以“擁抱新變化”為主題的第十九屆上海國際汽車工業(yè)展覽會(huì)車展正在上海舉行，新能源趨勢已定，智能化作為電動(dòng)化下半場競爭開啟，關(guān)于車規(guī)級(jí)芯片器件、車規(guī)級(jí)激光雷達(dá)技術(shù)的創(chuàng)新與應(yīng)用一直都是業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。

以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料，具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率、抗輻射等優(yōu)異特性，因其在國防安全、智能制造、產(chǎn)業(yè)升級(jí)、節(jié)能減排等國家重大戰(zhàn)略需求方面的重要作用，正成為世界各國競爭的技術(shù)制高點(diǎn)。

4月21日，在NEPCON China 2021（第三十屆中國國際電子生產(chǎn)設(shè)備暨微電子工業(yè)展覽會(huì)）期間，由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)和勵(lì)展博覽集團(tuán)共同主辦的“2021功率半導(dǎo)體與車用LED技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)用論壇”在上海舉辦，論壇得到第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)、國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)的指導(dǎo)，以及愛發(fā)科商貿(mào)（上海）有限公司、吉永商事株式會(huì)社、天津賽米卡爾科技有限公司、南京集芯光電技術(shù)研究院有限公司的大力支持。

出席論壇的部分嘉賓合影

特邀嘉賓主持人（由左往右）：CASA于坤山秘書長、南京大學(xué)謝自力教授和復(fù)旦大學(xué)田朋飛副教授
 

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長于坤山，廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司總裁周曉陽，南京大學(xué)教授謝自力，中科院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所研究員夏長泰，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司高級(jí)副總裁郭世平，愛思強(qiáng)中國區(qū)總經(jīng)理宋偉，吉永商事株式會(huì)社社長陳海龍，北京一徑科技有限公司全球營銷副總裁邵嘉平，寧波升譜光電股份有限公司副總經(jīng)理尹輝，天津賽米卡爾科技有限公司創(chuàng)始人、河北工業(yè)大學(xué)教授張紫輝，愛發(fā)科商貿(mào)（上海）有限公司市場總監(jiān)李茂林，賀利氏電子中國區(qū)研發(fā)總監(jiān)張靖,英諾賽科科技有限公司高級(jí)產(chǎn)品應(yīng)用經(jīng)理鄒艷波，復(fù)旦大學(xué)副教授田朋飛，中電南方國基集團(tuán)有限公司高級(jí)工程師李士顏，南京集芯光電技術(shù)研究院有限公司技術(shù)總監(jiān)雷建明，蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司市場經(jīng)理陳宇超等嘉賓出席本次論壇。論壇還特邀CASA于坤山秘書長、南京大學(xué)謝自力教授和復(fù)旦大學(xué)田朋飛副教授一同主持，并參與了現(xiàn)場互動(dòng)。

隨著材料生長、器件制備等技術(shù)的不斷突破，第三代半導(dǎo)體的性價(jià)比優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)并正在打開應(yīng)用市場：SiC元件已用于汽車逆變器，GaN快速充電器也大量上市。未來5-10年被認(rèn)為是全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的加速發(fā)展期，也是我國能否實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)自主可控的關(guān)鍵期。第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長于坤山為在致辭時(shí)表示，第三代半導(dǎo)體有著諸多的應(yīng)用領(lǐng)域，隨著時(shí)間的推移，產(chǎn)業(yè)發(fā)展有巨大的進(jìn)步，也面臨著發(fā)展新機(jī)遇，希望在業(yè)界同仁們的努力下，我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有更好的發(fā)展。

隨后，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長于坤山分享了“功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀與前景展望”的主題報(bào)告，詳細(xì)分享了功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用、技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢。他表示，功率半導(dǎo)體已處于技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的最佳時(shí)機(jī)，其在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的份額將不斷增長，當(dāng)前需要集中優(yōu)勢資源，突破技術(shù)和產(chǎn)業(yè)化瓶頸，加速實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，功率半導(dǎo)體材料和器件技術(shù)還在不斷的進(jìn)步和發(fā)展，新材料、新工藝、新器件將不斷涌現(xiàn)。第三代半導(dǎo)體材料和器件，在電力變換與控制方面展現(xiàn)出優(yōu)異的性能，將極大促進(jìn)功率半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)跨入新的、更高階段。

