硅基化合物功率器件的設(shè)計(jì)與集成應(yīng)用是電力電子領(lǐng)域的重要研究方向之一。在高功率、高頻率和高溫環(huán)境下，具有較高的效率和性能等優(yōu)勢(shì)。 

4月27-28日，“2024功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2024）”在成都召開。本次會(huì)議在電子科技大學(xué)和第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導(dǎo)下，由電子薄膜與集成器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、電子科技大學(xué)集成電路研究中心、成都信息工程大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、中國(guó)電源學(xué)會(huì)元器件專業(yè)委員會(huì)共同主辦。會(huì)議除開幕大會(huì)，還設(shè)置了兩大平行論壇。其中“硅基、化合物功率器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用”平行論壇上，實(shí)力派嘉賓代表們深入研討，分享相關(guān)技術(shù)最新研究成果，探討發(fā)展趨勢(shì)與前沿，觀點(diǎn)交互，碰撞激發(fā)新的思路，共同促進(jìn)產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展。電子科技大學(xué)教授周琦，西安電子科技大學(xué)教授周弘，氮矽半導(dǎo)體總經(jīng)理羅鵬，萊普科技副總經(jīng)理潘嶺峰，重慶郵電大學(xué)教授黃義，電子科技大學(xué)教授明鑫共同主持了該分論壇。

海思半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體器件部技術(shù)專家包琦龍

《ICT場(chǎng)景下中低壓(<200V) GaN器件應(yīng)用挑戰(zhàn)》

在ICT領(lǐng)域，中低壓 GaN 器件可應(yīng)用于光伏優(yōu)化器，二次電源，三次電源等應(yīng)用場(chǎng)景。相較于Si MOS器件，可獲得更小的開關(guān)損耗和驅(qū)動(dòng)損耗以及高頻開關(guān)速度。但截止目前，中低壓GaN依然未在市場(chǎng)上大批量應(yīng)用，針對(duì)器件FOM優(yōu)值的提升、可靠性的研究、封裝的改進(jìn)、應(yīng)用風(fēng)險(xiǎn)的指導(dǎo)仍存在提升空間。海思半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體器件部技術(shù)專家包琦龍做了“ ICT場(chǎng)景下中低壓(<200V) GaN器件應(yīng)用挑戰(zhàn)”的主題報(bào)告，從器件性能、可靠性、應(yīng)用等角度展開探討，總結(jié)中低壓GaN器件當(dāng)前的應(yīng)用挑戰(zhàn)，激發(fā)同行領(lǐng)域的共同思考，推動(dòng)GaN的規(guī)模應(yīng)用。

成都氮矽科技有限公司資深GaN器件總監(jiān)劉勇

《PGaN增強(qiáng)型GaN功率器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)》

成都氮矽科技有限公司資深GaN器件總監(jiān)劉勇做了“PGaN增強(qiáng)型GaN功率器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)”的主題報(bào)告，介紹PGaN增強(qiáng)型GaN功率器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)。其中器件設(shè)計(jì)部分主要包括襯底選擇、外延設(shè)計(jì)、器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、版圖設(shè)計(jì)、工藝選擇、器件迭代與優(yōu)化、器件trade-off考慮、合封與新型器件結(jié)構(gòu)展望等內(nèi)容，介紹器件各方面設(shè)計(jì)的原則和不同技術(shù)對(duì)器件特性的影響。仿真技術(shù)部分簡(jiǎn)單介紹仿真模型、靜態(tài)特性仿真和動(dòng)態(tài)特性仿真，簡(jiǎn)要介紹器件仿真的原則和仿真結(jié)果評(píng)價(jià)。

 

