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半導(dǎo)體SERS基底非吸附
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物檢測獲進(jìn)展
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2023-03-07 09:55
簡述微波射頻電路雜波干擾問題技術(shù)
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及改進(jìn)研究
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2022-11-30 14:42
MOCVD 加熱片模擬仿真研究
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2022-11-29 13:59
4英寸氧化鎵單晶生長與性能
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2022-11-23 16:54
晶圓切割常見缺陷問題
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2022-11-17 14:42
SiC MOSFET特性
分析
及應(yīng)用
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2022-10-12 17:55
蘇州納米所器件部樊士釗等JAP:利用電子通道襯度成像方法
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氮化鎵異質(zhì)結(jié)中的穿透位錯和失配位錯
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2022-09-14 13:59
自研基于 6 寸碳化硅晶圓的 6.5kV MOSFET功率模塊測試
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2022-09-01 16:59
高壓大功率芯片封裝的散熱研究與仿真
分析
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2022-06-29 17:02
柵極驅(qū)動器以及 SiC MOSFET 柵極驅(qū)動
分析
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2022-06-16 12:05
SiC MOS產(chǎn)品驅(qū)動設(shè)計(jì)之寄生導(dǎo)通問題
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與設(shè)計(jì)建議
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2022-06-16 11:03
《SiC MOSFET可靠性
分析
》聯(lián)盟技術(shù)報告正式立項(xiàng)
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2022-03-24 15:51
芯和半導(dǎo)體聯(lián)合新思科技發(fā)布“3DIC先進(jìn)封裝設(shè)計(jì)
分析
全流程”EDA平臺
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2021-08-31 10:27
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