新能源汽車正成為第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)用的焦點(diǎn)領(lǐng)域，廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司總裁周曉陽帶來了“碳化硅功率模塊在新能源汽車中的應(yīng)用”的主題報(bào)告。他表示，國產(chǎn)新能源車開始引入SiCMOSFET到主驅(qū)上，反應(yīng)良好。SiC市場從以二極管為主逐漸過渡到以MOSFET為主（國際市場）。全球SiC產(chǎn)業(yè)化剛剛開始，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)起步雖晚，但推動(dòng)力度大進(jìn)度快，封裝技術(shù)瓶頸和差距依然具備追趕并進(jìn)的機(jī)會(huì)。

氧化鎵是一種新興半導(dǎo)體材料，人們對(duì)其在電力電子器件中的應(yīng)用寄予了厚重的期望。中科院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所博導(dǎo)、研究員夏長泰分享了氧化鎵電力電子器件的研究進(jìn)展，基于氧化鎵半導(dǎo)體材料的基本物性，結(jié)合材料生長、摻質(zhì)及器件等方面的實(shí)驗(yàn)事實(shí)，展望其在電力電子器件中的應(yīng)用前景。他表示，氧化鎵極寬禁帶半導(dǎo)體在電力電子領(lǐng)域中的應(yīng)用潛力是無限的。相信在大家的共同奮斗下，氧化鎵半導(dǎo)體一定會(huì)不斷地給我們帶來驚喜。

當(dāng)前快充市場熱度居高，5G手機(jī)促使快充技術(shù)迅速發(fā)展。英諾賽科科技有限公司高級(jí)產(chǎn)品應(yīng)用經(jīng)理鄒艷波做了題為“GaN快充技術(shù)趨勢及進(jìn)展”的主題報(bào)告，詳細(xì)分享了最新技術(shù)應(yīng)用趨勢進(jìn)展以及解決方案。他還表示，未來快充朝著高度集成化發(fā)展，變成材料層面的集成，電源的制造和形態(tài)朝著芯片化發(fā)展。

各類半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和性能指標(biāo)的提升必須以器件內(nèi)部半導(dǎo)體物理機(jī)制為依托和指導(dǎo)。而半導(dǎo)體器件仿真技術(shù)能有效突破器件實(shí)驗(yàn)表象，可視化器件內(nèi)部最根本的物理機(jī)質(zhì)，加深對(duì)半導(dǎo)體器件物理的理解，助力于半導(dǎo)體器件架構(gòu)的優(yōu)化和制備，是現(xiàn)代先進(jìn)半導(dǎo)體器件研發(fā)和制備的必備手段。天津賽米卡爾科技有限公司創(chuàng)始人，河北工業(yè)大學(xué)張紫輝教授帶來了“半導(dǎo)體仿真技術(shù)在第三代半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用”的精彩報(bào)告，圍繞深紫外發(fā)光二極管(DUV LED)、MicroLED、日盲紫外探測器、肖特基功率二極管(SBD)、垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)，詳細(xì)闡述半導(dǎo)體器件仿真技術(shù)在半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)和制備過程中的關(guān)鍵作用，同時(shí)深入探討影響各類半導(dǎo)體器件性能指標(biāo)的關(guān)鍵因素，并提出優(yōu)化設(shè)計(jì)方案。

自動(dòng)駕駛是汽車領(lǐng)域未來的發(fā)展趨勢之一，正在參加上海車展的北京一徑科技有限公司全球營銷副總裁邵嘉平做了“激光雷達(dá)與自動(dòng)駕駛最新發(fā)展”的主題分享。其中，報(bào)告認(rèn)為自動(dòng)駕駛貨車商業(yè)模式清晰，有望超預(yù)期落地，無人駕駛出租車將在2025年前后達(dá)到成本拐點(diǎn)，AVP可率先實(shí)現(xiàn)高級(jí)別自動(dòng)駕駛在城市場景的落地，無人末端配送有望快速落地封閉小區(qū)，企業(yè)園區(qū)等場景，帶來成本和效率的優(yōu)化，礦區(qū)自動(dòng)駕駛是需求剛性，高確定性的落地場景。自動(dòng)駕駛用雷達(dá)也將有看得遠(yuǎn)、看得廣、看得準(zhǔn)等新的要求。