廣東工業(yè)大學(xué)教授張紫輝

《GaN功率半導(dǎo)體器件仿真建模與制備研究》

半導(dǎo)體仿真技術(shù)是基于TCAD有限元的一種半導(dǎo)體器件分析方法，通過(guò)求解泊松方程、薛定諤方程等與半導(dǎo)體內(nèi)載流子輸運(yùn)與復(fù)合的物理方程，研究半導(dǎo)體器件的電流-電壓等特性，可視化半導(dǎo)體內(nèi)部的能帶分布、電場(chǎng)/電勢(shì)分布等表征半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵參數(shù)，即依托計(jì)算平臺(tái)，通過(guò)建立數(shù)理模型，對(duì)半導(dǎo)體器件進(jìn)行“外延生長(zhǎng)”、“器件制備”、”器件表征及分析”。廣東工業(yè)大學(xué)教授張紫輝做了“GaN功率半導(dǎo)體器件仿真建模與制備研究”的主題報(bào)告。對(duì)GaN功率半導(dǎo)體器件開展詳細(xì)討論，詳細(xì)闡述半導(dǎo)體器件仿真技術(shù)在GaN功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)和制備過(guò)程中的關(guān)鍵作用，同時(shí)深入探討影響半導(dǎo)體器件性能指標(biāo)的關(guān)鍵因素，并開發(fā)出GaN功率半導(dǎo)體材料與器件相關(guān)的數(shù)理模型，助力半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的發(fā)展。

 

中國(guó)科學(xué)院微電子所研究員蔣其夢(mèng)

《氮化鎵功率器件開關(guān)安全工作區(qū)的研究》

硅基氮化鎵橫向功率器件，作為下一代高密度電力系統(tǒng)的主流器件之一，已經(jīng)在電子消費(fèi)產(chǎn)品中得到大規(guī)模應(yīng)用。然而由于氮化鎵功率器件有限的電氣可靠性，特別是在硬開關(guān)工作環(huán)境中的動(dòng)態(tài)電阻退化效應(yīng)，阻礙了其在ICT電源等大功率領(lǐng)域中的大規(guī)模應(yīng)用。中國(guó)科學(xué)院微電子所研究員蔣其夢(mèng)做了“氮化鎵功率器件開關(guān)安全工作區(qū)的研究”的主題報(bào)告。報(bào)告顯示，其研究提出了動(dòng)態(tài)安全工作區(qū)的測(cè)試方法和壽命提取。搭建了硬、軟開關(guān)模式自動(dòng)切換的測(cè)試平臺(tái)。研究了各種工作模式下的動(dòng)態(tài)電阻特性。詳細(xì)討論并聯(lián)GaN器件的動(dòng)態(tài)安全工作區(qū)。報(bào)告認(rèn)為從可靠性的角度來(lái)看，GaN器件并聯(lián)的使用壽命也很重要,與單器件配置相比，并聯(lián)是延長(zhǎng)還是縮短開關(guān)壽命值得探討。

 

北京工業(yè)大學(xué)副教授張亞民

《氮化鎵異質(zhì)界面溫升表征方法》

北京工業(yè)大學(xué)副教授張亞民做了“氮化鎵異質(zhì)界面溫升表征方法”的主題報(bào)告，其研究針對(duì)異質(zhì)材料中界面熱阻的測(cè)量問題，提出了一種基于瞬態(tài)溫升采集和熱阻構(gòu)成分析技術(shù)的界面熱阻測(cè)量方法；設(shè)計(jì)、制備了與測(cè)量方法相匹配的具備獨(dú)立溫度傳感器與微加熱器結(jié)構(gòu)的一體化熱阻測(cè)試芯片； 基于一體化熱特性測(cè)試芯片，搭建一套界面熱阻測(cè)量系統(tǒng)，并對(duì)測(cè)量樣品進(jìn)行刻蝕，保證了熱量的一維傳輸，提高界面熱阻占比，成功實(shí)現(xiàn)了GaN on Si樣品中界面熱阻的測(cè)量，為界面熱阻的測(cè)量提供一種更便捷的表征方法。

電子科技大學(xué)研究員魏杰

《高速低損耗SOI LIGBT新結(jié)構(gòu)與機(jī)理研究》

電子科技大學(xué)研究員魏杰做了“高速低損耗SOI LIGBT新結(jié)構(gòu)與機(jī)理研究”的主題報(bào)告。低導(dǎo)通壓降Von和低關(guān)斷損耗Eoff之間的矛盾關(guān)系是IGBT器件優(yōu)化設(shè)計(jì)的主要指標(biāo)之一。報(bào)告介紹了多種高速低損耗LIGBT新器件結(jié)構(gòu)，包括：陽(yáng)極端具有多晶硅電阻場(chǎng)板和具有自適應(yīng)PMOS結(jié)構(gòu)的兩種LIGBT新結(jié)構(gòu)，二者通過(guò)調(diào)控陽(yáng)極端載流子行為，導(dǎo)通時(shí)消除snapback現(xiàn)象，關(guān)斷時(shí)提供電子快速抽取路徑以加速關(guān)斷并降低Eoff。新結(jié)構(gòu)均獲得了更優(yōu)的Von- Eoff折中關(guān)系。

