微電子技術(shù)顯著推動(dòng)了信息化社會(huì)的發(fā)展,以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體材料,具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率、抗輻射等優(yōu)異特性,因其在國(guó)防安全、智能制造、產(chǎn)業(yè)升級(jí)、節(jié)能減排等國(guó)家重大戰(zhàn)略需求方面的重要作用,正成為世界各國(guó)競(jìng)爭(zhēng)的技術(shù)制高點(diǎn)。氧化鎵和金剛石為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體的研究也在不斷推進(jìn)。
2021年12月6-8日,以“創(chuàng)芯生態(tài) 碳索未來(lái)”為主題的第七屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(IFWS & SSLCHINA 2021)在深圳會(huì)展中心舉行。本屆論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)聯(lián)合主辦,北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦。
期間,IFWS 2021:超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)分論壇將于12月6日舉行,論壇特別邀請(qǐng)來(lái)自美國(guó)康奈爾大學(xué)教授Huili Grace XING,鄭州大學(xué)電子材料與系統(tǒng)國(guó)際聯(lián)合研究中心主任、教授劉玉懷,北京郵電大學(xué)/南京郵電大學(xué)教授唐為華,山東大學(xué)晶體材料研究所副教授彭燕,西安交通大學(xué)電子學(xué)院院長(zhǎng)助理、副教授李強(qiáng),中科院半導(dǎo)體所研究員張逸韻,西安交通大學(xué)助理教授王艷豐,中山大學(xué)副教授盧星,山東大學(xué)微電子學(xué)院副教授徐明升,中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)于舜杰,西安電子科技大學(xué)袁海東,南京大學(xué)況悅,鄭州大學(xué)Mussaab I. Niass等代表性先進(jìn)研究力量,分享超寬禁帶半導(dǎo)體的最新研究進(jìn)展與研究成果。會(huì)議將由山東大學(xué)特聘教授陶緒堂與中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長(zhǎng)龍世兵教授聯(lián)袂主持。目前論壇最新日程出爐,也誠(chéng)摯的邀請(qǐng)業(yè)界同仁的深度參與。
作為一年一度的行業(yè)盛會(huì),論壇及同期活動(dòng)將全面呈現(xiàn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)動(dòng)向及技術(shù)趨勢(shì),為除了開(kāi)幕大會(huì)、本屆論壇設(shè)有功率電子器件與應(yīng)用論壇、射頻電子器件與應(yīng)用論壇、半導(dǎo)體照明與應(yīng)用論壇、Mini/Micro-LED及其他新型顯示論壇、超越照明論壇、材料與裝備論壇、固態(tài)紫外器件與應(yīng)用論壇、車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會(huì)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇、電力電子標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)等超30場(chǎng)次論壇活動(dòng)。聚焦第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)、光電子技術(shù)、射頻電子技術(shù)的國(guó)內(nèi)外前沿進(jìn)展;第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)、光電子技術(shù)、射頻電子技術(shù)的產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略與機(jī)遇;第三代半導(dǎo)體材料相關(guān)技術(shù)與新一代信息技術(shù)、新能源汽車、新一代通用電源、高端裝備等產(chǎn)業(yè)的相互促進(jìn)與深度融合;產(chǎn)業(yè)鏈、供應(yīng)鏈多元化與核心技術(shù)攻關(guān)等。也歡迎業(yè)界同仁參與其中,對(duì)接資源,洽談商機(jī),共商產(chǎn)業(yè)發(fā)展大計(jì)。
部分嘉賓簡(jiǎn)介
陶緒堂,山東大學(xué)講席教授,2002年度教育部長(zhǎng)江學(xué)者特聘教授、2003年度國(guó)家杰出青年基金、2005年度教育部創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)和2007年度國(guó)家自然科學(xué)基金委創(chuàng)新群體學(xué)術(shù)帶頭人。兼任中國(guó)硅酸鹽學(xué)會(huì)理事,中國(guó)晶體學(xué)會(huì)理事, 中國(guó)硅酸鹽學(xué)會(huì)晶體生長(zhǎng)專業(yè)委員會(huì)委員,中國(guó)物理學(xué)會(huì)固體缺陷專業(yè)委員會(huì)副主任,第六屆教育部科學(xué)技術(shù)委員會(huì)國(guó)防科技學(xué)部委員。
