天眼查顯示，湖南三安半導體有限責任公司“氮化鎵功率器件的制備方法、氮化鎵功率器件”專利公布，申請公布日為2024年7月2日，申請公布號為CN118280836A。

本申請?zhí)峁┝艘环N氮化鎵功率器件的制備方法、氮化鎵功率器件；該制備方法包括：提供半導體襯底，在半導體襯底中的第二半導體層的上表面形成間隔設置的蓋帽層、源極和漏極；在第二半導體層的上表面形成第一介質(zhì)層；在第一介質(zhì)層的上表面形成第二介質(zhì)層，其中，第二介質(zhì)層的材料包括水氧基氧化鋁；在第二介質(zhì)層對應蓋帽層的區(qū)域形成貫穿第二介質(zhì)層的第一開口；在第一開口內(nèi)形成第三介質(zhì)層，其中，第三介質(zhì)層的材料包括臭氧基氧化鋁。具體的，通過在第一開口內(nèi)形成第三介質(zhì)層，利用第三介質(zhì)層的強氧化作用，能夠使后續(xù)刻蝕將蓋帽層表面的第一介質(zhì)層刻蝕干凈，以此在后續(xù)工藝形成柵極時，能夠增加柵極漏電，減小閾值電壓，提高器件性能。