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星曜半導(dǎo)體完成由中國移動產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展基金領(lǐng)投10億元B輪融資

中國與波蘭雙方支持在電動汽車等領(lǐng)域開展雙向投資合作

TechInsights：預(yù)計(jì)中國半導(dǎo)體產(chǎn)能將在五年內(nèi)增長40%

CASICON晶體大會前瞻|中國科學(xué)院大連化學(xué)物理所李剛：高質(zhì)強(qiáng)光光學(xué)元件制造與薄片激光技術(shù)

CASICON晶體大會前瞻|中國工程物理研究院高松：半導(dǎo)體泵浦重頻激光模塊及激光技術(shù)進(jìn)展

合盛新材料受邀出席汽車&光儲充與SiC技術(shù)大會，共話中國碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展

“連續(xù)三季，日本超50%半導(dǎo)體設(shè)備銷往中國”

CASICON晶體大會前瞻|中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所張逸韻:異質(zhì)集成氮化鎵微腔激光器及光電器件研究

CASICON晶體大會前瞻|中國電子科技集團(tuán)第五十五研究所李赟：碳化硅外延如何協(xié)同器件發(fā)展

中國科學(xué)家在半導(dǎo)體領(lǐng)域獲突破登上《自然》雜志

美國考慮再出損招，限制中國獲取AI芯片技術(shù)

CASICON晶體大會前瞻|中國電科第十三研究所蘆偉立：面向特種器件應(yīng)用的SiC多層超厚外延進(jìn)展及機(jī)遇

CASICON晶體大會前瞻|中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所伍紹騰:基于異質(zhì)集成晶圓鍵合技術(shù)的硅基材料與器件研究

CASICON晶體大會前瞻|中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所楊曉光：面向硅光集成的III-V族量子點(diǎn)材料與激光器

CASICON晶體大會前瞻 |中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所劉志強(qiáng)：氮化物位錯(cuò)演化及控制研究

中國晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)速度全球第一，下半年行業(yè)增速或更強(qiáng)勁，半導(dǎo)體設(shè)備配置價(jià)值凸顯

高端存儲芯片庫存告急，中國廠商正在發(fā)力

SEMI：Q1全球半導(dǎo)體制造業(yè)改善，中國產(chǎn)能增長率最高

中國碳化硅瘋狂降價(jià)致美臺廠商股價(jià)下跌；

中國充電聯(lián)盟：4月公共充電樁比3月增加6.8萬臺

2024中國·紹興第九屆海內(nèi)外高層次人才創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽即將舉辦

美科技封鎖失靈？韓媒：中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正緊追韓國

中國科大孫海定教授和武大劉勝院士Nature Electronics封面論文: 發(fā)明新型氮化鎵光電二極管

武漢大學(xué)聯(lián)合中國科學(xué)院微電子研究所與青禾晶元在表面活化鍵合4H-SiC的熱物性表征與聲子熱輸運(yùn)研究領(lǐng)域取得新進(jìn)展

CSPSD 2024成都前瞻|中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所程新紅：SiC MOSFET 過流保護(hù)技術(shù)分析與研發(fā)

CSPSD 2024成都前瞻 |中國科學(xué)院微電子研究所蔣其夢：氮化鎵功率器件開關(guān)安全工作區(qū)的研究

化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正當(dāng)時(shí)，中國發(fā)展看光谷！

2024九峰山論壇｜中國科學(xué)院院士劉勝：為化合物半導(dǎo)體應(yīng)用開拓更多“新賽道”

《2024中國激光產(chǎn)業(yè)發(fā)展報(bào)告》發(fā)布：光谷企業(yè)光纖激光器市占率反超國際巨頭

開幕大會日程揭曉！2024九峰山論壇暨中國國際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會4月8-11日武漢見

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