半導體產業(yè)網獲悉：據鉅亨網消息，隨著電動車市場持續(xù)成長，帶動第三代半導體碳化硅 (SiC) 等高階功率半導體需求，但目前產業(yè)供給仍在爬坡階段，業(yè)者預期，在 IDM 廠陸續(xù)將 6 吋硅晶圓相關產線轉至 SiC 下，加上許多大廠擴產陸續(xù)到位，明年中旬 SiC 供應可望顯著增加。
據資策會 MIC 預估，今年全球電動車規(guī)?？傻?922.1 萬輛，年增逾 48%，但關鍵第三代半導體碳化硅與氮化鎵 (GaN) 供應持續(xù)吃緊，交期42 周以上。隨著電動車帶動 SiC 功率半導體元件與模塊需求，預估 2025 年，全球 20% 電動車將導入 SiC 功率元件與模塊。
碳化硅產業(yè)目前由 IDM 廠獨霸一方，其中美國的 Wolfspeed 居領導地位，在 SiC 基板、磊晶等材料及晶圓制造領域，市占率均超過 6 成，日本有羅姆半導體、歐洲則有意法半導體與英飛凌；且從上游材料長晶到加工制程等設備，IDM 廠均是自行開發(fā)，跨足設備制造、基板及磊晶、設計與晶圓制造等產業(yè)鏈各環(huán)節(jié)。
由于碳化硅基板不僅占功率元件成本比重高，且為關乎產品質量的最大關鍵，以 SiC MOSFET 元件來說，光是 SiC 晶圓本身，就已決定 60% 的 SiC MOSFET 元件成敗，長晶也因此成為攸關廠商產品競爭力的關鍵制程環(huán)節(jié)。
為加速推進碳化硅業(yè)務發(fā)展，環(huán)球晶 (6488-TW) 也宣布將自行研發(fā)碳化硅長晶爐，研發(fā) 6 吋及 8 吋共享長晶爐，目前已有原型機臺，預估仍須 2 年時間開發(fā)，屆時可望加速推進碳化硅晶圓生產動能。
由于近來 6 吋以下晶圓需求較弱，許多 IDM 廠相繼將硅基半導體相關產能，轉至 6 吋碳化硅，加上 Wolfspeed、羅姆半導體、意法半導體等大廠積極擴產，隨著相關產能陸續(xù)到位，明年中旬后，碳化硅市場供給可望增加許多。（來源：鉅亨網）
