隨著電力電子應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴(kuò)大和需求的增長(zhǎng)，絕緣柵雙極型晶體管（簡(jiǎn)稱(chēng)IGBT）作為功率電子器件的核心之一，是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，被業(yè)界譽(yù)為電力電子行業(yè)中的“CPU”，在能源轉(zhuǎn)換、工業(yè)控制、交通運(yùn)輸、可再生能源等領(lǐng)域中得到了廣泛應(yīng)用，發(fā)展越發(fā)受到關(guān)注。隨著本土IGBT產(chǎn)品性能已經(jīng)逐漸成熟，且部分產(chǎn)品性能可對(duì)標(biāo)海外IGBT大廠(chǎng)產(chǎn)品，加速?lài)?guó)產(chǎn)化IGBT產(chǎn)品市場(chǎng)滲透，逐步切入高端市場(chǎng)。
為推動(dòng)IGBT及第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)與應(yīng)用，由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)電子信息行業(yè)分會(huì)、勵(lì)展博覽集團(tuán)聯(lián)合主辦，2023先進(jìn)IGBT及第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)與應(yīng)用論壇將于7月20日-21日在NEPCON China 2023 電子展(第三十一屆國(guó)際電子生產(chǎn)設(shè)備暨微電子工業(yè)展覽會(huì))期間，在上海世博展覽館舉辦。
復(fù)旦大學(xué)研究員雷光寅受邀將出席論壇，并帶來(lái)《碳化硅功率器件現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)》的主題報(bào)告。報(bào)告將簡(jiǎn)要介紹碳化硅功率半導(dǎo)體的發(fā)展歷程，包括器件結(jié)構(gòu)和關(guān)鍵參數(shù)在過(guò)去二十年的演進(jìn)過(guò)程。報(bào)告也將對(duì)國(guó)內(nèi)先進(jìn)水品進(jìn)行簡(jiǎn)要的介紹。
欲知詳細(xì)最新研究進(jìn)展與數(shù)據(jù)成果，敬請(qǐng)關(guān)注論壇，也歡迎相關(guān)領(lǐng)域?qū)＜?、學(xué)者、行業(yè)企事業(yè)單位參會(huì)交流，共商合作事宜。
雷光寅博士，復(fù)旦大學(xué)研究員、復(fù)旦大學(xué)寧波研究院寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究所副所長(zhǎng)、清純半導(dǎo)體（寧波）有限公司首席科學(xué)家。2010年至2018年于美國(guó)福特汽車(chē)公司任研發(fā)工程師，負(fù)責(zé)混動(dòng)汽車(chē)電機(jī)控制器硬件開(kāi)發(fā)；2018年至2020年于上海蔚來(lái)汽車(chē)有限公司任電動(dòng)力工程技術(shù)專(zhuān)家，負(fù)責(zé)基于碳化硅功率半導(dǎo)體的新能源汽車(chē)電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)前瞻項(xiàng)目。長(zhǎng)期從事功率半導(dǎo)體模塊封裝及新能源汽車(chē)電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)開(kāi)發(fā)，研究領(lǐng)域集中在新型封裝材料開(kāi)發(fā)；功率模塊封裝設(shè)計(jì)、工藝開(kāi)發(fā)、可靠性及失效分析；混動(dòng)及純電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)開(kāi)發(fā)等。發(fā)表高水平學(xué)術(shù)期刊論文30余篇，其中高引數(shù)量17篇；作為第一或合作發(fā)明人，至今共取得超過(guò)40項(xiàng)美國(guó)及中國(guó)發(fā)明專(zhuān)利。研究成果曾獲得有著科技界“奧斯卡”獎(jiǎng)之稱(chēng)的美國(guó)科學(xué)技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)（R&D 100，2007年度）和2021年中國(guó)國(guó)際高新技術(shù)成果交易會(huì)優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)等獎(jiǎng)項(xiàng)。
論壇信息
時(shí)間：7月20日-21日
地點(diǎn)：上海世博展覽館·NEPCON論壇區(qū)
主辦單位：
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)電子信息行業(yè)分會(huì)
勵(lì)展博覽集團(tuán)
承辦單位：
北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
報(bào)告議題（擬）：
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國(guó)產(chǎn)IGBT技術(shù)進(jìn)展及市場(chǎng)現(xiàn)狀 |
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碳化硅肖特基二級(jí)管技術(shù) |
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IGBT模塊封裝技術(shù) |
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助力集成商打造半導(dǎo)體行業(yè)智能物流解決方案 |
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高壓功率器件封裝絕緣問(wèn)題及面臨的調(diào)整 |
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單雙面銀燒結(jié)技術(shù)在功率模塊封裝中的應(yīng)用 |
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第三代半導(dǎo)體功率器件封裝技術(shù)現(xiàn)狀及挑戰(zhàn) |
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IGBT的真空焊接技術(shù) |
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超高壓碳化硅功率器件 |
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碳化硅離子注入技術(shù) |
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第三代半導(dǎo)體功率器件可靠性測(cè)試方法和實(shí)現(xiàn) |
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IGBT芯片設(shè)計(jì) |
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車(chē)規(guī)級(jí)IGBT 與 碳化硅IGBT 技術(shù)趨勢(shì) |
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基于SiC功率芯片的高功率密度電驅(qū)系統(tǒng) |
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SiC功率器件先進(jìn)封裝材料及可靠性?xún)?yōu)化設(shè)計(jì) |
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車(chē)規(guī)級(jí)氮化鎵功率器件技術(shù) |
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用于功率器的關(guān)鍵設(shè)備技術(shù)/等離子去膠設(shè)備技術(shù) |
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IGBT模塊散熱及可靠性研究 |
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碳化硅芯片設(shè)計(jì) |
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