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極智報(bào)告|愛思強(qiáng)電力電子器件副總裁Frank WISCHMEYER:High Growth Rate SiC Homoepitaxial Processes In A Large Capacity P

視頻2025-01-10 11:58
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德國(guó)愛思強(qiáng)股份有限公司電力電子器件副總裁Frank WISCHMEYER先生分享了,就高生產(chǎn)率的碳化硅同質(zhì)外延的程序在大容量生產(chǎn)反應(yīng)器當(dāng)中的表現(xiàn)主題報(bào)告。他表示,用于高產(chǎn)量生產(chǎn)的高增長(zhǎng)率SiC同質(zhì)外延工藝生長(zhǎng)的大容量生產(chǎn)反應(yīng)器,它是在于每小時(shí)二十五微米,更好地,更快速地長(zhǎng)外延材料,那么也是在生產(chǎn)領(lǐng)域?qū)τ谏a(chǎn)廠家來說是一個(gè)好事,那么同時(shí)它這個(gè)結(jié)果在之間出的效果,尤其是在一千二百伏元器件體現(xiàn)出來。預(yù)計(jì)2018年這種全面的自動(dòng)化技術(shù)的使用,會(huì)使得我們整個(gè)產(chǎn)業(yè)會(huì)有大量的一個(gè)客戶量的增長(zhǎng)。
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