本次會(huì)議由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、博聞創(chuàng)意會(huì)展（深圳）有限公司主辦，蘇試宜特檢測(cè)技術(shù)股份有限公司、全國(guó) LED 產(chǎn)業(yè)產(chǎn)教融合（東莞）職業(yè)教育集團(tuán)支持協(xié)辦，會(huì)上來自南方科技大學(xué)、深圳大學(xué)、深圳清華大學(xué)研究院、英飛凌、蘇試宜特、譽(yù)鴻錦電子、基本半導(dǎo)體、泰克科技等專家學(xué)者企業(yè)代表圍繞碳化硅、氮化鎵功率器件模塊封裝技術(shù)，芯片先進(jìn)封裝之失效分析、功率器件的性能表征和可靠性測(cè)試等主題展開研討交流。開場(chǎng)由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟人才發(fā)展中心副主任孫騰主持，報(bào)告環(huán)節(jié)特邀請(qǐng)深圳大學(xué)材料學(xué)院研究員、廣東省杰青劉新科博士主持。

 南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院副教授葉懷宇博士在分享《碳化硅功率器件模塊封裝》主題報(bào)告中，從功率器件及第三代半導(dǎo)體展開詳細(xì)分享，他表示，第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）相比于前兩代半導(dǎo)體材料，具備大禁帶寬度、大漂移速率、大熱導(dǎo)率、大擊穿場(chǎng)強(qiáng)等“四大”優(yōu)勢(shì)，從而能夠開發(fā)出更適應(yīng)高功率、高頻、高溫、高電壓等“四高”惡劣條件的功率半導(dǎo)體器件。

 　蘇試宜特檢測(cè)技術(shù)股份有限公司處長(zhǎng)蔡甦谷分享了《芯片先進(jìn)封裝之失效分析與應(yīng)用》主題報(bào)告。

 　泰克科技（中國(guó)）有限公司總監(jiān)孫川分享了《功率器件的性能表征和可靠性測(cè)試方法》報(bào)告。他表示，目前SiC/GaN功率器件測(cè)試存在挑戰(zhàn)，主要在探頭通道延遲校準(zhǔn)，動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻的測(cè)量，共模干擾的影響，測(cè)試帶寬的影響，Crosstalk串?dāng)_影響，高dv/dt高di/dt，探頭雜感的影響，主回路雜感控制，高帶寬電流的測(cè)試，探頭連接的影響，多種封裝的適配等等。泰克公司深耕半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域多年，在與全球客戶的長(zhǎng)期交流合作過程中，泰克不但為客戶提供了大量性能可靠，特性優(yōu)異的測(cè)試測(cè)量工具，同時(shí)也深刻理解客戶在測(cè)試過程中可能遇到的復(fù)雜問題。

 11月6日，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和聯(lián)合博聞創(chuàng)意會(huì)展（深圳）有限公司等知名機(jī)構(gòu)，舉辦“第三代半導(dǎo)體功率器件及封測(cè)技術(shù)峰會(huì)”。

 2022年11月6日，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和聯(lián)合博聞創(chuàng)意會(huì)展（深圳）有限公司等知名機(jī)構(gòu)，舉辦“第三代半導(dǎo)體功率器件及封測(cè)技術(shù)峰會(huì)”我們將依托強(qiáng)大背景及產(chǎn)業(yè)資源，致力于先進(jìn)半導(dǎo)體器件、封裝測(cè)試、工藝流程、創(chuàng)新應(yīng)用及產(chǎn)業(yè)鏈間的合作，為上游及材料設(shè)備搭建交流協(xié)作的橋梁。大會(huì)將聚焦該論壇將全面聚焦第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈“材料-裝備-襯底-外延-芯片-封裝及模組-應(yīng)用”等重點(diǎn)環(huán)節(jié)前沿技術(shù)進(jìn)展，聚焦產(chǎn)業(yè)鏈共性關(guān)鍵技術(shù)及問題，探討產(chǎn)業(yè)延鏈-補(bǔ)鏈-強(qiáng)鏈發(fā)展路徑、國(guó)內(nèi)企業(yè)產(chǎn)線投資及運(yùn)行情況、新工藝研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化成果、下游領(lǐng)域發(fā)展前景等。