國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，廣東巨風(fēng)半導(dǎo)體有限公司取得一項名為“一種IGBT模塊”的專利，授權(quán)公告號CN 221977919 U，申請日期為2024年1月。

專利摘要顯示，本實用新型提供了一種IGBT模塊，包括：外框，呈中空結(jié)構(gòu)；DBC板，包括一塊DBC 銅層、一塊DBC陶瓷層以及一塊 電路銅層，所述DBC銅層和電路銅層分別設(shè)置在DBC陶瓷層的兩側(cè)表面上，所述DBC陶瓷層固定在外框的中空結(jié)構(gòu)的下端開口處；芯片，至少具有一個，設(shè)置在電路銅層的上表面。