氮化鎵被譽(yù)為最新一代的半導(dǎo)體材料，發(fā)展和應(yīng)用的潛力巨大。氮化鎵比硅禁帶寬度大3倍，擊穿場(chǎng)強(qiáng)高10倍，飽和電子遷移速度大3倍，熱導(dǎo)率高2倍。這些性能提升帶來的一些優(yōu)勢(shì)就是氮化鎵比硅更適合做大功率高頻的功率器件，同時(shí)體積還更小，功率密度還更大。

 

近日，2021功率半導(dǎo)體與車用LED技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)用論壇在上海舉行。本屆論壇由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)和勵(lì)展博覽集團(tuán)共同主辦，并得到第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟的指導(dǎo)。

會(huì)上，蘇州晶湛半導(dǎo)體科技有限公司的市場(chǎng)經(jīng)理陳宇超帶來了“應(yīng)用于功率器件的硅基GaN外延片進(jìn)展”的主題報(bào)告，結(jié)合具體的數(shù)據(jù)分享了650V應(yīng)用的D模和E模硅基GaN外延片的進(jìn)展，并介紹了面向更高電壓/電流應(yīng)用的多通道器件研究進(jìn)展。

 

GaN具有高臨界磁場(chǎng)、高電子飽和速度與極高的電子遷移率的特點(diǎn)，器件具有給定電壓額定值下的低通狀態(tài)電阻、緊湊型高壓裝置、快速高效切換、低功耗、高工作溫度等優(yōu)勢(shì)。

隨著寬禁帶器件在電動(dòng)車市場(chǎng)的機(jī)會(huì)大增，GaN在EV領(lǐng)域有新契機(jī)，具有解決整個(gè)高壓汽車頻譜的潛力。

GaN在高壓應(yīng)用中相比SiC、IGBT、SiSJ在效率、開關(guān)頻率等維度具有自己的優(yōu)勢(shì)。

 

蘇州晶湛半導(dǎo)體是我國(guó)最早的氮化鎵(GaN)外延材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化企業(yè)，在2014年實(shí)現(xiàn)了8英寸硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品的商業(yè)化，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)乃至世界氮化鎵產(chǎn)業(yè)的空白。目前蘇州晶湛已經(jīng)掌握了多項(xiàng)氮化鎵外延片核心技術(shù)。累計(jì)申請(qǐng)了百余項(xiàng)專利。

 

報(bào)告中，結(jié)合具體的數(shù)據(jù)，陳宇超詳細(xì)分享了晶湛半導(dǎo)體的高壓、大電流路線圖，以及硅上1300伏常關(guān)p-GaN柵HEMTs，硅側(cè)SBD上的3.4kV GaN等內(nèi)容。