龍世兵,中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長(zhǎng)、教授。長(zhǎng)期從事微納加工、阻變存儲(chǔ)器、超寬禁帶半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的研究。IEEE EDL/TED、Adv. Mater.等多種國(guó)際著名學(xué)術(shù)期刊的審稿人。主持國(guó)家自然科學(xué)基金、科技部(863、973、重大專項(xiàng)、重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃)、中科院等資助科研項(xiàng)目15項(xiàng)。在IEEE EDL等國(guó)際學(xué)術(shù)期刊和會(huì)議上發(fā)表論文100余篇,SCI他引3000余次,H因子30,2篇第一作者IEEE EDL論文入選ESI高引論文(累計(jì)引用居前1%的論文)。獲得/申請(qǐng)專利100余項(xiàng),其中9項(xiàng)轉(zhuǎn)移給國(guó)內(nèi)最大的集成電路制造企業(yè)中芯國(guó)際,74項(xiàng)授權(quán)/受理發(fā)明專利許可給武漢新芯。
Huili Grace Xing,研究重點(diǎn)是III-V型氮化物,2-D晶體,氧化物半導(dǎo)體,最近研究多鐵性材料,磁性和超導(dǎo)材料的開(kāi)發(fā):生長(zhǎng),電子和光電器件,尤其是材料性能與器件開(kāi)發(fā)以及高性能器件之間的相互作用,包括RF / THz器件,隧道場(chǎng)效應(yīng)晶體管,功率電子器件,DUV發(fā)射器和存儲(chǔ)器。她曾獲得AFOSR青年研究者獎(jiǎng),NSF職業(yè)獎(jiǎng)和ISCS青年科學(xué)家獎(jiǎng)。她是APS的會(huì)員。她已撰寫(xiě)/與他人合著了240多種期刊論文和110多種會(huì)議論文集,包括《自然》雜志,《物理評(píng)論快報(bào)》,《應(yīng)用物理快報(bào)》,《電子設(shè)備快報(bào)》和IEDM等。
唐為華,北京郵電大學(xué)/南京郵電大學(xué)教授,博導(dǎo),北京鎵族科技有限公司、北京鎵和半導(dǎo)體有限公司創(chuàng)始人。北京郵電大學(xué)首屆“傳郵人才”,享受國(guó)務(wù)院政府特殊津貼,入選國(guó)家“新世紀(jì)百千萬(wàn)人才工程”、中國(guó)科學(xué)院“百人計(jì)劃”,江蘇省“雙創(chuàng)人才“,獲北京市科學(xué)技術(shù)將一等獎(jiǎng)、北京市科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)自然科學(xué)二等獎(jiǎng)。曾在法國(guó)國(guó)家科研中心、美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究院等境外機(jī)構(gòu)開(kāi)展合作研究。長(zhǎng)期從事信息功能材料與器件研究,已在國(guó)內(nèi)外重要學(xué)術(shù)雜志上發(fā)表SCI收錄論文300多篇,論文被引用10000多次,H因子48,發(fā)明專利30多項(xiàng)。主持國(guó)家級(jí)省部級(jí)重大課題等二十多項(xiàng)。擔(dān)任國(guó)家自然科學(xué)基金委和科技部國(guó)家重大研究計(jì)劃等科技與人才項(xiàng)目會(huì)評(píng)專家、國(guó)內(nèi)外十余種學(xué)術(shù)雜志特邀評(píng)審、中國(guó)晶體學(xué)會(huì)理事、中國(guó)物理學(xué)會(huì)X射線衍射專業(yè)委員和固體缺陷專業(yè)委員會(huì)委員、中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)委員、中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟監(jiān)事、“中關(guān)村標(biāo)準(zhǔn)“智庫(kù)首批特聘專家。近十年來(lái)重點(diǎn)開(kāi)展超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料、物性及器件研究,是國(guó)內(nèi)開(kāi)展氧化鎵科學(xué)研究與產(chǎn)業(yè)化實(shí)踐的先行者。
劉玉懷,現(xiàn)任鄭州大學(xué)信息工程學(xué)院電子與信息工程系教授、博士生導(dǎo)師、科技部電子材料與系統(tǒng)國(guó)家級(jí)國(guó)際聯(lián)合研究中心主任、河南省電子材料與系統(tǒng)國(guó)際聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室主任、日本名古屋大學(xué)客座教授。主要研究方向?yàn)榈锇雽?dǎo)體材料與器件,主持國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃政府間國(guó)際科技創(chuàng)新合作重點(diǎn)專項(xiàng)(基于氮化物半導(dǎo)體的深紫外激光器的研究)、國(guó)家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目、河南省科技攻關(guān)項(xiàng)目等12項(xiàng)。發(fā)表論文與會(huì)議報(bào)告215篇,國(guó)際會(huì)議邀請(qǐng)報(bào)告12次。日本專利公開(kāi)1項(xiàng)、授權(quán)中國(guó)發(fā)明專利1項(xiàng)、實(shí)用新型項(xiàng)專利1項(xiàng)、軟件著作權(quán)5項(xiàng)。紫外LED技術(shù)轉(zhuǎn)移1項(xiàng)。