我國最早的氮化鎵(GaN)外延材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化企業(yè)，在2014年實(shí)現(xiàn)了8英寸硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品的商業(yè)化，填補(bǔ)了國內(nèi)乃至世界氮化鎵產(chǎn)業(yè)的空白。目前蘇州晶湛已經(jīng)掌握了多項(xiàng)氮化鎵外延片核心技術(shù)。累計(jì)申請(qǐng)了百余項(xiàng)專利。會(huì)上，來自蘇州晶湛半導(dǎo)體科技有限公司的市場經(jīng)理陳宇超帶來了“應(yīng)用于功率器件的硅基GaN外延片進(jìn)展”的主題報(bào)告，結(jié)合具體的數(shù)據(jù)分享了650V應(yīng)用的D模和E模硅基GaN外延片的進(jìn)展，并介紹了面向更高電壓/電流應(yīng)用的多通道器件研究進(jìn)展。

真空技術(shù)在功率器件領(lǐng)域有其重要作用，愛發(fā)科商貿(mào)（上海）有限公司市場總監(jiān)李茂林做了題為“碳化硅功率器件制造中ULVAC的量產(chǎn)技術(shù)”的主題報(bào)告，分享了SiC功率器件制造過程中的ULVAC設(shè)備和技術(shù)整體解決方案，詳細(xì)說明了高溫離子注入技術(shù)、碳膜濺射技術(shù)及高溫退火技術(shù)是不同于硅基器件的特殊工藝制程。

當(dāng)前，功率半導(dǎo)體行業(yè)正在經(jīng)歷一場由碳化硅和氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體引領(lǐng)的技術(shù)革命，以實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和開關(guān)速率。新能源汽車、可再生能源、智能電網(wǎng)等新應(yīng)用領(lǐng)域?qū)﹄娏﹄娮悠骷岢隽司薮蟮奶魬?zhàn)。新一代封裝材料與相匹配的解決方案已經(jīng)成為寬禁帶半導(dǎo)體革命成功的關(guān)鍵。德國賀利氏電子中國區(qū)研發(fā)總監(jiān)張靖帶來了“針對(duì)碳化硅功率模塊的先進(jìn)封裝解決方案”的主題報(bào)告，詳細(xì)分享了一套針對(duì)碳化硅功率器件的完整封裝解決方案。

GaN基電源最大的特點(diǎn)是將工作頻率提高數(shù)十倍，然而，工作頻率的提高會(huì)帶來更為嚴(yán)峻的噪聲處理問題。另一方面，GaN器件閾值電壓低、抗噪聲能力弱，且存在固有的物理缺陷。南京集芯光電技術(shù)研究院有限公司技術(shù)總監(jiān)雷建明做了題為“氮化鎵功率開關(guān)器件及其在超輕薄開關(guān)電源領(lǐng)域的應(yīng)用研究”的主題報(bào)告，從器件、驅(qū)動(dòng)、控制、拓?fù)潆娐返确矫嫒轿惶岢鼋鉀Q方案，在實(shí)現(xiàn)超輕薄目標(biāo)的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步提升產(chǎn)品的效率和工作可靠性。

主題報(bào)告之后，Panel Discussion 主題探討環(huán)節(jié)，圍繞著SiC IGBT 還有多遠(yuǎn)，IGBT 和MOSFET誰是未來主流？國產(chǎn)功率半導(dǎo)體替代問題與可靠性考慮，快充市場格局，第三代半導(dǎo)體對(duì)生產(chǎn)制造/電子微組裝/生產(chǎn)工藝帶來的要求和挑戰(zhàn)等主題，在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長于坤山主持下，與愛思強(qiáng)中國區(qū)總經(jīng)理宋偉、ULVAC市場總監(jiān)李茂林，中電南方國基集團(tuán)有限公司高級(jí)工程師李士顏，英諾賽科科技有限公司高級(jí)產(chǎn)品應(yīng)用經(jīng)理鄒艷波、南京大學(xué)教授謝自力、南京集芯光電技術(shù)研究院有限公司雷建明等嘉賓們一起與現(xiàn)場代表們展開了充分的探討，觀點(diǎn)碰撞交互，現(xiàn)場互動(dòng)氣氛非常熱烈，帶來了充分的知識(shí)信息分享與觀點(diǎn)碰撞。

備注：更多嘉賓詳細(xì)主題分享將會(huì)陸續(xù)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)及第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)微信公眾號(hào)公開發(fā)布，敬請(qǐng)關(guān)注！