以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料已逐漸在5G通信、汽車電子、快速充電等方面得到大量應(yīng)用。與此同時(shí)，以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼、石墨烯等為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料與其他先進(jìn)電子材料具有更高的禁帶寬度、熱導(dǎo)率以及材料穩(wěn)定性，具有顯著的優(yōu)勢(shì)和巨大的發(fā)展?jié)摿?，也越?lái)越得到國(guó)內(nèi)外的重視。
2023年5月5-7日，“2023碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及其他新型半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展論壇”在長(zhǎng)沙召開(kāi)。論壇在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導(dǎo)下，由極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)與中國(guó)電子科技集團(tuán)第四十八研究所等單位聯(lián)合組織。論壇圍繞“碳化硅襯底、外延及器件相關(guān)裝備產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展”、“關(guān)鍵零部件及制造工藝創(chuàng)新突破”、“產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同創(chuàng)新”、“氮化鎵與氧化鎵等其他新型半導(dǎo)體”，邀請(qǐng)產(chǎn)業(yè)鏈上下游的企業(yè)及高校科研院所代表深入研討，攜手促進(jìn)國(guó)內(nèi)碳化硅及其他半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
期間，“平行論壇2：氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導(dǎo)體”如期召開(kāi)。分會(huì)上，中南大學(xué)教授汪煉成，中科院半導(dǎo)體研究所研究員陳雄斌，南京大學(xué)教授王科，湖南爍科晶磊半導(dǎo)體科技有限公司科技部部長(zhǎng)陳峰武，河北工業(yè)大學(xué)教授張紫輝，哈爾濱工業(yè)大學(xué)教授王琮，中電科第五十五研究所副主任設(shè)計(jì)師彭大青，湖南大學(xué)半導(dǎo)體學(xué)院（集成電路學(xué)院）助理教授李陽(yáng)鋒，中國(guó)科學(xué)院上海光機(jī)所研究員夏長(zhǎng)泰，廈門大學(xué)化學(xué)與化工學(xué)院教授張洪良，西安交通大學(xué)副教授李強(qiáng)，山東大學(xué)胡秀飛博士，山東大學(xué)新一代材料研究院副教授穆文祥，中南大學(xué)物理電子學(xué)院副教授袁小明，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院趙曉龍，中國(guó)電子科技集團(tuán)第四十六所高級(jí)工程師張勝男，湖南大學(xué)新一代半導(dǎo)體研究院副教授胡偉等嘉賓帶來(lái)精彩報(bào)告，深入探討氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導(dǎo)體的研究進(jìn)展。南京大學(xué)教授謝自力，廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院副院長(zhǎng)張保平，中南大學(xué)教授劉艷平，中南大學(xué)教授汪煉成共同主持本論壇。
南京大學(xué)教授謝自力
廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院副院長(zhǎng)張保平
中南大學(xué)教授劉艷平
中南大學(xué)教授汪煉成
原位集成亞波長(zhǎng)光學(xué)結(jié)構(gòu)micro-LEDs器件研究
中科院半導(dǎo)體研究所研究員陳雄斌
氮化鎵基光通信技術(shù)及應(yīng)用
南京大學(xué)教授王科
氮化物半導(dǎo)體數(shù)字混晶與極化誘導(dǎo)二維空穴氣
湖南爍科晶磊半導(dǎo)體科技有限公司科技部部長(zhǎng)陳峰武
分子束外延設(shè)備國(guó)產(chǎn)化進(jìn)展及展望
河北工業(yè)大學(xué)教授張紫輝
GaN功率電子器件的物理建模與制備研究
哈爾濱工業(yè)大學(xué)教授王琮
GaN基寬帶高效功率放大器的進(jìn)展與展望
中電科第五十五研究所副主任設(shè)計(jì)師彭大青
微波氮化鎵外延材料研究進(jìn)展
湖南大學(xué)半導(dǎo)體學(xué)院（集成電路學(xué)院）助理教授李陽(yáng)鋒
原位AlGaN插入層降低InGaN LED漏電流
中國(guó)科學(xué)院上海光機(jī)所研究員夏長(zhǎng)泰
下一代半導(dǎo)體——氧化鎵之管見(jiàn)
廈門大學(xué)化學(xué)與化工學(xué)院教授張洪良
氧化鎵薄膜外延及電子結(jié)構(gòu)研究
西安交通大學(xué)副教授李強(qiáng)
基于LPCVD生長(zhǎng)六方氮化硼薄膜的特性及應(yīng)用研究
山東大學(xué)胡秀飛博士
金剛石材料制備和應(yīng)用研究
山東大學(xué)新一代材料研究院副教授穆文祥
氧化鎵單晶生長(zhǎng)及缺陷研究
中南大學(xué)物理電子學(xué)院副教授袁小明
III-V族化合物納米半導(dǎo)體陣列的選區(qū)外研生長(zhǎng)及探測(cè)應(yīng)用
中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院趙曉龍
氧化鎵光電探測(cè)器研究進(jìn)展
中國(guó)電子科技集團(tuán)第四十六所高級(jí)工程師張勝男
氧化鎵材料研究進(jìn)展及發(fā)展思考
湖南大學(xué)新一代半導(dǎo)體研究院副教授胡偉
氧化鎵的可控?fù)诫s與性能調(diào)控
