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杭州
鎵仁半導體實現直拉法2英寸N型氧化鎵單晶生長
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2024-11-29 09:51
第四代半導體氧化鎵,浙大
杭州
科創(chuàng)中心新技術路線制備 2 英寸晶圓
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2022-05-09 11:19
國際首創(chuàng)!浙大
杭州
科創(chuàng)中心首次采用新技術路線成功制備2英寸氧化鎵晶圓
評論 ?
2022-05-07 07:41
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