 

廣東工業(yè)大學(xué)副教授周賢達(dá)

《非晶氧化物半導(dǎo)體功率器件：理論極限和初步實(shí)現(xiàn)》

廣東工業(yè)大學(xué)副教授周賢達(dá)做了“非晶氧化物半導(dǎo)體功率器件：理論極限和初步實(shí)現(xiàn)”的主題報(bào)告，單晶材料體系下的所有寬禁帶半導(dǎo)體均存在兩大固有劣勢(shì)：分立器件制造成本高、集成器件與CMOS電路兼容性差。非晶氧化物半導(dǎo)體（AOS）的能帶結(jié)構(gòu)幾乎不受原子無(wú)序排列的影響，在信息顯示領(lǐng)域是構(gòu)建薄膜晶體管的主流材料。AOS功率器件可以在大面積襯底上制備，也可在標(biāo)準(zhǔn)CMOS電路的上方集成。研究通過(guò)實(shí)驗(yàn)手段提取了AOS材料的ECR，并基于其獨(dú)特的載流子遷移率特性給出了RON, sp——BV之間的理論極限。在此基礎(chǔ)上，還通過(guò)實(shí)驗(yàn)證實(shí)AOS功率器件可以達(dá)到“硅極限”，提出并驗(yàn)證了片上三維功率集成的概念。

 

南方科技大學(xué)助理教授趙駿磊

《Ga-O原子間勢(shì)函數(shù)及其應(yīng)用研究》

南方科技大學(xué)助理教授趙駿磊做了“Ga-O原子間勢(shì)函數(shù)及其應(yīng)用研究”的主題報(bào)告，由于Ga-O成鍵復(fù)雜度高，缺乏準(zhǔn)確的原子間勢(shì)函數(shù)，Ga-O-N體系以及相對(duì)更為成熟的Ga₂O₃體系的現(xiàn)有計(jì)算仿真研究均局限于針對(duì)百原子級(jí)的第一性原理計(jì)算。然而萬(wàn)原子級(jí)以上的大尺度計(jì)算體系對(duì)揭示原子級(jí)動(dòng)力學(xué)機(jī)理至關(guān)重要。重點(diǎn)介紹本團(tuán)隊(duì)開發(fā)的Ga-O原子間勢(shì)函數(shù)，該勢(shì)函數(shù)適用于多相態(tài)共生體系的大尺度模擬研究，對(duì)深入探索Ga₂O₃生長(zhǎng)調(diào)控機(jī)制、重要結(jié)構(gòu)特性具有重要研究意義，也為進(jìn)一步探索Ga-O-N體系提供所必須的研究基礎(chǔ)。

 

中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所工程師韓仕達(dá)

《高功率氧化鎵肖特基二極管研究》

高功率氧化鎵肖特基二極管具有高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻、高溫穩(wěn)定性、高功率密度、低漏電流和快速開發(fā)周期等諸多優(yōu)點(diǎn)，在高頻、高功率密度和高溫度的功率電子應(yīng)用中具有廣泛的應(yīng)用前景。中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所工程師韓仕達(dá)做了“高功率氧化鎵肖特基二極管研究”的主題報(bào)告,分享了最新研究成果。

上海大學(xué)副教授任開琳

《一種新型氮化鎵基發(fā)光高電子遷移率晶體管：面向高分辨率顯示與高速光通信》

上海大學(xué)副教授任開琳做了“一種新型氮化鎵基發(fā)光高電子遷移率晶體管：面向高分辨率顯示與高速光通信”的主題報(bào)告，其研究提出并制造了一種新型的GaN基發(fā)光高電子遷移率晶體管（LE-HEMT），研究工作為顯示器陣列及其驅(qū)動(dòng)器的單片集成提供了一種解決方案，以提高開關(guān)速度，使其成為高分辨率顯示器和高速可見光通信（VLC）應(yīng)用的有前途的候選者。

 

