截至2023年8月，英諾賽科氮化鎵芯片出貨量成功突破3億顆！
產(chǎn)品在消費(fèi)類（快充、手機(jī)、LED），汽車激光雷達(dá)，數(shù)據(jù)中心，新能源與儲(chǔ)能領(lǐng)域的多個(gè)應(yīng)用中大批量交付，幫助客戶實(shí)現(xiàn)小體積、高能效、低損耗的產(chǎn)品設(shè)計(jì)。
據(jù)TrendForce集邦咨詢《2023 GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析報(bào)告》顯示，全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長(zhǎng)到2026年的13.3億美金，復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)65%。
得益于市場(chǎng)應(yīng)用范圍的擴(kuò)大和八英寸硅基氮化鎵技術(shù)的成熟，英諾賽科2023年上半年銷售額比去年同期增長(zhǎng)500%，累計(jì)出貨量成功突破3億顆！
01從第一款產(chǎn)品誕生到多形態(tài)產(chǎn)品衍生
2017年11月 英諾賽科開(kāi)啟全球首條 8 英寸硅基氮化鎵量產(chǎn)線，采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，成功研制 8 英寸硅基氮化鎵晶圓。 2018年5月 英諾賽科第一款低壓氮化鎵功率器件上市。 2019年6月 英諾賽科650V 高壓氮化鎵器件通過(guò)JEDEC。自此，英諾賽科成為全球唯一一家同時(shí)量產(chǎn)高壓和低壓氮化鎵的半導(dǎo)體公司。 2021年3月 英諾賽科雙向?qū)ㄐ酒?nbsp;V-GaN 正式量產(chǎn)，是全球唯一一款可應(yīng)用于高壓側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)，智能手機(jī) USB /無(wú)線充電端口內(nèi)置 OVP 保護(hù)，多電源系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)電路等場(chǎng)景的GaN芯片。 2022年11月 英諾賽科 INN100W032A 榮獲IIC全球電子成就獎(jiǎng)，該產(chǎn)品柵極電荷僅為 Si MOS 的20%，Ciss僅為 Si MOS 的 40%，可廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、Class D、數(shù)據(jù)中心、motor driver、通信基站等產(chǎn)品領(lǐng)域。 2023年1月 英諾賽科推出100V高集成半橋驅(qū)動(dòng)合封芯片SolidGaN- ISG3201，進(jìn)一步提升數(shù)據(jù)中心模塊電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、D類功率放大器、光伏逆變器及輕混電動(dòng)汽車等48V電源系統(tǒng)的整體性能。 截至2023年8月，英諾賽科成功量產(chǎn)高壓氮化鎵芯片（650V-700V）54 款，中低壓氮化鎵芯片（30V-150V）20 款，產(chǎn)品涵蓋晶圓、分立器件、合封芯片三大品類。 02從手機(jī)快充到多領(lǐng)域應(yīng)用 逐一突破 2019年 英諾賽科650V 器件正式進(jìn)入快充市場(chǎng)。隨后得到華碩、安克、努比亞、倍思、綠聯(lián)、閃極等多個(gè)終端品牌采用，應(yīng)用于30W-120W氮化鎵快充產(chǎn)品。 2020年 英諾賽科100V 低壓GaN 成功導(dǎo)入禾賽激光雷達(dá)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，驅(qū)動(dòng)激光器實(shí)現(xiàn)更短時(shí)間內(nèi)的圖像傳輸。 2021年3月 騰訊×努比亞紅魔手機(jī)6Pro發(fā)布，其標(biāo)配的業(yè)界首款120W黑魔方氮化鎵快充內(nèi)置英諾賽科650V芯片。