Ⅲ族氮化物是典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，GaN電力電子器件已廣泛用于電力電子領(lǐng)域。肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）是功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的基本組件，當(dāng)前發(fā)展GaN功率SBD的核心問(wèn)題之一是研制出低開(kāi)啟電壓、超高耐壓的功率器件。

 

2021年9月13-14日，由南京大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導(dǎo)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦的“2021中國(guó)（南京）功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場(chǎng)應(yīng)用峰會(huì)（CASICON 2021）”將在南京城市名人酒店召開(kāi)。會(huì)議圍繞碳化硅、氮化鎵、砷化鎵、氧化鎵、金剛石等材料在電力電子、5G射頻領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)展與創(chuàng)新應(yīng)用，助推相關(guān)領(lǐng)域市場(chǎng)產(chǎn)品國(guó)產(chǎn)化替代。

 

會(huì)上，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院陳鵬教授受邀將出席本次峰會(huì)，并分享“GaN基肖特基功率器件研究新進(jìn)展”主題報(bào)告。屆時(shí)，陳鵬教授將分享其課題組近年來(lái)通過(guò)研究GaN SBD的擊穿機(jī)制和器件工藝，研制超高壓/低開(kāi)起的GaN SBD的有關(guān)成果及最新進(jìn)展。

欲知最新研究進(jìn)展與成果，敬請(qǐng)關(guān)注峰會(huì)，也歡迎相關(guān)領(lǐng)域?qū)＜?、學(xué)者、行業(yè)企事業(yè)單位參會(huì)交流，共商合作事宜。

【嘉賓簡(jiǎn)介】

陳鵬，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院教授。2000年12月在南京大學(xué)物理系獲理學(xué)博士學(xué)位，2001年至2007年歷任新加坡科研局材料研究院研究員、首席科學(xué)家、新加坡國(guó)立大學(xué)電機(jī)工程系博士生導(dǎo)師。2008年度進(jìn)入“江蘇省高層次創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)人才引進(jìn)計(jì)劃”和“333高層次人才培養(yǎng)工程”第二層次，并于2011年獲“333人才工程突出貢獻(xiàn)獎(jiǎng)”， 2010年獲“江蘇省有突出貢獻(xiàn)的中青年專(zhuān)家”稱(chēng)號(hào)，2011獲得“中國(guó)產(chǎn)學(xué)研創(chuàng)新獎(jiǎng)個(gè)人獎(jiǎng)”。自1995年以來(lái)長(zhǎng)期從事于三族氮化物半導(dǎo)體材料與器件研究，共發(fā)表學(xué)術(shù)論文180余篇，其中以第一作者及通訊作者在氮化物光電子學(xué)、功率電子、強(qiáng)注入輻射機(jī)制等研究領(lǐng)域發(fā)表的高水平論文40余篇，包括Advanced Materials, Advanced Optical Materials, Small, IEEE Electron Device Letters, Applied Physics Letters, IEEE Photonics Journal。

 

會(huì)務(wù)組也誠(chéng)摯歡迎相關(guān)領(lǐng)域的專(zhuān)家、學(xué)者、行業(yè)企事業(yè)單位能參會(huì)與陳鵬教授多多交流！更多會(huì)議資料請(qǐng)往下查看：