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劉少煜：一種通過提高界面處sp2-碳含量改良4H-SiC歐姆接觸的方法
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WBSC 2021
2025-01-10 11:58
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《一種通過提高界面處sp2-碳含量改良4H-SiC歐姆接觸的方法》作者：劉少煜，程新紅，鄭理，劉曉博，俞躍輝單位：中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所
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