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  • 西安電子科技大學(xué)周弘
    氧化鎵功率器件耐壓和功率優(yōu)值的研究Research on Voltage Withstandand Power Optimum Value of Ga2O3 Power Devices張進(jìn)成西安電子科技大學(xué)副校長、教授（團(tuán)隊(duì)代講）
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    guansheng2023-05-19 14:08
  • 上海科技大學(xué)信息學(xué)院
    基于氮化鎵的CRM圖騰柱PFC整流器的無傳感器電流過零檢測技術(shù)王浩宇上?？萍即髮W(xué)信息學(xué)院長聘副教授、研究員WANG HaoyuAssociate Professor of ShanghaiTech University
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    guansheng2023-05-19 09:09
  • 錦浪科技技術(shù)研究中心
    SiC功率器件在光伏逆變器中的應(yīng)用進(jìn)展Application progress of SiC power devices in photovoltaic inverters劉保頌錦浪科技技術(shù)研究中心總監(jiān)LIU Baosong Technical director of Ginlong Technologies co.,ltd
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    guansheng2023-05-19 09:07
  • 江蘇第三代半導(dǎo)體研究
    高性能GaN-on-GaN材料與器件的外延生長High output power and bandwidth of c-plane GaN-on-GaN micro-LED for high-speed visible light communication王國斌江蘇第三代半導(dǎo)體研究院研發(fā)部負(fù)責(zé)人WANG GuobinSenior Project ManagerHead of RD Dept of Jiangsu Institute of Advanced Semiconductors
    129000
    guansheng2023-05-19 08:56
  • 武漢大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究
    無損表征氮化鎵外延熱物性的瞬態(tài)熱反射技術(shù)Transient thermoreflectance technique for non-invasively characterizing the thermal properties of GaN epitaxial wafer袁超武漢大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究院研究員YUAN ChaoProfessor of The Institute of Technological Sciences, Wuhan University
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    guansheng2023-05-19 08:53
  • 北京大學(xué)副教授許福軍
    AlGaN基低維量子結(jié)構(gòu)外延和電導(dǎo)率調(diào)控研究Study on the epitaxy and conductivity regulation of AlGaN based low dimensional quantum structures許福軍北京大學(xué)物理學(xué)院副教授Xu Fujun - Associate Professor, Peking University
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    guansheng2023-05-19 08:51
  • 中國科學(xué)院半導(dǎo)體所研
    平片藍(lán)寶石襯底上高質(zhì)量AlN材料MOCVD外延生長High quality AlN growth on flat sapphire at relative low temperature by MOCVD趙德剛中國科學(xué)院半導(dǎo)體所研究員ZHAO DegangProfesor of Institute of Semiconductors, CAS
    70900
    guansheng2023-05-18 16:19
  • 復(fù)旦大學(xué)張園覽：基于
    基于P區(qū)反序摻雜策略的高效碳化硅結(jié)勢壘肖特基二極管的研究High-Performance 1200 V/ 20 A 4H-SiC JBS Diodes with Retrograde P-Implants Strategy張園覽復(fù)旦大學(xué)Yuan-Lan ZHANGFudan University
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    limit2022-05-01 20:24
  • 中科院微電子所副研究
    高可靠功率系統(tǒng)集成的發(fā)展和挑戰(zhàn)Development and Challenge of High-Reliability Power System in Packaging侯峰澤中國科學(xué)院微電子研究所系統(tǒng)封裝與集成研發(fā)中心副研究員Fengze HOUAssociate Professor、 Packaging and Integration Research and Development Center, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences
    71600
    limit2022-05-01 20:22
