近日，以“創(chuàng)芯生態(tài) 碳索未來”為主題的第七屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會(huì)展中心舉行。本屆論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦。

 

大尺寸、低成本，與現(xiàn)有Si集成電路制備工藝兼容是降低GaN功率電子器件制造成本的有效途徑，Si基GaN向著大尺寸、厚膜化、低缺陷密度方向發(fā)展。期間，“氮化鎵功率器件“專場(chǎng)上，北京大學(xué)物理學(xué)院高級(jí)工程師楊學(xué)林做了題為”Si襯底上GaN基功率電子材料及器件研究“的主題報(bào)告，從Si襯底上GaN厚膜外延生長(zhǎng)，Si襯底上GaN基準(zhǔn)垂直結(jié)構(gòu)功率器件研制，Si襯底上GaN基MEMS器件研制的角度，結(jié)合具體的研究過程與數(shù)據(jù)，分享了研究成果。

 

研究結(jié)果顯示，在Si襯底上實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的GaN連續(xù)厚膜，在Si襯底上實(shí)現(xiàn)高遷移率GaN材料，并實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)垂直結(jié)構(gòu)SBD。在Si襯底上研制成功高性能的GaN基MEMS器件。

 

楊學(xué)林，北京大學(xué)物理學(xué)院高級(jí)工程師，國(guó)家優(yōu)秀青年科學(xué)基金獲得者。先后在吉林大學(xué)和北京大學(xué)獲學(xué)士和博士學(xué)位，東京大學(xué)博士后。近年來在Si襯底上GaN基材料的MOCVD外延生長(zhǎng)、C雜質(zhì)的摻雜調(diào)控、缺陷影響電子器件可靠性的機(jī)理研究等方面取得了多項(xiàng)進(jìn)展。迄今在PRL、AFM、APL等期刊上共發(fā)表SCI論文70多篇，在本領(lǐng)域國(guó)內(nèi)外學(xué)術(shù)會(huì)議上做邀請(qǐng)報(bào)告10多次，申請(qǐng)/授權(quán)國(guó)家發(fā)明專利10多件。

 

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