半導體芯片設備龍頭中微公司16日宣布新一代電感耦合等離子體（ICP）刻蝕設備Primo Twin-StarR已交付客戶投入生產(chǎn)。和國內(nèi)外同類設備相比，這一刻蝕設備能以更小的占地面積、更低的生產(chǎn)成本和更高的輸出效率，為邏輯芯片和存儲芯片等應用提供高性價比的刻蝕解決方案。

　　

光刻機、刻蝕機和MOCVD（金屬有機化合物化學氣相沉積）設備被并稱為半導體工藝三大關鍵設備。目前我國在刻蝕機和MOCVD設備領域已躋身國際先進水平，并在全球市場占有一席之地。

 

其中，中微公司開發(fā)的等離子體刻蝕設備已被廣泛應用于國際一線客戶從65納米到5納米工藝的眾多刻蝕應用。同時，中微公司開發(fā)的用于LED和功率器件外延片生產(chǎn)的MOCVD（金屬有機化合物化學氣相沉積）設備已在客戶生產(chǎn)線上投入量產(chǎn)，并在全球氮化鎵基LED MOCVD設備市場占據(jù)領先地位。

　　

本次中微公司發(fā)布的Primo Twin-StarR創(chuàng)新使用雙反應臺腔體設計和低電容耦合3D線圈設計，創(chuàng)新的反應腔設計可最大程度減弱非中心對稱抽氣口效應，通過采用多區(qū)溫控靜電吸盤（ESC）增強了對關鍵尺寸均勻性和重復性的控制。

　　

與其他同類設備相比，新產(chǎn)品以更小的占地面積、更低的生產(chǎn)成本和更高的輸出效率，進行ICP適用的邏輯和存儲芯片的介質(zhì)和導體的各種刻蝕應用，并用于功率器件和CMOS圖像傳感器（CIS）的刻蝕應用。