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韓開(kāi)發(fā)出新高遷移率p型半導(dǎo)體材料

日期:2024-09-18 閱讀:257
核心提示:9月16日消息,韓國(guó)電子與電信研究所(ETRI)的一組研究人員成功開(kāi)發(fā)了一種可以通過(guò)簡(jiǎn)單的工藝在室溫下輕松沉積的p型硒碲(Se-Te

9月16日消息,韓國(guó)電子與電信研究所(ETRI)的一組研究人員成功開(kāi)發(fā)了一種可以通過(guò)簡(jiǎn)單的工藝在室溫下輕松沉積的p型硒碲(Se-Te)合金晶體管,該工藝使用了基于硫系p型半導(dǎo)體材料。 

此外,研究人員還開(kāi)發(fā)了一種新技術(shù),可以通過(guò)控制n型氧化物半導(dǎo)體與p型碲(Te)異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的碲薄膜的電荷注入,系統(tǒng)地調(diào)節(jié)和控制n型晶體管的閾值電壓。這些新發(fā)現(xiàn)預(yù)計(jì)將被廣泛用于提高下一代顯示器和超低功耗半導(dǎo)體設(shè)備的整體性能。 

目前顯示器行業(yè)中最廣泛使用的材料是IGZO(銦鎵鋅氧化物)基n型氧化物半導(dǎo)體。另一方面,由于與n型氧化物半導(dǎo)體相比,p型LTPS(低溫多晶硅)在加工性和電性能方面存在局限性,因此雖被使用,但制造成本高且基板尺寸受限一直是其主要問(wèn)題。 

隨著對(duì)高分辨率顯示器(尤其是SHV級(jí)分辨率顯示器,如8K和4K)更高刷新率(240Hz以上)的需求增加,近年來(lái)對(duì)p型半導(dǎo)體的開(kāi)發(fā)興趣達(dá)到了頂峰。由于現(xiàn)有顯示器中使用的基于n型半導(dǎo)體的晶體管在有效實(shí)現(xiàn)高刷新率顯示器方面存在局限性,因此對(duì)p型半導(dǎo)體的需求正在迅速增長(zhǎng)。 

為了滿(mǎn)足這些需求,ETRI的研究人員通過(guò)向硒中添加碲,提高了通道層的結(jié)晶溫度,在室溫下沉積非晶薄膜,并通過(guò)隨后的熱處理過(guò)程使其結(jié)晶,從而成功開(kāi)發(fā)了p型半導(dǎo)體。結(jié)果,他們成功地獲得了比現(xiàn)有晶體管更高的遷移率和更高的開(kāi)關(guān)電流比特性。 

研究人員還確認(rèn),當(dāng)在n型氧化物半導(dǎo)體薄膜上引入基于碲的p型半導(dǎo)體作為異質(zhì)結(jié)構(gòu)時(shí),可以通過(guò)控制n型晶體管內(nèi)的電子流動(dòng)來(lái)調(diào)節(jié)n型晶體管的閾值電壓,具體取決于碲的厚度。特別是,他們通過(guò)調(diào)整異質(zhì)結(jié)構(gòu)中碲的厚度,提高了n型晶體管的穩(wěn)定性,無(wú)需使用鈍化層。 

憑借這一研究成果,預(yù)計(jì)下一代顯示器行業(yè)的增長(zhǎng)將達(dá)到新的高度,同時(shí)實(shí)現(xiàn)更高分辨率和更低功耗的新顯示器的開(kāi)發(fā)。 事實(shí)上,這一新發(fā)現(xiàn)不僅可以在顯示器領(lǐng)域做出有意義的貢獻(xiàn),還可以改變半導(dǎo)體行業(yè)的格局。目前,許多領(lǐng)先的全球半導(dǎo)體制造商正專(zhuān)注于開(kāi)發(fā)可以增加產(chǎn)品集成度的新縮小工藝,但根據(jù)許多業(yè)內(nèi)人士的分析,半導(dǎo)體的集成度已達(dá)到極限。 

為了解決這個(gè)問(wèn)題,近年來(lái)引入了一種新的集成方法,即一次堆疊多個(gè)半導(dǎo)體芯片。其中,TSV(硅通孔)是最知名的方法,通過(guò)堆疊多個(gè)晶圓并在晶圓中鉆孔以確保電氣連接。TSV方法具有有效利用空間和降低功耗的優(yōu)勢(shì)。然而,仍有許多需要解決的限制,包括高工藝成本、低產(chǎn)量等。 

為了克服TSV的限制,業(yè)界提出了一種新的方法,即單體三維(M3D)集成,該方法將材料堆疊在單個(gè)晶圓上,而不是一次堆疊多層。不幸的是,由于高溫工藝的使用受限等問(wèn)題,M3D方法尚未達(dá)到商業(yè)化階段。 ETRI開(kāi)發(fā)的異質(zhì)結(jié)構(gòu)薄膜晶體管和p型半導(dǎo)體器件即使在300℃以下的過(guò)程中也能穩(wěn)定運(yùn)行,這使行業(yè)更接近M3D的成功商業(yè)化。

 ETRI柔性電子研究部首席研究員趙成行表示:“這是一項(xiàng)可以在下一代顯示器(如OLED電視和XR設(shè)備)以及CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)電路和DRAM存儲(chǔ)器等其他領(lǐng)域的未來(lái)研究中廣泛利用的劃時(shí)代成就。”ETRI的研究人員計(jì)劃將基于碲的p型半導(dǎo)體優(yōu)化到6英寸或更大的大型基板,并將其應(yīng)用于各種電路,以確保其商業(yè)化潛力,最終尋找新的方法將其實(shí)施到新領(lǐng)域。 

來(lái)源:Semi Display

 

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