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Tibor GRASSER教授：Physical Modeling of Charge Trapping Effects in SiC MOSFETs

視頻IFWS > IFWS20222025-01-10 11:58

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Physical Modeling of Charge Trapping Effects in SiC MOSFETsTibor GRASSER奧地利維也納工業(yè)大學微電子研究所所長、教授Tibor GRASSERProfessor and Head of the Institute for Microelectronics at Technische Universit?t Wien, Austria

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