哈爾濱工業(yè)大學(xué)副教授劉本建

《金剛石半導(dǎo)體材料及功能器件研究》

金剛石半導(dǎo)體材料及功能器件的研究涉及到材料制備、器件設(shè)計(jì)和性能優(yōu)化等多個(gè)方面，在電子、光電、生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用前景，同時(shí)也為材料科學(xué)和器件技術(shù)的發(fā)展提供了新的可能性。哈爾濱工業(yè)大學(xué)副教授劉本建做了“金剛石半導(dǎo)體材料及功能器件研究”的主題報(bào)告，分享了最新研究成果。

電子科技大學(xué)博士黃磊

《金剛石半導(dǎo)體器件可靠性新機(jī)制》

電子科技大學(xué)黃磊博士（代替電子科技大學(xué)教授、電子科技大學(xué)長(zhǎng)三角研究院（湖州）集成電路與系統(tǒng)中心主任徐躍杭）做了題為“金剛石半導(dǎo)體器件可靠性新機(jī)制”的主題報(bào)告，目前，在金剛石半導(dǎo)體器件中，氫終端金剛石器件的截止頻率、輸出電流和輸出功率表現(xiàn)優(yōu)異，在微波功率、電力電子領(lǐng)域中展現(xiàn)出較好的應(yīng)用潛力。然而，氫終端金剛石器件仍面臨嚴(yán)峻的可靠性挑戰(zhàn)。報(bào)告介紹了其團(tuán)隊(duì)在金剛石半導(dǎo)體器件可靠性機(jī)制和模型方面的進(jìn)展，并進(jìn)一步針對(duì)氫終端金剛石場(chǎng)效應(yīng)晶體管輸出特性不穩(wěn)定的現(xiàn)象，提出了取向極化效應(yīng)新概念，揭示了導(dǎo)致輸出特性不穩(wěn)定的機(jī)理。

 

南京郵電大學(xué)南通研究院執(zhí)行副院長(zhǎng)姚佳飛

《高K介質(zhì)在橫向功率器件中的應(yīng)用》

南京郵電大學(xué)南通研究院執(zhí)行副院長(zhǎng)姚佳飛做了“高K介質(zhì)在橫向功率器件中的應(yīng)用”的主題報(bào)告，橫向功率器件具有擊穿電壓高、電流大、易于集成等優(yōu)點(diǎn)，在功率集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。擊穿電壓（BV）和比導(dǎo)通電阻（Ron，sp）之間的關(guān)系是LDMOS的主要矛盾。研究表明，高k電介質(zhì)可以有效地緩解這一矛盾。報(bào)告分享了高k電介質(zhì)在橫向功率器件中的應(yīng)用相關(guān)最新研究進(jìn)展。

成都海威華芯科技有限公司生產(chǎn)總監(jiān)林書勛

《新型功率半導(dǎo)體器件在新基建中的應(yīng)用》

成都海威華芯科技有限公司生產(chǎn)總監(jiān)林書勛做了“新型功率半導(dǎo)體器件在新基建中的應(yīng)用”的主題報(bào)告，新基建中特高壓，新能源汽車，5G基站，高速鐵路，人工智能，大數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域大量的使用了新型功率半導(dǎo)體器件，使以新型功率半導(dǎo)體為核心的系統(tǒng)具備更快的速率、更高的效率以及更低的能耗，新型功率半導(dǎo)體發(fā)展進(jìn)入了快車道，報(bào)告從SiC、GaN材料的基本特性出發(fā)，介紹新型功率半導(dǎo)體器件在新基建領(lǐng)域應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)及難點(diǎn)。

 

西交利物浦大學(xué)高級(jí)副教授劉雯

《用于功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的氮化鎵單片集成》 

西交利物浦大學(xué)高級(jí)副教授劉雯做了”用于功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的氮化鎵單片集成“的主題報(bào)告，通過(guò)刻蝕凹槽后淀積柵介質(zhì)在硅基GaN上得到的E-mode GaN MIS-HEMTs具有低漏電、高柵極電壓容限等優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)D-mode器件的閾值電壓可控?；谶@些優(yōu)點(diǎn)，可以在功率集成電路中減少保護(hù)電路，并且驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)更為簡(jiǎn)單，從而實(shí)現(xiàn)更緊湊的集成電路結(jié)構(gòu)。其研究通過(guò)使用MIS-HEMTs常關(guān)型和常開型器件(D-mode和E-mode)，成功在同一芯片上進(jìn)行集成，實(shí)現(xiàn)了集成驅(qū)動(dòng)、控制、保護(hù)模塊的All GaN功率變換電路。

 

