三代半導體化合物晶片襯底項目下半年開工
近日，青島國家高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)網(wǎng)站介紹，2021年是“十四五”開局之年，青島高新區(qū)緊緊圍繞“項目落地年”各項要求部署，緊抓項目建設這個“牛鼻子”，把推動大項目、好項目的落地建設作為推動經(jīng)濟社會發(fā)展的重要動力。
報道指出，下半年，華芯晶元第三代半導體化合物晶片襯底等項目將陸續(xù)開工建設。資料顯示，今年5月，由青島華芯晶元半導體科技有限公司投資建設的第三代半導體化合物晶片襯底項目。
據(jù)青島日報當時報道，第三代半導體化合物晶片襯底項目以打造第三代化合物半導體襯底產(chǎn)業(yè)集群為總體目標，進行研發(fā)、生產(chǎn)、管理等硬件設施的建設配套。項目建成后，將實現(xiàn)年產(chǎn)33萬片第三代化合物半導體襯底晶圓的產(chǎn)業(yè)線，彌補國內先進第三代半導體材料技術的短板。
斯達半導：擬募資35億元用于多項功率器件擴建項目
8月15日晚，斯達半導發(fā)布公告稱，擬募資35億元用于高壓特色工藝功率芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、功率半導體模塊生產(chǎn)線自動化改造項目以及補充流動資金。
高壓特色工藝功率芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目擬通過新建廠房及倉庫等配套設施，購置光刻機、顯影機、刻蝕機、PECVD、退火爐、電子顯微鏡等設備，用于實施高壓特色工藝功率芯片的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目。項目達產(chǎn)后，預計將形成年產(chǎn)30萬片6英寸高壓特色工藝功率芯片生產(chǎn)能力。SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目擬通過新建廠房及倉庫等配套設施，購置光刻機、涂膠顯影機、鋁刻蝕機、高溫注入機等設備，開展SiC芯片的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。項目達產(chǎn)后，預計將形成年產(chǎn)6萬片6英寸SiC芯片生產(chǎn)能力。功率半導體模塊生產(chǎn)線自動化改造項目擬利用現(xiàn)有廠房實施生產(chǎn)線自動化改造項目，購置全自動劃片機、在線式全自動印刷機、在線式全自動貼片機、在線式全自動真空回流爐、在線式全自動清洗機等設備，實施功率半導體模塊生產(chǎn)線自動化改造項目。項目達產(chǎn)后，預計將形成新增年產(chǎn)400萬片的功率半導體模塊的生產(chǎn)能力。
斯達半導長期致力于IGBT、快恢復二極管、SiC等功率芯片的設計和工藝以及IGBT、SiC等功率模塊的設計、制造和測試。公司的產(chǎn)品廣泛應用于工業(yè)控制和電源、新能源、新能源汽車、白色家電等領域。公司在現(xiàn)有產(chǎn)品結構的基礎上，充分考慮新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)等下游行業(yè)的需求以及技術方向，以公司現(xiàn)有的技術為依托，實施高壓特色工藝功率芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目。項目的實施有利于豐富公司的產(chǎn)品結構，進一步提升公司綜合競爭力。本次非公開發(fā)行股票募集資金部分用于補充流動資金，有利于緩解公司的資金壓力，推進公司業(yè)務規(guī)模的拓展，保障了公司研發(fā)創(chuàng)新及業(yè)務擴張等活動的持續(xù)正常開展，可進一步優(yōu)化公司的財務結構，有利于降低公司財務風險，提高公司的償債能力和抗風險能力，保障公司的持續(xù)、穩(wěn)定、健康發(fā)展。
