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  • 美國(guó) PowerAmerica 執(zhí)
    加快碳化硅芯片和電力電子器件的商業(yè)化發(fā)展Accelerating Commercialization of SiC Chips and Power ElectronicsVictor VELIADIS美國(guó)PowerAmerica執(zhí)行董事兼CTO、ICSCRM 2024 大會(huì)主席、北卡羅萊納州立大學(xué)教授、IEEE寬禁帶功率半導(dǎo)體技術(shù)路線圖委員會(huì)(ITRW)主席Victor VELIADISExecutiveDirector and CTO of PowerAmerica, Chair of ICSCRM 2024, Professor of North Carolina State Universityand Chair of ITRW ( IEEE Wide Ban
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    IFWS2025-01-09 15:39
  • 普興電子市場(chǎng)總監(jiān)張國(guó)
    大直徑碳化硅外延市場(chǎng)發(fā)展與挑戰(zhàn)Development and Challenges of Large Diameter Silicon Carbide Epitaxial張國(guó)良河北普興電子科技股份有限公司市場(chǎng)總監(jiān)ZHANG GuoliangMarketing Director of Hebei Pushing Electronic Technology Co., LTD
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    IFWS2025-01-09 15:04
  • 山東大學(xué)教授、南砂晶
    碳化硅單晶缺陷研究及產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展Research and Industrialization Progress of SiC Single Crystal Defects陳秀芳山東大學(xué)教授、南砂晶圓董事CHEN XiufangProfessor of Shandong University, Board Director of Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,Ltd
    55500
    IFWS2025-01-09 15:03
  • 浙江大學(xué)教授皮孝東：
    提拉式物理氣相傳輸法制備碳化硅單晶Single-crystal 4H Silicon Carbide Grown with the Method of Pulling Physical Vapor Transport皮孝東浙江大學(xué)教授PI XiaodongProfessor of Zhejiang University
    55500
    IFWS2025-01-09 15:00
  • 芯聚能半導(dǎo)體總裁周曉
    碳化硅產(chǎn)業(yè)的機(jī)遇與挑戰(zhàn)周曉陽(yáng)廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司總裁
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    IFWS2025-01-09 14:17
  • 安世半導(dǎo)體中國(guó)區(qū)SiC
    安世碳化硅，綠色出行和綠色能源發(fā)展的助推器王駿躍安世半導(dǎo)體中國(guó)區(qū)SiC戰(zhàn)略及業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人
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    IFWS2025-01-09 14:13
  • 南瑞聯(lián)研半導(dǎo)體碳化硅
    SiC MOS在新能源汽車充電樁中的技術(shù)進(jìn)展及應(yīng)用田亮南瑞聯(lián)研半導(dǎo)體有限責(zé)任公司碳化硅產(chǎn)品線負(fù)責(zé)人TIAN Liang Leader of SiC Product for NARI-GEIRI semiconductor co.Ltd
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    guansheng2023-05-22 14:37
  • 東南大學(xué)教授劉斯揚(yáng)：
    電熱應(yīng)力下碳化硅功率MOSFET損傷的多尺度探測(cè)表征方法Multi-scale Detection and Characterization of SiC Power MOSFET Damage under Electro-thermal Stress劉斯揚(yáng)東南大學(xué)教授LIU SiyangProfessor of Southeast University
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    guansheng2023-05-22 13:50
  • 鎵敏光電董事長(zhǎng)、南京
    氮化鎵及碳化硅紫外探測(cè)器技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用陸海鎵敏光電董事長(zhǎng)、南京大學(xué)教授LU HaiProfessor of Nanjing University
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    guansheng2023-05-19 12:02
  • 臺(tái)達(dá)電子董慨：碳化硅
    碳化硅及氮化鎵功率器件在數(shù)據(jù)中心AC-DC電源上的應(yīng)用及展望The application and prospect of wide band gap devices in AC-DC power supply in data center董慨臺(tái)達(dá)電子高階客制電源事業(yè)部中國(guó)區(qū)總監(jiān)Dong KaiRD Director of CDBU, Delta Electronics
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    guansheng2023-05-19 09:03
  • 復(fù)旦大學(xué)張園覽：基于