香港科技大學(xué)助理教授孫佳慧

《肖特基型p-GaN柵HEMT的柵極抗靜電魯棒性》

香港科技大學(xué)助理教授孫佳慧做了“肖特基型p-GaN柵HEMT的柵極抗靜電魯棒性”的主題報(bào)告，在半導(dǎo)體器件的制造、測(cè)試、封裝、運(yùn)輸和應(yīng)用過(guò)程中，不可避免地會(huì)遇到靜電放電（ESD）事件，導(dǎo)致器件過(guò)電壓或過(guò)電流。報(bào)告聚焦于肖特基型p-GaN柵HEMT的柵極抗靜電魯棒性研究。在準(zhǔn)靜態(tài)電流-電壓（I-V）測(cè)試中，最大反向柵電流和反向柵擊穿電壓均高于正向情況，然而正向柵極抗ESD魯棒性卻強(qiáng)于反向情況。研究發(fā)現(xiàn)這種矛盾是由于肖特基p-GaN柵獨(dú)有的自我保護(hù)機(jī)制引起的，報(bào)告中詳細(xì)闡述了該機(jī)制。

北京大學(xué)研究員魏進(jìn)

《如何使GaN功率器件如Si MOSFET一樣簡(jiǎn)單易用？》

北京大學(xué)研究員魏進(jìn)做了“如何使GaN功率器件如Si MOSFET一樣簡(jiǎn)單易用？”的主題報(bào)告，GaN功率器件與功率集成電路已經(jīng)進(jìn)入商業(yè)化早期，逐漸在消費(fèi)類市場(chǎng)取得應(yīng)用。然而，相較于Si MOSFET，現(xiàn)有的GaN功率器件產(chǎn)品在使用上具有更高的門檻，阻礙了GaN器件的快速推廣。報(bào)告針對(duì)上述GaN功率器件易用性方面的難題，展示多種新型器件技術(shù)，證明GaN功率器件可以如Si MOSFET一樣簡(jiǎn)單易用，從而推動(dòng)其進(jìn)入更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。

 

電子科技大學(xué)博士趙飛云

《基于化合物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的高性能器件設(shè)計(jì)與制備》

       電子科技大學(xué)趙飛云博士（代替電子科技大學(xué)基礎(chǔ)與前沿研究院副院長(zhǎng)巫江）做了“基于化合物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的高性能器件設(shè)計(jì)與制備”的主題報(bào)告，報(bào)告主要圍繞新型化合物半導(dǎo)體光電薄膜材料設(shè)計(jì)和制造，介紹了基于新型化合物半導(dǎo)體薄膜在光電子器件中的研究工作進(jìn)展，包括化合物半導(dǎo)體異質(zhì)外延工藝、基于半導(dǎo)體低維異質(zhì)結(jié)構(gòu)的高性能光電探測(cè)器設(shè)計(jì)以及面向光電傳感應(yīng)用的半導(dǎo)體激光器的設(shè)計(jì)與制造等研究工作。

湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司研發(fā)經(jīng)理劉成

《應(yīng)用于工業(yè)及汽車市場(chǎng)的GaN功率器件制造技術(shù)》

湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司研發(fā)經(jīng)理劉成做了“應(yīng)用于工業(yè)及汽車市場(chǎng)的GaN功率器件制造技術(shù)”的主題報(bào)告，涉及降本以及質(zhì)量管理體系等。成本優(yōu)勢(shì)也是工業(yè)及汽車應(yīng)用市場(chǎng)導(dǎo)入GaN器件設(shè)計(jì)的重要驅(qū)動(dòng)力。在芯片制造環(huán)節(jié)，通過(guò)大規(guī)模生產(chǎn)制造和產(chǎn)業(yè)鏈上下游合作及整合來(lái)應(yīng)對(duì)成本挑戰(zhàn)。在降本的同時(shí)也不斷強(qiáng)化質(zhì)量管理體系以保障產(chǎn)品質(zhì)量的嚴(yán)格管控。

 

