第三代半導(dǎo)體材料及其應(yīng)用是全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略競爭新高地，目前我國正迎來發(fā)展第三代半導(dǎo)體的重要窗口期。功率半導(dǎo)體從原材料到設(shè)計、晶圓制造加工裝備、封測，正加速實現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化。雖然我國已發(fā)展成為全球第一大功率半導(dǎo)體市場，但國產(chǎn)自給率較低，行業(yè)仍存巨大供需缺口，國產(chǎn)替代將是未來重要的發(fā)展方向。

 

為了更好的把握時機推進(jìn)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，打破功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在材料與裝備、芯片制造、封裝模組、系統(tǒng)應(yīng)用等環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)化主要技術(shù)瓶頸，引領(lǐng)技術(shù)及市場風(fēng)向，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)在南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導(dǎo)下，定于2021年9月13-14日在南京召開“2021中國（南京）功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場應(yīng)用峰會（CASICON 2021）”。會議圍繞碳化硅、氮化鎵、砷化鎵、氧化鎵、金剛石等材料在電力電子、5G 射頻領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)展與創(chuàng)新應(yīng)用，助推相關(guān)領(lǐng)域市場產(chǎn)品國產(chǎn)化替代，屆時晶湛半導(dǎo)體也與行業(yè)眾多技術(shù)及應(yīng)用專家進(jìn)行研究、分享、交流。

蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司總裁程凱曾對記者表示：“我們提供的電力電子氮化鎵外延材料可于藍(lán)寶石以及硅襯底上生長，并且擁有極高的擊穿電壓，業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的低缺陷控制；領(lǐng)先推出了8英寸高阻硅射頻氮化鎵外延片，將完美迎合5G市場的爆發(fā)以及引領(lǐng)射頻產(chǎn)業(yè)的未來走向；多尺寸藍(lán)寶石基以及硅基藍(lán)光LED、綠光LED與近紫外LED外延產(chǎn)品具有優(yōu)秀的全片波長均勻性和高標(biāo)準(zhǔn)形貌控制。”