9月13-14日，“2021中國（南京）功率與射頻半導體技術(shù)市場應(yīng)用峰會（CASICON 2021）”在南京召開。本屆峰會由半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導體產(chǎn)業(yè)主辦，并得到了南京大學、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導。
會上，中國電科首席科學家/微波毫米波單片集成和模塊電路重點實驗室主任陳堂勝帶來了“低溫鍵合金剛石GaN HEMT微波功率器件”的主題報告，介紹了GaN微波功率器件發(fā)展現(xiàn)狀以及金剛石GaN HEMT近結(jié)散熱技術(shù)進展和低溫鍵合金剛石GaN HEMT。
他表示，GaN HEMT的性能優(yōu)勢已得到充分體現(xiàn)，其工程應(yīng)用也已獲得巨大成功，國內(nèi)GaN HEMT及MMIC還需進一步提升工藝能力，努力在生產(chǎn)規(guī)模擴大和成本管控上下功夫。金剛石材料與GaN HEMT的結(jié)合可改進GaN器件的散熱，進一步發(fā)掘GaN HEMT的微波性能優(yōu)勢，金剛石GaN HEMT是可以期待的新一代固態(tài)微波功率器件技術(shù)。低溫鍵合金剛石GaN具有多方面的技術(shù)優(yōu)勢，55所取得了初步研究結(jié)果。改進金剛石襯底的平整度、粗糙度，進一步優(yōu)化鍵合工藝，降低鍵合界面空洞率，推進金剛石GaN HEMT的工程應(yīng)用是器件工藝研究努力的方向。
他表示，GaN HEMT的性能優(yōu)勢已得到充分體現(xiàn)，其工程應(yīng)用也已獲得巨大成功，國內(nèi)GaN HEMT及MMIC還需進一步提升工藝能力，努力在生產(chǎn)規(guī)模擴大和成本管控上下功夫。金剛石材料與GaN HEMT的結(jié)合可改進GaN器件的散熱，進一步發(fā)掘GaN HEMT的微波性能優(yōu)勢，金剛石GaN HEMT是可以期待的新一代固態(tài)微波功率器件技術(shù)。低溫鍵合金剛石GaN具有多方面的技術(shù)優(yōu)勢，55所取得了初步研究結(jié)果。改進金剛石襯底的平整度、粗糙度，進一步優(yōu)化鍵合工藝，降低鍵合界面空洞率，推進金剛石GaN HEMT的工程應(yīng)用是器件工藝研究努力的方向。
嘉賓簡介
陳堂勝，現(xiàn)為中國電子科技集團公司制造工藝領(lǐng)域首席科學家，長期從事GaAs、GaN等化合物半導體微波功率器件和單片電路的研制，目前在開展金剛石襯底GaN HEMT、異構(gòu)集成等方面的研究。
