更高質量和更大直徑的 GaN 襯底對于氮化物（GaN）功率器件的實際應用至關重要。近日，豐田合成官網宣布，他們與大阪大學合作，成功制造出應用于功率半導體的6英寸GaN襯底。 

 

資料顯示，豐田合成參與了日本環(huán)境省牽頭的項目，并與大阪大學合作利用Na-flux方法生產6英寸的高質量GaN 襯底。NaFlux法是將氮氣噴到鈣和鈉的混合溶液中，令氮溶解制成GaN結晶。

 

豐田合成表示，6英寸功率半導體氮化鎵襯底的研發(fā)得益于早期LED氮化鎵襯底技術的積累。

根據(jù)文獻，豐田合成為了開發(fā)6英寸氮化鎵單晶，采用了鈉助溶劑和MVPE兩種方法。鈉助溶劑法是為了生長高質量籽晶，而MVPE是為了生長氮化鎵單晶。

 

豐田合成先使用鈉助溶劑法在藍寶石襯底上生長了多籽晶襯底（MPS）。據(jù)介紹，他們已制造出直徑8 英寸的MPS襯底，正在開發(fā)10英寸級大直徑MPS襯底。

 

據(jù)介紹，2021年10月，他們已經成立了一家風險投資公司“teamGaN”，使用這項GaN襯底制造技術，為功率器件開發(fā)提供 GaN 襯底。