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基于新型SiC復(fù)合襯底的低成本MOSFET取得重要進(jìn)展

深圳市聯(lián)微半導(dǎo)體取得定位裝置專利，能夠具有較低的成本

蘇州高視半導(dǎo)體申請(qǐng)基于晶圓檢測(cè)系統(tǒng)的晶圓檢測(cè)方法專利，降低晶圓缺陷的檢測(cè)成本

北京大學(xué)王新強(qiáng)教授團(tuán)隊(duì)：推動(dòng)高功率UVC-LED晶圓進(jìn)入低成本4英寸時(shí)代！

華羿微電申請(qǐng)高性能 MOSFET 功率器件外延設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)專利，降低功率器件制造成本

極紫外光刻新技術(shù)問世能大幅提高能源效率并降低半導(dǎo)體制造成本

宇樹科技 Unitree G1 9.9萬(wàn)元機(jī)器人面世，電機(jī)成本分析

CASICON晶體大會(huì)前瞻|深圳大學(xué)劉新科：低成本垂直氮化鎵功率器件

Gartner：2027年純電動(dòng)汽車生產(chǎn)成本將低于同級(jí)燃油車

日本初創(chuàng)公司開發(fā)功率半導(dǎo)體生產(chǎn)新材料成本降低75%

海信家電申請(qǐng)半導(dǎo)體裝置專利，降低半導(dǎo)體裝置的生產(chǎn)成本

佳能計(jì)劃今年推出低成本芯片制造機(jī)

深圳大學(xué)劉新科：低成本垂直GaN功率器件

利用激光垂直剝離突破碳化硅SiC切割成本與效率，晶飛半導(dǎo)體獲數(shù)千萬(wàn)元天使輪融資

IFWS&SSLCHINA 2023│英諾賽科歐洲總經(jīng)理Denis Macron:高性能GaN功率器件高可靠性和低成本

日本研發(fā)出氧化鎵低成本制法

蔚來(lái)首款自研芯片“楊戩”開始量產(chǎn)，一年左右可收回研發(fā)成本

日企新技術(shù)可將氮化鎵成本降低9成市場(chǎng)應(yīng)用空間望打開

山東大學(xué)陶緒堂教授團(tuán)隊(duì)研發(fā)超高光產(chǎn)額、超快衰減、低成本大尺寸單晶閃爍體

新型儲(chǔ)能市場(chǎng)前景廣闊專家建議完善成本疏導(dǎo)機(jī)制

西安華合德新材料李灝文：面向低成本碳化硅功率器件用大尺寸SiC 單晶技術(shù)

全球化已死，芯片成本提高？張忠謀5句話看半導(dǎo)體未來(lái)

臺(tái)積電向美商務(wù)部反映：赴美設(shè)廠成本高、缺人力

Manz亞智科技板級(jí)封裝突破業(yè)界最大生產(chǎn)面積完美應(yīng)對(duì)產(chǎn)能、成本雙挑戰(zhàn)

機(jī)構(gòu)：SiC成本逐步下降，行業(yè)有望迎來(lái)爆發(fā)拐點(diǎn)

寧波材料所在低成本鈣鈦礦太陽(yáng)能電池空穴傳輸材料方面取得研究進(jìn)展

毛利率下降疊加營(yíng)業(yè)成本上升，時(shí)代電氣2021年歸母凈利潤(rùn)下降18.5%

意法半導(dǎo)體發(fā)布經(jīng)濟(jì)型抗輻射加固芯片，面向關(guān)注成本的“新太空”衛(wèi)星應(yīng)用

氧化鎵功率半導(dǎo)體6英寸新突破，成本有望大降

俄烏沖突或致“缺芯陰霾”彌漫全球，沖突或推高芯片產(chǎn)業(yè)鏈成本

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