近日，韓國(guó)貿(mào)易工業(yè)和能源部（MOTIE）宣布計(jì)劃增加對(duì)國(guó)內(nèi)SiC和GaN業(yè)務(wù)的投資支持。此外，SK集團(tuán)最近加強(qiáng)了對(duì)化合物半導(dǎo)體的投資。預(yù)計(jì)隨著公司和政府投資的結(jié)合，SiC和GaN市場(chǎng)將加速增長(zhǎng)。
碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體市場(chǎng)將看到加速增長(zhǎng)的趨勢(shì)。2月1日，MOTIE宣布，它將加大對(duì)研發(fā)和基礎(chǔ)設(shè)施擴(kuò)展的支持，以從2021年起搶占全球SiC和GaN市場(chǎng)。
同時(shí)，國(guó)內(nèi)公司也開始進(jìn)行一系列相關(guān)投資。1月28日，SK集團(tuán)向YEST的子公司Yes Power Technix投資了268億。Yes Power Technix成立于2017年，研究和開發(fā)SiC器件，其100mm和150mm生產(chǎn)線的SiC晶圓年生產(chǎn)能力為14,000片/年。此外，SK Group的SK Siltron最近收購(gòu)了杜邦的SiC晶圓業(yè)務(wù)。
由于帶隙大于傳統(tǒng)Si半導(dǎo)體的3倍，因此SiC和GaN半導(dǎo)體每單位面積可承受的電壓是傳統(tǒng)半導(dǎo)體的10倍。作為參考，GaN和SiC的帶隙分別為3.4 eV和3.2 eV，遠(yuǎn)高于當(dāng)前使用的Si的1.1 eV。
SiC / GaN技術(shù)的進(jìn)步允許使用更小，更節(jié)能的芯片和更高的電流速率。展望未來，SiC的采用有望在DC-DC轉(zhuǎn)換和車載充電，工業(yè)應(yīng)用中的功率因數(shù)校正以及太陽能逆變器中加速應(yīng)用。在與SiC有關(guān)的行業(yè)中，重點(diǎn)企業(yè)包括韓國(guó)的RFHIC，metal Life，Silicon Works和YEST，以及海外的Cree，Veeco，意法半導(dǎo)體和Rohm。
GaN和SiC時(shí)代即將到來
預(yù)計(jì)到2029年，化合物功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將增長(zhǎng)五倍以上。對(duì)于5G設(shè)備，電動(dòng)汽車和工業(yè)設(shè)施（包括太陽能設(shè)施）中的SiC和GaN等化合物半導(dǎo)體的使用需求正在急劇增加。
從2021年開始，化合物功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迅速增長(zhǎng)。
包括SiC（4H-SIC）和GaN在內(nèi)的下一代化合物功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的增長(zhǎng)現(xiàn)在已經(jīng)開始。市場(chǎng)研究公司Yole預(yù)測(cè)，到2024年，SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以29％的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)，達(dá)到20億美元。相關(guān)的受益方應(yīng)該包括美國(guó)的Cree，意法半導(dǎo)體和Veeco，以及韓國(guó)的RFHIC。
晶圓生產(chǎn)技術(shù)對(duì)于GaN和SiC半導(dǎo)體的生產(chǎn)至關(guān)重要。
化合物半導(dǎo)體已開始用于5G設(shè)備，工業(yè)設(shè)施，電動(dòng)汽車和太陽能等行業(yè)。近來，GaN晶體管已被大量用于智能電話和筆記本電腦的充電適配器。此外，現(xiàn)代汽車集團(tuán)在其最近宣布的E-GMP中采用了SiC半導(dǎo)體。
在化合物半導(dǎo)體的生產(chǎn)中，晶圓生產(chǎn)技術(shù)很重要。通過使用有機(jī)金屬CVD（MOCVD）設(shè)備在襯底上生長(zhǎng)GaN外延層來制造GaN半導(dǎo)體。SiC外延片是通過在多層晶圓上沉積幾微米厚的SiC單晶層而制成的。SiC晶圓由Cree，Infineon和Rohm等許多公司生產(chǎn)。在韓國(guó)，收購(gòu)了杜邦（Dupont）SiC晶圓部門的SKSiltron正在對(duì)該行業(yè)進(jìn)行投資。SiC晶圓現(xiàn)在供不應(yīng)求。
Cree計(jì)劃到2024年將SiC產(chǎn)能提高30倍，并為其GaN業(yè)務(wù)投資10億美元。ST Micro的SiC芯片組相關(guān)銷售額在2019年達(dá)到2億美元，目標(biāo)是到2025年達(dá)到10億美元。
