專利摘要顯示，本申請實(shí)施例屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種半導(dǎo)體光刻補(bǔ)償方法，包括：通過機(jī)臺組合對晶圓進(jìn)行光刻，機(jī)臺組合至少包括第一機(jī)臺和第二機(jī)臺；通過第一機(jī)臺進(jìn)行光刻得到第一曝光結(jié)構(gòu)；獲取第一曝光結(jié)構(gòu)的套刻誤差的第一測量值；根據(jù)第一測量值對第二機(jī)臺的初始下貨值進(jìn)行補(bǔ)償。在進(jìn)行半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作過程中，可以通過測量第一機(jī)臺加工形成的第一曝光結(jié)構(gòu)的套刻誤差，將第一測量值對第二機(jī)臺的初始下貨值進(jìn)行補(bǔ)償，以便得到第二機(jī)臺的最優(yōu)下貨值，后續(xù)第二機(jī)臺進(jìn)行光刻時，第二機(jī)臺根據(jù)其最優(yōu)下貨值進(jìn)行光刻加工，有利于保證后續(xù)第二機(jī)臺加工形成的曝光結(jié)構(gòu)的套刻誤差準(zhǔn)確性，從而減少重工次數(shù)。