氧化鎵（Ga₂O₃）半導(dǎo)體具有4.85 eV的超寬帶隙、高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)、可低成本制作大尺寸襯底等突出優(yōu)點(diǎn)。有望實(shí)現(xiàn)更高耐壓、更低損耗、更高效率?？梢酝ㄟ^(guò)熔融法制備低成本、大尺寸單晶襯底。氧化鎵半導(dǎo)體在大功率器件、日盲紫外光電探測(cè)應(yīng)用方面受到極大關(guān)注。

近期，在西安召開(kāi)的“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”上，廈門大學(xué)教授張洪良帶來(lái)了”寬禁帶氧化鎵薄膜外延及電子結(jié)構(gòu)研究”的主題報(bào)告，報(bào)告介紹了氧化鎵材料發(fā)展現(xiàn)狀，并重點(diǎn)介紹了其課題組在氧化鎵薄膜外延、摻雜與缺陷機(jī)制以及表界面電子結(jié)構(gòu)等方面的研究進(jìn)展。

當(dāng)前，鑒于廣闊的發(fā)展前景，氧化鎵材料和器件已成為世界科技前沿和國(guó)家戰(zhàn)略競(jìng)爭(zhēng)要地。比如日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省(METI) 近五年投資超過(guò)1億美元，支持氧化鎵半導(dǎo)體材料開(kāi)發(fā)。美國(guó)國(guó)防部/空軍實(shí)驗(yàn)室聯(lián)合Cornell/UCSB和企業(yè)在2012年建立了氧化鎵材料與器件研究部門。德國(guó)萊布尼茨晶體生長(zhǎng)研究所（IKZ）2009年開(kāi)始研發(fā)Ga₂O₃ 晶體，實(shí)現(xiàn)4英寸的晶體，為美國(guó)空軍實(shí)驗(yàn)室供應(yīng)外延基片。

從氧化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)看，單晶襯底和外延薄膜是功率和光電器件的關(guān)鍵材料基礎(chǔ)，其品質(zhì)直接決定器件性能。高品質(zhì)氧化鎵外延薄膜以及缺陷與摻雜調(diào)控是器件應(yīng)用的關(guān)鍵。目前國(guó)外已實(shí)現(xiàn)導(dǎo)模法4英寸單晶初步量產(chǎn)，6英寸晶坯的突破。國(guó)內(nèi)已逐步實(shí)現(xiàn)4英寸晶體。氧化鎵薄膜外延進(jìn)展方面，采用MOCVD、MBE、HVPE等技術(shù)外延生長(zhǎng)氧化鎵薄膜。通過(guò)Si、Sn等摻雜實(shí)現(xiàn)載流子濃度從10¹⁵到10²⁰ cm-3范圍的調(diào)控。對(duì)于氧化鎵薄膜外延存在的問(wèn)題，報(bào)告認(rèn)為大部分外延研究工作集中在（010）面襯底；然而(100), (001) 面更容易獲得大尺寸襯底，但缺陷，位錯(cuò)密度高，生長(zhǎng)速度慢。需進(jìn)一步發(fā)展低背景載流子濃度、低缺陷密度的外延薄膜等。

報(bào)告介紹了設(shè)備與表征技術(shù)，以及Si、Sn摻雜氧化鎵電子結(jié)構(gòu)研究成果，研究利用脈沖激光沉積和分子束外延技術(shù)分別通過(guò)Si和Sn摻雜實(shí)現(xiàn)了氧化鎵外延薄膜載流子從3×10¹⁷ cm^-3到  2.6×10²⁰ cm^-3的大范圍調(diào)控。其中，1% Si摻雜的Ga₂O₃薄膜實(shí)現(xiàn)了目前文獻(xiàn)報(bào)道的最高導(dǎo)電率 2520 S/cm和最高載流子濃度 2.6×10²⁰ cm^-3。結(jié)合同步輻射硬X射線光電子能譜（HAXPES）和密度泛函理論（DFT）計(jì)算，闡明了Si是氧化鎵最優(yōu)選的n型摻雜劑，并提出Si共振摻雜機(jī)制的理論模型。明晰缺陷與摻雜機(jī)制，極少量雜質(zhì)/缺陷的抑制策略。

另一方面，課題組也對(duì)氧化鎵薄膜的表界面電子結(jié)構(gòu)進(jìn)行系統(tǒng)研究，發(fā)現(xiàn)氧化鎵表面存在高達(dá)0.8 eV的向上能帶彎曲，其內(nèi)在原因是Ga 4s軌道構(gòu)成的導(dǎo)帶底部能量較高和氧化鎵較低的功函數(shù)（僅為3.2 eV）。向上的能帶彎曲給Ga₂O₃歐姆接觸帶來(lái)挑戰(zhàn)。Si重?fù)诫s的氧化鎵薄膜能有效緩解肖特基勢(shì)壘的形成。

研究在氧化鎵薄膜外延、缺陷與摻雜機(jī)制和表界面電子結(jié)構(gòu)的研究結(jié)果為氧化鎵材料和光電子器件的開(kāi)發(fā)具有一定的指導(dǎo)意義。

論壇相關(guān)信息

本次CASICON系列活動(dòng)之“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇（西安站）”由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（m.jycsgw.cn）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦，西安電子科技大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟人才發(fā)展委員會(huì)、全國(guó)半導(dǎo)體應(yīng)用產(chǎn)教融合（東莞）職業(yè)教育集團(tuán)聯(lián)合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協(xié)辦。

CASICON 系列活動(dòng)簡(jiǎn)介

 “先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大會(huì)（CASICON）”由【極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)】主辦，每年在全國(guó)巡回舉辦的行業(yè)綜合活動(dòng)?；顒?dòng)聚焦先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展熱點(diǎn)，聚合產(chǎn)業(yè)相關(guān)各方訴求，通過(guò)“主題會(huì)議+項(xiàng)目路演+展覽”的形式，促進(jìn)參與各方交流合作，積極推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。CASICON 系列活動(dòng)將以助力第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為己任，聯(lián)合實(shí)力資源，持續(xù)輸出高質(zhì)量的活動(dòng)內(nèi)容，搭建更好的交流平臺(tái)，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展貢獻(xiàn)應(yīng)盡的力量。

（備注：以上信息僅根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)整理未經(jīng)嘉賓本人確認(rèn)，僅供參考?。?/p>