第一季完美收官，第二季即將開啟。

我們是工程師，我們?yōu)楣こ處煻?。泰克半?dǎo)體云講堂第一季已完美收官，上千人趕赴這場流動(dòng)的知識(shí)盛宴學(xué)習(xí)和交流。第二季半導(dǎo)體云講堂即將開啟，7月17日~9月25日將迎來本季5場宴會(huì)，第二季以寬禁帶半導(dǎo)體、功率IGBT、MEMS測試、MOSFET測試、半導(dǎo)體器件可靠性HCI/NBTI測試為主題。預(yù)約直播：https://mp.weixin.qq.com/s/wSNl3bsw5z5jw70QN5kclQ?。

半導(dǎo)體材料已發(fā)展到第三代。第一代半導(dǎo)體材料主要以硅（Si）、鍺（Ge）為主，主要應(yīng)用于低壓、低頻、中功率晶體管以及光電探測器中。隨著移動(dòng)通信的飛速發(fā)展、以光纖通信為基礎(chǔ)的信息高速公路和互聯(lián)網(wǎng)的興起，以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為代表的第二代半導(dǎo)體材料開始嶄露頭腳。第三代半導(dǎo)體材料主要包括 SiC、GaN、金剛石等，具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點(diǎn)，可滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。

每一次半導(dǎo)體材料的突破帶來的是一系列技術(shù)變革，也使尖端的新型器件研發(fā)面世成為可能。3D Flash存儲(chǔ)器，人工智能芯片，MEMS/傳感器芯片，GaN/SiC 功率半導(dǎo)體器件在前所未有的應(yīng)用領(lǐng)域，推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。新應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)，新材料特性，新設(shè)計(jì)和測試方式，新生產(chǎn)工藝流程，新半導(dǎo)體流片技術(shù)對測試設(shè)備和技術(shù)帶來持續(xù)挑戰(zhàn)。

泰克為了推動(dòng)中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，作為專業(yè)的測試平臺(tái)，將帶您從測試的角度，切分出六大類測試流程，去剖析并解決半導(dǎo)體從設(shè)計(jì)到生產(chǎn)過程中帶來的一系列新問題。通過半導(dǎo)體材料與器件科學(xué)云講堂，針對主流和前沿的半導(dǎo)體應(yīng)用推出了一系列測試培訓(xùn)課程，幫助您理解新一代半導(dǎo)體材料的特性和實(shí)際應(yīng)用，以及其測試痛點(diǎn)。

第二季半導(dǎo)體云講堂即將開啟

7月17日|寬禁帶半導(dǎo)體（GaN/SiC）材料及器件測試

7月31日|功率IGBT器件測試系統(tǒng)及自動(dòng)化簡介

8月14日|微機(jī)電系統(tǒng)MEMS測試概述

8月28日|MOSFET的準(zhǔn)靜態(tài)CV/超低頻CV測試

9月11日|半導(dǎo)體器件可靠性HCI/NBTI測試

9月25日|番外篇二：測試技巧——快速上手自動(dòng)化半導(dǎo)體參數(shù)測試系統(tǒng)

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第一季精彩回顧

• 納米材料及納米電子器件IV和CV測試
• 二維材料/石墨烯及其電子器件IV/CV測試
• 前沿材料科學(xué)研究-量子材料篇
• 超快脈沖在先進(jìn)的NVM測試中的應(yīng)用及神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)測試前瞻
• 番外篇一：測試技巧—半導(dǎo)體參數(shù)測試儀使用技巧及案例集錦

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