面向未來智能社會所需的信息通信，電力電子，自動駕駛等領域，近年來第三代功率半導體材料（SiC，GaN等）具有更寬的禁帶寬度、更高的導熱率、更高的抗輻射能力、更大的電子飽和漂移速率等特性，已經(jīng)成為最有潛能的新一代材料。

 

近日，2021功率半導體與車用LED技術創(chuàng)新應用論壇在上海舉行。本屆論壇由半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)和勵展博覽集團共同主辦，并得到第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟的指導。

會上，愛發(fā)科商貿（上海）有限公司市場總監(jiān)李茂林帶來了“碳化硅功率器件制造中ULVAC的量產(chǎn)技術”的主題報告，分享了針對SiC功率器件制造的量產(chǎn)技術。

 

愛發(fā)科商貿(上海)有限公司的經(jīng)營內容涉及設備銷售面向平板顯示（TFT-LCD、AM-OLED、Micro-LED）、太陽能電池（SHJ、CIGS等）、集成電路（LOGIC、Memory）、電子元器件（IGBT、SiC功率器件、MEMS、SAW/BAW等）、觸摸屏、真空冶金、真空包裝、研究開發(fā)等領域的設備。售后服務涉及設備安裝調試、定期保養(yǎng)、維護維修、零部件銷售、設備改造、零部件清洗等。以及國內外集團公司產(chǎn)品銷售及售后服務，各種靶材的銷售等其他業(yè)務。

 

真空技術在功率器件領域有其作用，ULVAC集團是致力于全球知名真空薄膜技術的供應商，特別在SiC功率器件領域具有三十余年的薄膜制造技術經(jīng)驗。報告詳細分享了SiC功率器件制造過程中的ULVAC設備和技術整體解決方案，詳細說明了高溫離子注入技術、碳膜濺射技術及高溫退火技術是不同于硅基器件的特殊工藝制程。