    基于P區(qū)反序摻雜策略的高效碳化硅結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管的研究High-Performance 1200 V/ 20 A 4H-SiC JBS Diodes with Retrograde P-Implants Strategy張園覽復(fù)旦大學(xué)Yuan-Lan ZHANGFudan University
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    limit2022-05-01 20:24
  • 啟迪半導(dǎo)體研發(fā)總監(jiān)鈕
    第三代半導(dǎo)體碳化硅器件產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)及發(fā)展進(jìn)展The key technology and development progress of the Wide Band-gap semiconductor silicon carbide device industrialization鈕應(yīng)喜蕪湖啟迪半導(dǎo)體有限公司研發(fā)總監(jiān)NIU YingxiRD Director of Wuhu Advanced Semiconductor Manufacturing Co.,ltd
    74300
    limit2022-05-01 17:19
  • 美國(guó)俄亥俄州立大學(xué)教
    碳化硅芯片會(huì)在 2025-2030 年被電動(dòng)汽車廣泛采用的可能性探討The Question: Will SiC chips be widely adopted by Electric Vehicles in 2025-2030?Anant AGARWAL美國(guó)俄亥俄州立大學(xué)教授、IEEE會(huì)士Anant AGARWALProfessorofThe Ohio State University, IEEE Fellow
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    limit2022-05-01 09:55
  • Victor VELIADIS：碳
    碳化硅大規(guī)模商業(yè)化：現(xiàn)狀與障礙SiC Mass Commercialization: Present Status and BarriersVictor VELIADISChief Officer and CTO ofPower America, Professor of North Carolina State UniversityVictor VELIADIS美國(guó)電力首席執(zhí)行官兼首席技術(shù)官、北卡羅萊納州立大學(xué)教授
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    limit2022-05-01 09:46
  • 【視頻報(bào)告 2018】株
    株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司半導(dǎo)體事業(yè)部副總經(jīng)理研發(fā)中心主任戴小平介紹了《多電飛機(jī)平面封裝型碳化硅功率模塊》技術(shù)報(bào)告；
    156800
    limit2021-04-29 12:27
  • 【視頻報(bào)告 2018】Ado
    瑞典Ascatron AB 首席技術(shù)官Adolf SCHÖNER介紹了《10千伏高壓4H碳化硅PIN二極管的少子壽命調(diào)制》技術(shù)報(bào)告；
    124700
    limit2021-04-29 12:26
  • 【視頻報(bào)告 2018】P.S
    高溫、高功率寬帶隙半導(dǎo)體要求掌握碳化硅（SiC）等材料的晶體生長(zhǎng)過(guò)程。今天，SiC是通過(guò)氣相或液相法生長(zhǎng)的，它包括下列過(guò)程：反應(yīng)物的生成、反應(yīng)物到生長(zhǎng)表面的傳輸、生長(zhǎng)表面的吸附、成核和最終晶體生長(zhǎng)。GT Advanced Technologies首席技術(shù)官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅襯底技術(shù)的最新進(jìn)展》技術(shù)報(bào)告，報(bào)告中介紹了不同的SiC晶體生長(zhǎng)過(guò)程以及SiC技術(shù)的最新進(jìn)展。
    246400
    limit2021-04-29 12:25
  • 【視頻報(bào)告 2018】周
    美國(guó)倫斯勒理工學(xué)院的周達(dá)成教授分享了《碳化硅功率器件的性能、可靠性和穩(wěn)健性》；
    257000
    limit2021-04-29 12:25
  • 【視頻報(bào)告 2018】香
    矩陣轉(zhuǎn)換器被認(rèn)為是一種最優(yōu)異的交流-交流功率轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，因?yàn)槠渲饕蕾囉陔p向開關(guān)而幾乎不需要其他被動(dòng)組件。它不僅提升了能量轉(zhuǎn)換效率，而且可以突破傳統(tǒng)的通用逆變器所存在的開關(guān)切換速度，工作溫度以及電壓等級(jí)的限制。在此基礎(chǔ)下，新型碳化硅（SiC）組件以及先進(jìn)功率器件封裝的應(yīng)用將帶來(lái)新一代矩陣轉(zhuǎn)換器的重大發(fā)展與變革。香港應(yīng)用科技研究院功率器件組總監(jiān)袁述分享了《新一代碳化硅矩陣變換器》主題報(bào)告，報(bào)告中回顧矩陣轉(zhuǎn)
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    limit2021-04-29 12:25
  • 【視頻報(bào)告 2019】河
    河北工業(yè)大學(xué)教授張紫輝帶來(lái)了題為基于氮化物半導(dǎo)體和碳化硅光電子器件的仿真與分析的精彩報(bào)告，介紹基于氮化物半導(dǎo)體和SiC材料光電子器件仿真與分析的最新結(jié)果。 研究通過(guò)極化調(diào)制、摻雜調(diào)控等手段適當(dāng)調(diào)節(jié)載流子的能量以改善AlGaN基深紫外發(fā)光二極管(DUV LED) 載流子的注入效率，通過(guò)局部調(diào)控?fù)诫s類型改善了DUV LED的電流擴(kuò)展，并揭示了器件機(jī)理；此外，針對(duì)GaN基核/殼LED以及Micro-LED的器件物理進(jìn)行了詳細(xì)研究，系統(tǒng)探究了各種
    125400
    limit2021-04-29 10:46
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