近日，由第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國家半導體照明工程研發(fā)及產業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司與半導體產業(yè)網共同承辦的第七屆國際第三代半導體論壇暨第十八屆中國國際半導體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。
硅 (Si) 功率器件因其低成本的批量生產、出色的原材料質量、易于制造和久經考驗的可靠性而在電力電子產品中占據主導地位。盡管 Si 功率器件繼續(xù)取得重大進展，但它們正接近其工作極限，主要是因為它們的帶隙和臨界電場相對較低，導致高傳導和開關損耗，以及較差的高溫性能。
在本次演講中，Victor VELIADIS教授概述碳化硅 (SiC) 的有利材料特性，這些特性可用于實現(xiàn)外形尺寸和冷卻要求更低的高效功率器件。展示高影響力的應用機會，其中 SiC 器件正在取代其現(xiàn)有的 Si 器件。材料和器件制造方面將被強調，重點是那些不是從成熟的硅制造領域繼承下來的工藝，因此是碳化硅特有的。
特別是，演講重點介紹了平面和溝槽 MOSFET 的設計，它們目前被插入到大多數基于 SiC 的電力電子系統(tǒng)中。分析 Fab 模型，并展示充滿活力的美國 SiC 制造基礎設施（反映 Si 的制造基礎設施）。并討論 SiC 大規(guī)模商業(yè)化的障礙。其中包括高于硅器件的成本、可靠性和堅固性問題、降低器件性能的缺陷，以及需要訓練有素的勞動力才能熟練地將 SiC 插入電力電子系統(tǒng)。
最后，并簡要介紹了 PowerAmerica 生態(tài)系統(tǒng)，該生態(tài)系統(tǒng)涵蓋 WBG 供應鏈的各個方面，以及它為其 67 個成員帶來的價值。
（內容根據現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解?。?/span>
特別是，演講重點介紹了平面和溝槽 MOSFET 的設計，它們目前被插入到大多數基于 SiC 的電力電子系統(tǒng)中。分析 Fab 模型，并展示充滿活力的美國 SiC 制造基礎設施（反映 Si 的制造基礎設施）。并討論 SiC 大規(guī)模商業(yè)化的障礙。其中包括高于硅器件的成本、可靠性和堅固性問題、降低器件性能的缺陷，以及需要訓練有素的勞動力才能熟練地將 SiC 插入電力電子系統(tǒng)。
最后，并簡要介紹了 PowerAmerica 生態(tài)系統(tǒng)，該生態(tài)系統(tǒng)涵蓋 WBG 供應鏈的各個方面，以及它為其 67 個成員帶來的價值。
（內容根據現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解?。?/span>
