近日，由第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯盟（CASA）、國家半導體照明工程研發(fā)及產業(yè)聯盟（CSA）聯合主辦，北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司與半導體產業(yè)網共同承辦的第七屆國際第三代半導體論壇暨第十八屆中國國際半導體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。
期間， “IFWS 2021：碳化硅功率器件與封裝應用論壇“成功召開。會議由蕪湖啟迪半導體有限公司、中國電子科技集團公司第四十八研究所、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、德國愛思強股份有限公司協辦支持。
▲復旦大學張園覽
會上，復旦大學張園覽分享了“基于P區(qū)反序摻雜策略的高效碳化硅結勢壘肖特基二極管的研究”主題報告。
報告中介紹，在諸如結勢壘肖特基(JBS)二極管等功率器件應用中，盡可能地降低由導通損耗、開關損耗和關態(tài)損耗組成的總功耗至關重要。為進一步改善器件的綜合性能，該研究了一種新的P區(qū)反序摻雜策略(RPS)在碳化硅結勢壘肖特基二極管的應用，并提出了一個新的優(yōu)值(FOM, VF×IR×QC)來綜合評估4H-SiC JBS二極管表現，基于這種新穎的RPS策略，JBS二極管在室溫下實現了VF (1.58 V @20 A)、IR (0.4 μA @1200 V)和QC (94.3 nC @1200 V,1 MHz)的高效率，定義的FOM指數僅為57.2。
更重要的是，我們制備的碳化硅肖特基二極管即使在175 ℃的工作溫度下也能保持非常高的器件效率，而不會降低所有這些重要特性。
報告提出的P區(qū)反序摻雜策略和FOM優(yōu)值為進一步發(fā)展SiC功率器件提供了一種新型器件結構設計思路和有效的評估方法。
（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解?。?/span>
（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解?。?/span>
