主辦單位：
中國電子學(xué)會電子材料學(xué)分會

中國有色金屬學(xué)會寬禁帶半導(dǎo)體專業(yè)委員會
北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司

 

承辦單位：
廈門大學(xué)

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟

南京大學(xué)

 

協(xié)辦單位：
福建省半導(dǎo)體光電材料及其高效轉(zhuǎn)換器件協(xié)同創(chuàng)新中心

福建省半導(dǎo)體材料及應(yīng)用重點實驗室

廈門大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院

半導(dǎo)體微納光電子材料與器件教育部工程研究中心

半導(dǎo)體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點實驗室

 

 

近年來，寬禁帶半導(dǎo)體已成為全球高技術(shù)競爭戰(zhàn)略制高點之一，國際半導(dǎo)體及材料領(lǐng)域研究和發(fā)展的熱點，基于寬禁帶半導(dǎo)體材料，半導(dǎo)體照明已經(jīng)形成巨大規(guī)模的產(chǎn)業(yè)，并在電子功率器件領(lǐng)域繼續(xù)深入發(fā)展。為推動我國寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展，加強各界交流與協(xié)同創(chuàng)新，2015年10月，中國電子學(xué)會電子材料學(xué)分會發(fā)起并主辦了首屆全國寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會議（WBSC），會議由中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所承辦。自第二屆開始，會議更新為由中國有色金屬學(xué)會寬禁帶半導(dǎo)體專業(yè)委員會、中國電子學(xué)會電子材料學(xué)分會兩家單位共同主辦。廣東省半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟共同承辦了第二屆大會。

 

隨著大會規(guī)模和影響力的不斷增強，今年，“全國寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會議（WBSC）”迎來了第四屆，定于2021年11月7-10日在美麗的鷺島廈門舉辦，由中國有色金屬學(xué)會寬禁帶半導(dǎo)體專業(yè)委員會、中國電子學(xué)會電子材料學(xué)分會、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司共同主辦，廈門大學(xué)和第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟聯(lián)合承辦。

 

屆時，來自國內(nèi)寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)W術(shù)界、產(chǎn)業(yè)界的專家學(xué)者、科研技術(shù)人員、院校師生、企業(yè)家代表等，將圍繞寬禁帶半導(dǎo)體材料生長技術(shù)、材料結(jié)構(gòu)與物性、光電子和電子器件研發(fā)以及相關(guān)設(shè)備研發(fā)等領(lǐng)域開展廣泛交流，促進產(chǎn)學(xué)研用的交流合作。深信這次會議必將對我國寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件的學(xué)術(shù)研究、技術(shù)進步、產(chǎn)業(yè)發(fā)展起到有力的推動作用。

 

 

名譽主席：曹健林、甘子釗、鄭有炓

大會主席：張榮、吳玲

大會副主席：楊輝、張國義

大會執(zhí)行主席：康俊勇

顧問委員會（按姓氏首字母排序）：卞曙光、曹鏞、褚君浩、郝躍、何杰、侯洵、黃如、黃維、賈明星、江風(fēng)益、雷鵬、李樹深、劉明、孟徽、潘慶、屠海令、王立軍、王圩、王曦、王占國、吳德馨、夏建白、許寧生、葉志鎮(zhèn)、周炳琨、周克崧

 

主  席: 沈波

副主席：李晉閩、徐科、于坤山、阮軍

委 員（按姓氏首字母排序）：蔡樹軍、陳弘、陳敬、陳堂勝、陳小龍、陳志祥、杜國同、馮志紅、賀東江、黃豐、康俊勇、黎大兵、廖良生、劉紀(jì)美、劉木清、劉榕、劉勝、劉新宇、劉益春、龍世兵、陸海、羅毅、孟慶波、潘毅、彭俊彪、邱宇峰、盛況、王鋼、王宏興、王軍喜、王曉亮、王新強、吳軍、徐現(xiàn)剛、云峰、曾一平、張波、張國華、張國旗、張進成、張乃千、張玉明、趙德剛

 

主  席: 陳志濤 劉斌

副主席：張書明 李金釵 蔡端俊

委員（按姓氏首字母排序）：曹峻松、陳敦軍、陳鵬、陳長清、陳志忠、程凱、耿博、顧書林、郭清、郭世平、郝茂盛、黃凱、黃森、金瑞琴、李程、李國強、李忠輝、劉軍林、劉揚、劉志強、牛萍娟、潘堯波、孫錢、汪萊、王光緒、王來利、王茂俊、魏同波、許福軍、閆建昌、楊蘭芳、楊樹、葉建東、于彤軍、張保平、張紀(jì)才、張建立、張源濤、趙璐冰、周琦、左然

 

秘書長：高娜

副秘書長：涂長峰

成員：林偉、趙維、王琦、趙紅、康香寧、傅德頤、尹君、李煦、楊旭、陳航洋、張純淼、曹藝嚴(yán)、蘆麗、賈欣龍等

 

 

 

 

 

1. 材料生長（氮化物半導(dǎo)體、氧化物半導(dǎo)體、碳化硅、金剛石等）

2. 材料物性和表征技術(shù)（光、電、磁、熱性質(zhì)、缺陷物理等）

3. 光電子器件及其應(yīng)用（LED、LD、光電探測器等）

4. 電子器件及其應(yīng)用（射頻電子器件、功率電子器件等）

5. 新型寬禁帶材料與器件（超寬禁帶半導(dǎo)體、二維寬禁帶半導(dǎo)體、有機寬禁帶半導(dǎo)體等）

 

 

(1)寬禁帶半導(dǎo)體材料生長機理和生長動力學(xué)

(2)寬禁帶半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)與物性表征

(3)寬禁帶半導(dǎo)體光電子器件

(4)寬禁帶半導(dǎo)體電子器件

(5)新型寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件

 

(1)符合上述內(nèi)容的論文摘要；

(2)論文摘要主題突出、內(nèi)容層次分明、數(shù)據(jù)準(zhǔn)確、論述嚴(yán)謹(jǐn)、結(jié)論明確、采用法定計量單位；

(3)論文摘要須以WORD文檔格式，包含標(biāo)題、作者及其單位地址、正文、圖表、參考文獻等在內(nèi)不超過一頁A4紙；

(4)提交截止日前,以電子郵件方式（投稿郵箱:lxl@xmu.edu.cn）提交至?xí)h組委會秘書組；相關(guān)模板可登錄大會官網(wǎng)或查詢附件；

(5)所有論文摘要均編入會議文集。

 

 

1.論文摘要提交截止日：2021年8月10日

2.報告錄用通知截止日：2021年9月1日

3.注冊費優(yōu)惠截止日：2021年9月10日

 

 

2800元（含會議文集、日程等會議資料及會議期間相關(guān)服務(wù)）

 

2300元（與普通代表會議待遇相同，但須提交相關(guān)證件）

 

普通代表2500元；學(xué)生代表2000元。（享受上述相同待遇及服務(wù)）

 

開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行 

賬  號：336 356 029 261

名  稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司

 

 

 

 

藍老師：0592-2187737/18506928456    E：lxl@xmu.edu.cn

 

蘆老師：010-82380580  E：lul@casmita.com

 

賈先生：18310277858    E：jiaxl@casmita.com

張小姐：13681329411    E：zhangww@casmita.com

 

大會熱烈歡迎相關(guān)領(lǐng)域的專家、學(xué)者、行業(yè)企事業(yè)單位參會交流！

 

 

附件：   第四屆全國寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會議 論文摘要模板.docx
   第四屆全國寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會議 參會回執(zhí)表.xls