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海特高新:公司已突破5G宏基站的射頻氮化鎵代工工藝技術(shù)

日期:2020-09-01 來(lái)源:綜合閱讀:450
核心提示:海特高新:公司已突破5G宏基站的射頻氮化鎵代工工藝技術(shù)
 有投資者問,美方單方面斷供第三代半導(dǎo)體材料,這也催化了貴公司在國(guó)內(nèi)的業(yè)務(wù),貴公司的GaN微波功率半導(dǎo)體器件是否應(yīng)用在華為、中興的半導(dǎo)體基站呢?吾輩當(dāng)自強(qiáng)!一定要造出國(guó)之利器,擺脫美方對(duì)我們的圍追堵截。請(qǐng)問貴公司有信心嗎?
 
海特高新在互動(dòng)平臺(tái)表示:公司微電子事業(yè)部在民品領(lǐng)域,公司主要為專業(yè)設(shè)計(jì)公司、模組公司提供專業(yè)的第二代、第三代化合物芯片晶圓制造服務(wù),比如公司已突破5G宏基站的射頻氮化鎵代工工藝技術(shù),5G芯片生產(chǎn)能力達(dá)到Foundry級(jí)驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn),年內(nèi)公司5G宏基站產(chǎn)品已經(jīng)完成穩(wěn)定性評(píng)估驗(yàn)證以及器件可靠性調(diào)試,已經(jīng)為客戶驗(yàn)證性流片,客戶導(dǎo)入工作正全面展開。
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