近日，“2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產業(yè)網（m.jycsgw.cn）、第三代半導體產業(yè)主辦，西安電子科技大學、中國科學院半導體研究所、第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟人才發(fā)展委員會、全國半導體應用產教融合（東莞）職業(yè)教育集團聯(lián)合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協(xié)辦。

期間，“平行論壇1：功率半導體器件設計及集成應用”上，西安電子科技大學 微電子學院副教授孫汝軍帶來了”氧化鎵的電子態(tài)缺陷研究”的主題報告，寬帶隙和超寬帶隙半導體的二極管和晶體管可以在關斷狀態(tài)下在小距離上保持大電壓，而能摻雜材料的能力降低了導通狀態(tài)下的電阻率。具有4.8 eV帶隙的單斜晶系β-Ga2O3能制備出大尺寸單晶形式，是高壓電力電子器件有前途的候選者。報告指出實現(xiàn) β-Ga2O3應用的關鍵是了解和控制點缺陷和摻雜，并分享了雜質缺陷對載流子的影響以及界面處缺陷的研究發(fā)現(xiàn)和成果。其中研究發(fā)現(xiàn)晶體各向異性、共振能級轉移和聲子輔助隧穿改變了這些載流子與缺陷相互作用。

報告揭示了Cr,Fe通過共振能量轉移增強紅色發(fā)光峰的機制。闡明了場強協(xié)助隧穿使名義電子陷阱勢壘變低的原理，發(fā)現(xiàn)了氧氣氛退火增加鎵空位濃度且在面內和深度具有各向異性的規(guī)律。揭示了遠端等離子體暴露引入易移動帶電缺陷的規(guī)律，闡明了二極管開態(tài)時自熱效應使Ni電極擴散、氧化的失效機理。

CASICON 系列活動簡介

 “先進半導體產業(yè)大會（CASICON）” 由【極智半導體產業(yè)網】主辦，每年在全國巡回舉辦的行業(yè)綜合活動?；顒泳劢瓜冗M半導體產業(yè)發(fā)展熱點，聚合產業(yè)相關各方訴求，通過“主題會議+項目路演+展覽”的形式，促進參與各方交流合作，積極推動產業(yè)發(fā)展。CASICON 系列活動將以助力第三代半導體產業(yè)為己任，聯(lián)合實力資源，持續(xù)輸出高質量的活動內容，搭建更好的交流平臺，為產業(yè)發(fā)展貢獻應盡的力量。

（備注：以上信息僅根據現(xiàn)場整理未經嘉賓本人確認，僅供參考?。?/p>