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提高AlGaN基DUV-LED效率的薄p-GaN上的銀基鏤空反射電極Ag-based hollow reflective electrode on thin p-GaN layer for improving the light output efficiency of AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes周玉剛南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院教授ZHOU YugangProfesor of School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University

集成反射器的封裝技術(shù)用于提升高功率UVC LED芯片的光提取效率Enhanced Light Extraction Efficiency of high power UVC LEDs by SMD-Packaging with Integrated Reflectors胡曉東德國MSG Lithoglas GmbH亞太地區(qū)總監(jiān)HU XiaodongDirector of Asia Pacific Region of MSG Lithoglas GmbH, Germany

俄羅斯STR 集團(tuán)有限公司Mark RAMM介紹了《塑造-LED芯片形成內(nèi)部微反射器，提高出光效率的一種方式》主題報告。他表示，微型LED在極高電流密度下工作的光源，其器件自熱、由俄歇復(fù)合引起的效率下降和表面復(fù)合成為限制器件性能的主要因素。特別是當(dāng)器件尺寸減小時，表面復(fù)合導(dǎo)致-LED峰值效率向更高電流密度處偏移且數(shù)值降低。早期對-LED的研究主要集中在它們的電流調(diào)制特性上。直到最近，效率提高才成為-LED的研究熱點(diǎn)。通常，-LED的