據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，臺(tái)積電2納米制程產(chǎn)能規(guī)模較3納米再提升，竹科寶山F20廠2nm月產(chǎn)能現(xiàn)已提升至3萬(wàn)片，高雄F22廠則為6000片。

預(yù)計(jì)至2025年12月，竹科、高雄兩廠合計(jì)達(dá)4萬(wàn)片，2026年1月再提升至5.3萬(wàn)片，2026年中將達(dá)8.5萬(wàn)片，2026年底將達(dá)10萬(wàn)片，2028年月產(chǎn)能更將沖上20萬(wàn)片。該工藝節(jié)點(diǎn)或?qū)⒊蔀榕_(tái)積電產(chǎn)能最高的先進(jìn)制程，成為重要的營(yíng)收來(lái)源。

據(jù)了解，臺(tái)積電的2nm N2工藝是其首個(gè)GAA晶體管節(jié)點(diǎn)，由于柵極360度環(huán)繞溝道，該技術(shù)有望提升性能并降低漏電。這種結(jié)構(gòu)可以最大限度地增強(qiáng)對(duì)溝道的靜電控制，從而在不影響性能或功耗的情況下最小化晶體管尺寸，最終實(shí)現(xiàn)更高的晶體管密度。