彭燕,凝聚態(tài)物理博士,山東大學(xué)副教授/博士研究生導(dǎo)師,廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司研發(fā)中心主任。主要從事寬禁帶半導(dǎo)體材料研究工作,重點(diǎn)研究SiC、金剛石材料的制備、表征及應(yīng)用研究,先后主持/參與國(guó)家基礎(chǔ)研究計(jì)劃、973、核高基及自然科學(xué)基金項(xiàng)目等10余項(xiàng),發(fā)表SCI論文40余篇,申請(qǐng)/授權(quán)專利近30項(xiàng)。
李強(qiáng),從事寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究,主要研究方向:氧化物半導(dǎo)體材料(氧化銦錫ITO)和超寬禁帶半導(dǎo)體材料(氮化硼B(yǎng)N)的制備與器件應(yīng)用。第一發(fā)明人擁有國(guó)家授權(quán)發(fā)明專利11項(xiàng),在國(guó)內(nèi)外重要期刊上發(fā)表學(xué)術(shù)論文50余篇。主持國(guó)家及省部級(jí)項(xiàng)目6項(xiàng),主講國(guó)家一流本科生課程1門(mén),陜西省精品課程1門(mén),作為主編之一編寫(xiě)專著1部。
盧星,中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院“百人計(jì)劃”副教授,分別于復(fù)旦大學(xué)和香港科技大學(xué)取得學(xué)士和博士學(xué)位,致力于寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究,主持完成國(guó)家自然科學(xué)基金、廣東省自然科學(xué)基金、廣東省前沿與關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新專項(xiàng)資金等多項(xiàng)科研項(xiàng)目,在IEEE EDL、IEEE TED、APL等期刊發(fā)表第一/通訊作者論文三十余篇,申請(qǐng)/授權(quán)國(guó)家發(fā)明專利十余件。
最新日程如下:
備注:日程或有微調(diào),皆以現(xiàn)場(chǎng)為準(zhǔn)。
附件:論壇資料
第七屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇
暨第十八屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇
The 7th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors
&The 18th China International Forum onSolid State Lighting
IFWS & SSLCHINA 2021
國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在中國(guó)地區(qū)的年度盛會(huì),是前瞻性、全球性、高層次的綜合性論壇。會(huì)議以促進(jìn)第三代半導(dǎo)體與電力電子技術(shù)、移動(dòng)通信技術(shù)、紫外探測(cè)技術(shù)和應(yīng)用的國(guó)際交流與合作,引領(lǐng)第三代半導(dǎo)體新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向?yàn)榛顒?dòng)宗旨,全面覆蓋行業(yè)基礎(chǔ)研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展,聯(lián)結(jié)產(chǎn)、學(xué)、研、用,提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺(tái)。在過(guò)去的六年時(shí)間里,IFWS延請(qǐng)寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域國(guó)際頂級(jí)學(xué)術(shù)權(quán)威分享最前沿技術(shù)動(dòng)態(tài),已發(fā)展成具有業(yè)界影響力的綜合性專業(yè)論壇。
中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA)是半導(dǎo)體照明領(lǐng)域最具規(guī)模、參與度最高、口碑最好的全球性專業(yè)論壇。論壇以促進(jìn)半導(dǎo)體照明技術(shù)和應(yīng)用的國(guó)際交流與合作,引領(lǐng)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向?yàn)榛顒?dòng)宗旨,全面覆蓋行業(yè)工藝裝備、原材料,技術(shù)、產(chǎn)品與應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展,提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺(tái),致力于拓展業(yè)界所關(guān)注的目標(biāo)市場(chǎng),以專業(yè)精神恒久締造企業(yè)的商業(yè)價(jià)值。在過(guò)去的十七年里,SSLCHINA邀請(qǐng)了包括諾貝爾獎(jiǎng)得主在內(nèi)的全球最頂級(jí)專家陣容,呈現(xiàn)了超過(guò)1800個(gè)專業(yè)報(bào)告,累計(jì)參會(huì)代表覆蓋全球70多個(gè)國(guó)家逾26500人次。
