北京大學微電子學院陶明分享“高擊穿電壓高和低電流崩塌的常關硅基GaN MOSHEMT”新進展報告。她主要介紹了一種無等離子體、自停止的柵刻蝕技術，在 優(yōu)化的HEMT結構上實現(xiàn)了高性能的增強型GaN MOSHEMT。