大功率、高密度、多接口已經(jīng)成為快充電源市場的發(fā)展趨勢，5G手機快速發(fā)展中，5G手機耗電量增大，串聯(lián)雙電芯設(shè)計，電荷泵的應用等，促使快充技術(shù)迅速發(fā)展，快充充電功率越來越大。

 

近日，2021功率半導體與車用LED技術(shù)創(chuàng)新應用論壇在上海舉行。本屆論壇由半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)和勵展博覽集團共同主辦，并得到第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟的指導。

會上，英諾賽科科技有限公司高級產(chǎn)品應用經(jīng)理鄒艷波帶來了“GaN快充技術(shù)趨勢及進展”的主題報告，詳細分享了GaN快充發(fā)展趨勢以及英諾賽科GaN市場進展。

 

對于GaN快充發(fā)展趨勢，報告指出，5G手機的普及極大地促使快充技術(shù)迅速發(fā)展，5G手機耗電量增大，串聯(lián)雙電芯設(shè)計，電荷泵的應用，快充充電功率越來越大。并且，功率密度提升促進便攜性，高頻化推動快充的小型化，GaN技術(shù)不斷迭代助力快充高頻高效。

 

同時，平面變壓器應用成為趨勢，具有高頻一致性好、便于高功率密度快充生產(chǎn)加工、便于減小漏感等特點。快充模組化方面，未來快充朝著高度集成化發(fā)展，變成材料層面的集成，電源的制造和形態(tài)朝著芯片化發(fā)展；電路與磁材融合集成形成電磁結(jié)合，模塊采用含磁粉的材料塑封，具備更好的散熱特性和EMC特性；工作頻率100倍提高，集成度更高。

 

鄒艷波介紹，英諾賽科作為國產(chǎn)硅基氮化鎵廠商，有2個8英寸硅基氮化鎵芯片研發(fā)生產(chǎn)基地，30V-650V 產(chǎn)品全面覆蓋。高壓出貨量達600W顆，并推出全球首款標配 120W GaN 快充。其中，InnoGaN 120W 快充方案，內(nèi)置INN650D02，具備磁性元件、電容器體積大幅減小，DFN封裝，超低熱阻，全面實現(xiàn)小型化，高效率，溫升更低。

并且，InnoGaN 33W快充迅速上量，30W GaN快充或?qū)⒊蔀樘O果入局氮化鎵快充的首款作品。InnoGaN33W 方案內(nèi)置英諾賽科產(chǎn)品：INN650DA04，2 倍 功率密度，3.5% 效率提升，累計訂單已突破 2kk。

他還透露，英諾賽科致力于用硅基氮化鎵打造綠色高效的新世界。目前可在高、低壓領(lǐng)域提供多樣化整體解決方案，并延伸至可穿戴、無人機、電動玩具、家用清潔機器、筆記本、電動車等快充的多領(lǐng)域拓展。