云鎵半導(dǎo)體技術(shù)總監(jiān)唐高飛

《氮化鎵功率器件與工業(yè)級(jí)應(yīng)用前景》

云鎵半導(dǎo)體技術(shù)總監(jiān)唐高飛做了“氮化鎵功率器件與工業(yè)級(jí)應(yīng)用前景”的主題報(bào)告，報(bào)告指出目前GaN功率器件在消費(fèi)電子應(yīng)用中已經(jīng)有了較高的市場(chǎng)滲透率，在工業(yè)級(jí)應(yīng)用也逐漸進(jìn)入，尤其是信息通信和再生能源領(lǐng)域。在數(shù)據(jù)中心的供電鏈路中，使用GaN器件對(duì)于效率的提升意義巨大。而在新能源領(lǐng)域，如微型逆變器和OBC等應(yīng)用中，GaN器件結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新以及驅(qū)動(dòng)集成技術(shù)的引入，將推動(dòng)GaN功率器件挖掘出更大的性能與成本潛力。

 

松山湖材料實(shí)驗(yàn)室工程師王方洲

《低損耗高耐壓Si基GaN雙向阻斷功率器件研究》

松山湖材料實(shí)驗(yàn)室工程師王方洲做了“低損耗高耐壓Si基GaN雙向阻斷功率器件研究”的主題報(bào)告，研究提出了p-GaN/Schottky交替島漏極結(jié)構(gòu)，優(yōu)化開啟電壓和反向擊穿電壓的折衷關(guān)系；提出了Schottky-MIS級(jí)聯(lián)漏極結(jié)構(gòu)，優(yōu)化導(dǎo)通壓降和反向泄漏電流的折衷關(guān)系。通過(guò)在松山湖材料實(shí)驗(yàn)室公共技術(shù)平臺(tái)進(jìn)行的全流程工藝制備，獲得了低開啟電壓、低導(dǎo)通壓降、低反向泄漏電流、高反向擊穿電壓的高性能Si基GaN雙向阻斷功率器件。同時(shí)，面向應(yīng)用需求進(jìn)行了工藝整合，實(shí)現(xiàn)了整片晶圓上大柵寬雙向阻斷GaN功率器件原型的工藝制備。相關(guān)的研究成果可為低損耗高耐壓Si基GaN雙向阻斷功率器件的發(fā)展提供優(yōu)良的解決方案。

 

中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)研究員徐光偉

《氧化鎵垂直功率半導(dǎo)體器件》

中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)研究員徐光偉做了“氧化鎵垂直功率半導(dǎo)體器件”的主題報(bào)告，氧化鎵垂直功率半導(dǎo)體器件具有高功率密度、低導(dǎo)通電阻、高頻特性、高溫穩(wěn)定性、快速開關(guān)特性等優(yōu)點(diǎn)，高頻、高功率密度和高溫度的功率電子應(yīng)用中具有廣闊的應(yīng)用前景。隨著制造工藝的不斷改進(jìn)和成熟，氧化鎵垂直功率器件的性能和可靠性得到了顯著提升。中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)研究員徐光偉做了“氧化鎵垂直功率半導(dǎo)體器件”的主題報(bào)告，分享了相關(guān)研究成果與進(jìn)展。

 

西安電子科技大學(xué)博士后王晨璐

《高壓大功率氧化鎵晶體管研究》

高壓大功率氧化鎵晶體管（GaN HEMT）具有許多優(yōu)異的性能特點(diǎn)，適用于多種高功率和高壓應(yīng)用場(chǎng)景。西安電子科技大學(xué)博士后王晨璐做了“高壓大功率氧化鎵晶體管研究”的主題報(bào)告，分享了相關(guān)研究成果與進(jìn)展。

西交利物浦大學(xué)李帆

《氫處理p-GaN柵器件開發(fā)與單片集成電路共設(shè)計(jì)流程》 視頻報(bào)告

西交利物浦大學(xué)李帆做了“氫處理p-GaN柵器件開發(fā)與單片集成電路共設(shè)計(jì)流程”的視頻主題報(bào)告，分享最新研究成果。

此外，在CSPSD2024另一個(gè)平行分論壇——“高壓器件設(shè)計(jì)、集成及封裝應(yīng)用”上，同樣吸引力來(lái)自全國(guó)各地的科研及產(chǎn)業(yè)界代表們深入研討，追蹤高壓器件設(shè)計(jì)、集成及封裝應(yīng)用技術(shù)發(fā)展與前沿趨勢(shì)。與會(huì)者深度參與，現(xiàn)場(chǎng)學(xué)習(xí)氛圍濃厚，交流探討十分熱烈。

備注：根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)有限資料整理，僅供參考！如有出入，敬請(qǐng)諒解！