近年來，隨著社會(huì)的發(fā)展與進(jìn)步，第三代半導(dǎo)體材料開始嶄露頭角，迎來新風(fēng)口。對(duì)比一代、二代半導(dǎo)體材料，第三代半導(dǎo)體材料作用顯著，在5G領(lǐng)域建設(shè)中有著很大用途，而且我國正在規(guī)劃將大力發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫入十四五規(guī)劃之中，基于此，華微電子積極布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，助力我國實(shí)現(xiàn)彎道超車。
國家計(jì)劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫進(jìn)目前正在制定的十四五規(guī)劃中，必將推動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料、器件和應(yīng)用技術(shù)的大力發(fā)展。華微電子表示，第三代半導(dǎo)體技術(shù)，我國與國外在技術(shù)上差距小，大力發(fā)展第三代半導(dǎo)體能夠使我們具有擁有和國際巨頭齊頭并進(jìn)和換道超車的條件。
在過去的兩年，受益于整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)宏觀政策利好、資本市場(chǎng)追捧、地方積極推進(jìn)、企業(yè)廣泛進(jìn)入等因素，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)穩(wěn)步發(fā)展，涌現(xiàn)第三代半導(dǎo)體材料投資熱潮。
不過，第三代半導(dǎo)體并非是在第一代、第二代半導(dǎo)體的技術(shù)上進(jìn)行一種簡(jiǎn)單的迭代，而是一個(gè)全新的技術(shù)架構(gòu)。這要求真正有能力、有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的企業(yè)能夠沉淀下來去做這件事。
在過去的半個(gè)多世紀(jì)中，華微電子持續(xù)突破諸多關(guān)鍵技術(shù)，加速推動(dòng)功率半導(dǎo)體器件的國產(chǎn)化替代，助力我國工業(yè)強(qiáng)基與民族產(chǎn)業(yè)發(fā)展，成為具有國際競(jìng)爭(zhēng)力的功率半導(dǎo)體企業(yè)。
最大的瓶頸是原材料。華微電子表示，我國原材料的質(zhì)量、制備問題亟待破解，另外相關(guān)材料制備的關(guān)鍵設(shè)備依靠進(jìn)口。SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比較晚，與國外相比水平還有差距；其應(yīng)用技術(shù)的研究比較關(guān)鍵，若相關(guān)配套技術(shù)及產(chǎn)品跟不上，第三代半導(dǎo)體的材料及器件的作用和效率可能會(huì)發(fā)揮不好。
目前SiC產(chǎn)品已經(jīng)可以提供二極管產(chǎn)品、GaN器件可以提供快充使用的FET。華微電子表示，下一步，將進(jìn)一步發(fā)揮公司的IDM模式的優(yōu)勢(shì)，集中精力研究三代半導(dǎo)體的關(guān)鍵產(chǎn)品技術(shù)和應(yīng)用技術(shù)，完善相關(guān)生產(chǎn)線開發(fā)和制造能力，為消費(fèi)類、工業(yè)和汽車電子領(lǐng)域提供優(yōu)異的三代半導(dǎo)體電力電子器件。
為擴(kuò)大公司生產(chǎn)線，2019年，華微電子以每股3.90元價(jià)格公開發(fā)行2.1億股，募集資金總額8.3億元，用于新型電力電子器件基地項(xiàng)目投資。
華微電子介紹，新型電力電子器件基地項(xiàng)目建成以后能夠有力地補(bǔ)充公司的產(chǎn)品種類和提升產(chǎn)品性能。二期項(xiàng)目規(guī)劃的產(chǎn)品主要是中低壓MOSFET、IGBT和超結(jié)MOSFET產(chǎn)品，主要應(yīng)用市場(chǎng)是電池保護(hù)、電動(dòng)工具、基站電源、工業(yè)控制、充電樁和汽車電子，在這些領(lǐng)域華微電子產(chǎn)品技術(shù)儲(chǔ)備完善，建成后可以快速發(fā)揮IDM模式的優(yōu)勢(shì)，快速提升產(chǎn)品線的盈利能力。在當(dāng)前國產(chǎn)化替代趨勢(shì)的環(huán)境下，有望快速突破高端領(lǐng)域。