國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇與中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇同時(shí)同地舉辦,同臺(tái)匯力,相映生輝,放眼LED+和先進(jìn)電子材料更廣闊的未來(lái)。
論壇長(zhǎng)期與IEEE合作。投稿的錄取論文會(huì)被遴選在IEEE Xplore 電子圖書(shū)館發(fā)表,IEEE是EI檢索系統(tǒng)的合作數(shù)據(jù)庫(kù)。目前,論壇同期論文已開(kāi)啟征集,論壇長(zhǎng)期與IEEE合作。投稿的錄取論文會(huì)被遴選在IEEE Xplore 電子圖書(shū)館發(fā)表,IEEE是EI檢索系統(tǒng)的合作數(shù)據(jù)庫(kù)。
2021先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展(CASTAS 2021)也同時(shí)招展中,歡迎業(yè)界人士的參與其中,對(duì)接資源,洽談商機(jī),共商產(chǎn)業(yè)發(fā)展大計(jì)。
據(jù)了解,目前論壇組織工作正有序開(kāi)展中,以下為會(huì)議最新信息:
論壇信息
會(huì)議時(shí)間:2021年12月6-8日
會(huì)議地點(diǎn):深圳會(huì)展中心(福田區(qū))
會(huì)議住宿:深圳·大中華希爾頓酒店
論壇主題:創(chuàng)芯生態(tài) 碳索未來(lái)
主辦單位
中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)
論文重要期限及提交方式
口頭報(bào)告演示文件(PPT或PDF)與POSTER電子版提交截止日:2021年11月28日
備注:目前已經(jīng)進(jìn)入專家審稿程序,在全文提交截止前仍可繼續(xù)投稿,歡迎大家直接投全文!
IFWS & SSLCHINA 2021會(huì)議日程
備注:總體日程概覽或有微調(diào),以現(xiàn)場(chǎng)為準(zhǔn)。
注冊(cè)費(fèi)用權(quán)益表
備注:
*中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。
*學(xué)生參會(huì)需提交相關(guān)證件。
*會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)報(bào)到注冊(cè)不享受各種優(yōu)惠政策。
*若由于某些原因,您繳費(fèi)后無(wú)法參會(huì),可辦理退款事宜,組委會(huì)將扣除已繳費(fèi)金額的40%作為退款手續(xù)費(fèi)。
*SSL相關(guān)會(huì)議包含:開(kāi)幕大會(huì)、半導(dǎo)體照明與應(yīng)用論壇、Mini/Micro-LED及其他新型顯示論壇、超越照明論壇、固態(tài)紫外器件與應(yīng)用論壇、材料與裝備論壇、車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會(huì)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇、生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)研討會(huì)、閉幕儀式。
*IFWS相關(guān)會(huì)議包含:開(kāi)幕大會(huì)、功率電子器件與應(yīng)用論壇、射頻電子器件與應(yīng)用論壇、材料與裝備論壇、固態(tài)紫外器件與應(yīng)用論壇、車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會(huì)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇、第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)、閉幕儀式。
*產(chǎn)業(yè)峰會(huì)包含:車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會(huì)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇,以及部分論壇中的產(chǎn)業(yè)單元(包括照明設(shè)計(jì)與文旅燈光、智慧照明與智慧城市、汽車照明與車用燈具、紫外器件應(yīng)用、Mini/Micro-LED應(yīng)用與產(chǎn)業(yè)、新一代電源應(yīng)用技術(shù)、能源互聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用技術(shù)等會(huì)議單元)。
*餐飲包含:12月6日午餐、6日歡迎晚宴(大中華希爾頓酒店)、7日午餐+晚餐。
報(bào)名優(yōu)惠期
即日起至2021年12月3日之前,完成注冊(cè)繳費(fèi)即可享受折扣票(詳見(jiàn)上圖),中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。學(xué)生參會(huì)需提交相關(guān)證件。會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)報(bào)到注冊(cè)不享受各種優(yōu)惠政策。
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