隨著Oppo、Vivo、聯(lián)想等廠商的相繼采用，手機(jī)標(biāo)配氮化鎵快充成為行業(yè)趨勢(shì)。 2021年10月 英諾賽科自主研發(fā)的雙向?qū)óa(chǎn)品 VGaN 率先導(dǎo)入 OPPO 手機(jī)，成為全球首款導(dǎo)入智能手機(jī)內(nèi)部電源開(kāi)關(guān)領(lǐng)域的氮化鎵芯片。Realme、一加、聯(lián)想、摩托羅拉等手機(jī)也相繼采用VGaN實(shí)現(xiàn)充電保護(hù)，氮化鎵在消費(fèi)類電子開(kāi)拓了新應(yīng)用空間。 2022年5月 首諾信的發(fā)布全球最小的45W/65W PD 車充，采用英諾賽科40V低壓產(chǎn)品INN040FQ043A。 2022年7月 安克聯(lián)合英諾賽科共同發(fā)布全球首款65W全氮化鎵快充，獨(dú)創(chuàng)的全氮化鎵技術(shù)首次在AC和DC端同時(shí)采用氮化鎵功率芯片，使系統(tǒng)功率密度和效率達(dá)到了全新高度。 2022年10月 英諾賽科氮化鎵首次在工業(yè)電源產(chǎn)品上實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)，全面提升能源轉(zhuǎn)換效率，降低系統(tǒng)能耗。 2023年4月 英諾賽科低壓產(chǎn)品從工業(yè)級(jí)應(yīng)用進(jìn)軍到車規(guī)級(jí)應(yīng)用，成功進(jìn)入汽車激光雷達(dá)市場(chǎng)。 2023年7月 英諾賽科開(kāi)始將氮化鎵應(yīng)用于新能源光伏發(fā)電領(lǐng)域，進(jìn)一步縮小了模塊體積，提高系統(tǒng)效率，與合作伙伴共同打造輕便、高效的光伏產(chǎn)品。 氮化鎵功率器件的應(yīng)用主要由消費(fèi)電子所驅(qū)動(dòng)，因其具備小體積、高頻高效的優(yōu)勢(shì)，能夠滿足消費(fèi)電子市場(chǎng)對(duì)電源產(chǎn)品小型化、快速化及低發(fā)熱的強(qiáng)烈需求。在快充市場(chǎng)的帶動(dòng)下，手機(jī)標(biāo)配快充、手機(jī)內(nèi)部充電保護(hù)也逐一采用氮化鎵，并在市場(chǎng)上得到良好反饋。由此，消費(fèi)領(lǐng)域?qū)Φ壍男枨笕驿侀_(kāi)。而這也僅僅是氮化鎵走向市場(chǎng)的開(kāi)端。 受日益嚴(yán)峻的能源危機(jī)和綠色低碳發(fā)展趨勢(shì)的影響，各國(guó)紛紛出臺(tái)減碳政策，工業(yè)市場(chǎng)（新能源、數(shù)據(jù)中心）對(duì)高效、節(jié)能產(chǎn)品的需求大增，氮化鎵無(wú)疑是工業(yè)領(lǐng)域降本增效的關(guān)鍵。 而隨著汽車電氣化的持續(xù)推進(jìn)，汽車電子成為各半導(dǎo)體廠商紛紛布局的市場(chǎng)。英諾賽科在2021年通過(guò)IATF 16949車規(guī)級(jí)認(rèn)證，采用英諾賽科氮化鎵的激光雷達(dá)產(chǎn)品已率先應(yīng)用于自動(dòng)駕駛汽車。據(jù)行業(yè)預(yù)測(cè)，2025年氮化鎵將滲透到低功率OBC和 DC-DC，2023年或?qū)⑦M(jìn)入牽引逆變器中。 氮化鎵應(yīng)用已經(jīng)步入快車道，隨著市場(chǎng)需求的急劇增長(zhǎng)，器件的可靠性與大批量穩(wěn)定供貨成為關(guān)鍵。基于先進(jìn)且完善的8英寸硅基氮化鎵研發(fā)和制造平臺(tái)，英諾賽科當(dāng)前產(chǎn)能已達(dá)到每月15000片，在規(guī)?；?、可靠性與成本上具備極大優(yōu)勢(shì)，IDM模式也能快速實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的更新迭代，或?qū)⒊蔀橥苿?dòng)行業(yè)發(fā)展的中堅(jiān)力量。
來(lái)源：英諾賽科
