西安電子科技大學教授張金風做了題為金剛石超寬禁帶半導體材料和器件新進展的主題報告。她介紹說，金剛石屬于新興的超寬禁帶半導體材料，具有禁帶寬度大，耐擊穿，載流子遷移率高，熱導率極高，抗輻照等優(yōu)點。在熱沉，大功率、高頻器件，光學窗口，量子信息等領域具有極大應用潛力。報告中介紹了大尺寸金剛石單晶的制備方法最成功的是同質外延的克隆拼接生長方法和在Ir襯底上異質外延的生長方法。她表示，實現(xiàn)室溫下高電離率的體摻