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華為光領(lǐng)域Fellow肖新華:光通信發(fā)展中面臨的器件需求和挑戰(zhàn)

日期:2023-04-21 閱讀:887
核心提示:4月20日,首屆中國光谷九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大會(huì)開幕。論壇在湖北省和武漢市政府支持下,由武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)管理委

 4月20日,首屆中國光谷九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大會(huì)開幕。論壇在湖北省和武漢市政府支持下,由武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)管理委員會(huì)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)、九峰山實(shí)驗(yàn)室、光谷集成電路創(chuàng)新平臺(tái)聯(lián)盟共同主辦。

肖新華

開幕大會(huì)上,華為光領(lǐng)域Fellow肖新華做了“光通信發(fā)展中面臨的器件需求和挑戰(zhàn)”的主題報(bào)告。當(dāng)前光通信發(fā)展中關(guān)鍵的光電器件需求涉及諸多方向,報(bào)告分享了長途光、短距光、算力光、ROF光,光交叉等多個(gè)方向的最新技術(shù)研究進(jìn)展。

報(bào)告指出,長途相干預(yù)計(jì)將向單波800G/1.6T演進(jìn),推動(dòng)200GB+高帶寬器件發(fā)展,其中LH 800G中,當(dāng)前InP和TFLN材料平臺(tái)綜合性能優(yōu)異,均可滿足200GB。LH 1.6T需挑戰(zhàn)300GB+調(diào)制器,以及新型襯底TFLN和2.5D光電封裝技術(shù),薄膜鈮酸鋰持續(xù)摸高,也需要探索新型低介電襯底材料提升芯片高頻響應(yīng),基于垂直電互連2.5D先進(jìn)封裝架構(gòu)提升器件帶寬。

數(shù)據(jù)中心是重要的場景,數(shù)據(jù)中心涉及800GE和1.6TE短距光互連,2~10km直檢和相干方案并存。其中800GE面臨單通道200G、Linear架構(gòu)、10km色散和鏈路預(yù)算等挑戰(zhàn)。1.6T極簡相干中算法補(bǔ)償器件要求,低功耗光電器件是關(guān)鍵。工藝的角度,規(guī)?;慨a(chǎn)需要攻克大尺寸晶圓和高速/高密封裝。報(bào)告中肖新華表示,8寸及以上鈮酸鋰晶體和晶圓,支撐8寸及以上晶圓開發(fā),鈮酸鋰薄膜厚度均勻性±10nm,缺陷數(shù)量<100, 電光系數(shù)31pm/V,光電合封,也在探索兼顧射頻傳輸、光引出、大尺寸的玻璃基潛在方案。

算力網(wǎng)絡(luò)方向,AI算力單元需高密扇出、超低功耗/時(shí)延光I/O互聯(lián),消除通信墻。業(yè)界有潛在的pJ級(jí)Small光I/O互聯(lián)技術(shù)的研究方向。

光RoF預(yù)計(jì)將是支撐未來無線和WiFi前端低功耗的重要技術(shù),通過RoF模擬前傳光網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)高速信號(hào)傳輸,降低海量頭端能耗與成本,前傳網(wǎng)絡(luò)對系統(tǒng)動(dòng)態(tài)范圍提出更高要求,亟需新材料、新工藝與新器件拉升前傳系統(tǒng)性能,實(shí)現(xiàn)大帶寬大動(dòng)態(tài)范圍前傳網(wǎng)絡(luò)。

未來光通信,光傳感、光顯示將涉及星際光、激光雷達(dá)、超長距光纖傳感、AR HUD虛實(shí)結(jié)合等方向延伸。

 

 

 

 

 

報(bào)告指出,長途相干預(yù)計(jì)將向單波800G/1.6T演進(jìn),推動(dòng)200GB+高帶寬器件發(fā)展。光RoF預(yù)計(jì)將是支撐未來無線和WiFi前瞻低功耗的重要技術(shù)。未來光通信,光傳感、光顯示將涉及星際光、激光雷達(dá)、超長距光纖傳感、AR HUD虛實(shí)結(jié)合等方向延伸。

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