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最新高性能SiC MOSFET技術(shù)助力未來(lái)SiC市場(chǎng)的發(fā)展趨勢(shì)The Latest High Performance SiC MOSFET Technology Trend for Future SiC Market Development濱田公守日本華為股份有限公司高級(jí)首席專家Kimimori HAMADASenior Chief Expert Huawei Technologies Japan

高性能SiC解決方案賦能新一代主驅(qū)應(yīng)用朱曉慧杭州士蘭微電子股份有限公司功率系統(tǒng)應(yīng)用技術(shù)高級(jí)經(jīng)理

基于液態(tài)金屬打印和飛秒激光照射的高性能原子薄Ga2O3氣體傳感器High-Performance atomically thin Ga2O3Gas Sensors via Liquid Metal Printing and Femtosecond Laser Irradiation徐承龍皇家墨爾本大學(xué)微納研究院研究員XU ChenglongProfessor of Micro Nano Research Facility, STEM College, RMIT University

電流/功率截止頻率為135/310 GHz的高性能硅基InAlN/GaN HEMTsHigh-Performance InAlN/GaN HEMTs on Silicon Substrate with fT/fmax of 135/310 GHz 崔鵬山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院研究員CUIPengResearch Fellow of the Institute of Novel Semiconductor of Shandong University

AECQ-101車規(guī)級(jí)認(rèn)證的高性能1200V SiC MOS器件史文華清純半導(dǎo)體研發(fā)經(jīng)理SHI Wenhua RD Manager of SiCHAIN Co.,Ltd.

面向功率器件的高性能AlN陶瓷基板High Performance AlN Ceramic Substrate for Power Devices梁超江蘇博睿光電股份有限公司副總經(jīng)理LIANG ChaoDeputy General Manager of Jiangsu Bree Optronics Co., Ltd

高品質(zhì)磷化銦襯底對(duì)激光器性能影響研究Effect of High Quality InP Substrate on Laser Performance惠峰云南鍺業(yè)公司首席科學(xué)家、云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司總經(jīng)理HUI FengChief Scientist of Yunan Germanium Co.,ltd

-Ga2O3單晶的體晶生長(zhǎng)與性能Bulk crystal growth and properties of?-Ga2O3Single Crystal穆文祥山東大學(xué)副教授MU WenxiangAssociate Professor of Shandong University

高性能GaN-on-GaN材料與器件的外延生長(zhǎng)High output power and bandwidth of c-plane GaN-on-GaN micro-LED for high-speed visible light communication王國(guó)斌江蘇第三代半導(dǎo)體研究院研發(fā)部負(fù)責(zé)人WANG GuobinSenior Project ManagerHead of RD Dept of Jiangsu Institute of Advanced Semiconductors

2018年10月23日下午，第十五屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2018）開幕大會(huì)在深圳會(huì)展中心隆重召開。大會(huì)以創(chuàng)芯聚智 共享生態(tài)為主題，吸引了來(lái)自海內(nèi)外半導(dǎo)體照明，第三代半導(dǎo)體及相關(guān)領(lǐng)域的專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)袖、行業(yè)機(jī)構(gòu)領(lǐng)導(dǎo)以及相關(guān)政府官員的積極參與，共同論道產(chǎn)業(yè)發(fā)展。本屆論壇由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、深圳市龍

深圳基本半導(dǎo)體有限公司副總經(jīng)理張振中介紹了《高性能 3D SiC JBS 二極管》主題報(bào)告；張振中對(duì)各種類型的碳化硅器件，包括高壓PiN二極管、高溫JBS二極管、SBD管、平面及溝槽型MOSFET、JFET、BJT、UV二極管、MESFET都有從版圖設(shè)計(jì)引入到量產(chǎn)工藝開發(fā)直到后期失效分析及良率提升等一系列的工藝技術(shù)IP和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)。

美國(guó)倫斯勒理工學(xué)院的周達(dá)成教授分享了《碳化硅功率器件的性能、可靠性和穩(wěn)健性》；