  • 西安電子科技大學(xué)微電
    SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究Development trends and challenges of SiC Power MOSFET device 張藝蒙西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院教授Yimeng Zhang Professor of School of Microelectronics, Xidian University
    67400
    limit2022-05-01 17:18
  • 中電科四十八所半導(dǎo)體
    SiC功率器件制造工藝特點(diǎn)與核心裝備創(chuàng)新進(jìn)展Manufacturing process characteristics and key equipment development of SiC power devices鞏小亮中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所 半導(dǎo)體裝備研究部副主任GONGXiaoliang Deputy director of Semiconductor equipment research department, the 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation
    66400
    limit2022-05-01 09:57
  • 中國工程院院士湯廣福
    新型電力系統(tǒng)與國家雙碳戰(zhàn)略New Power System and NationalDual-Carbon Strategy湯廣福--中國工程院院士、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院院長TANG Guangfu--Academician of Chinese Academy of Engineering, President of Global Energy Interconnection Research Institute
    96000
    limit2022-01-31 13:41
  • 【視頻報告 2018】中
    中科院半導(dǎo)體研究所所長助理、研究員張韻分享了《III族氮化物基射頻HEMT、HBT與濾波器》報告，受限于鈮酸鋰聲速較低(3400-4000 m/s)，商用鈮酸鋰基聲表面波（SAW）濾波器工作頻率通常低于3 GHz，難以滿足通訊系統(tǒng)頻率不斷提升的需求，因此基于高聲速AlN薄膜(5600-6000 m/s)的高頻SAW濾波器成為研究熱點(diǎn)。分別在鈮酸鋰襯底和AlN/藍(lán)寶石襯底上制備出叉指寬度為2 靘的SAW濾波器，鈮酸鋰SAW濾波器的中心頻率為426.7 MHz，而AlN基SAW 濾
    126800
    limit2021-04-29 12:20
  • 【視頻報告 2018】河
    河北半導(dǎo)體研究所高級工程師的李靜強(qiáng)分享了《GaN 內(nèi)匹配封裝器件仿真技術(shù)研究》主題報告。
    84400
    limit2021-04-29 12:20
  • 【視頻報告 2018】港
    集成功率器件與智能控制單元、基于片上系統(tǒng)解決方案的智能功率芯片技術(shù)成為未來功率系統(tǒng)的最佳選擇。然而，傳統(tǒng)的硅功率器件的效率、開關(guān)速度以及最高工作溫度已逼近其極限，使得寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵成為應(yīng)用于功率管理的理想替代材料。香港科技大學(xué)教授陳敬做了全GaN功率集成技術(shù)的報告，該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)智能功率集成所需的功率模塊和各種控制單元模塊。
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    limit2021-04-29 12:06
  • 【視頻報告 2018】北
    垂直氮化鎵器件，尤其是硅襯底上，因其低成本襯底而引起了人們對大功率應(yīng)用的廣泛關(guān)注。但其性能仍低于氮化鎵襯底上的垂直氮化鎵器件。關(guān)鍵問題是在硅襯底上實(shí)現(xiàn)低位錯密度和連續(xù)厚氮化鎵層具有挑戰(zhàn)性。會上，北京大學(xué)馮玉霞博士結(jié)合具體的研究實(shí)踐，分享了Si襯底上GaN基外延材料生長及雜質(zhì)缺陷研究的成果，首次提供了在C摻雜半絕緣氮化鎵中取代C原子占據(jù)N位點(diǎn)的明確證據(jù)。
    65400
    limit2021-04-29 12:05
  • 【視頻報告 2018】電
    電子科技大學(xué)教授明鑫帶來了功率GaN器件驅(qū)動技術(shù)的報告，分享了該技術(shù)領(lǐng)域的最新進(jìn)展。
    97700
    limit2021-04-29 12:04
  • 【極智課堂】芯謀研究
    芯謀研究總監(jiān)李國強(qiáng) 《功率半導(dǎo)體的市場分析》
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    limit2021-04-26 16:21
  • 【視頻報告 2019】天
    報告嘉賓：北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司副總經(jīng)理兼技術(shù)總監(jiān)劉春俊博士 報告主題：《大尺寸碳化硅單晶生長研究及產(chǎn)業(yè)進(jìn)展》
    161200
    limit2020-03-19 10:27
  • 芯謀研究總監(jiān)李國強(qiáng)：
    芯謀研究總監(jiān)李國強(qiáng)：功率半導(dǎo)體的市場分析
    213500
    limit2020-02-01 10:39
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