亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

GaN-based Resonant Cavity Micro-LEDs for AR Application黃錦鵬中南大學HUANG Jinpeng Central South University

高透明度GaN基Micro-LED顯示器High Transparency GaN-based Micro-LED Display余俊馳南京大學電子科學與工程學院YU JunchiSchool of Electronic Science and Engineering, Nanjing University

Micro-LED用GaN納米線上生長的非極性GaInN/GaN多量子殼的系統(tǒng)研究Systematic investigation of nonpolar GaInN/GaN multiple-quantum-shells grown on GaN nanowires for Micro-LEDs盧衛(wèi)芳廈門大學物理科學與技術學院物理學系，副教授LU WeifangAssociate Professor, School of Physical Science and Technology, Xiamen University

InGaN基紅色發(fā)光二極管：從傳統(tǒng)LED到Micro-LEDInGaN-based red light-emitting diodes: from traditional to micro-LEDs莊喆南京大學蘇州校區(qū)集成電路學院助理教授ZHUANG ZheAssistant Professor for School of Integrated Circuits in Nanjing University Suzhou Campus

基于InGaN基硅襯底Micro-LED的多色集成轉(zhuǎn)移印刷技術Transfer printing technology based on InGaN-based silicon substrate micro-LEDs for multicolor integration田朋飛復旦大學副教授TIAN Pengfei Associate Professor of Fudan University

藍寶石襯底InGaN基紅色LED及MicroLEDInGaN based red LEDs and MicroLEDs on sapphire substrate王新強北京大學教授、北大東莞光電研究院院長WANG XinqiangDean of Dongguan Institute of Opto-electronics, Peking University

基于超短周期超晶格AlN/GaN的深紫外短波光發(fā)射調(diào)控Deep-ultraviolet light extraction towards shorter wavelength based on ultrashort-period AlN/GaN suplerlattices高娜廈門大學副教授GAO NaAssociate Professor of Xiamen University

AlGaN基深紫外發(fā)光器件設計與仿真研究Design and simulation of AlGaN-based Deep Ultraviolet Emitters劉玉懷鄭州大學電氣與信息工程學院教授、科技部電子材料與系統(tǒng)國家級國際聯(lián)合研究中心主任、河南省電子材料與系統(tǒng)國際聯(lián)合實驗室主任LIU YuhuaiProfessor and Director of National Center for International Joint Research of Electronic Materials and Systems, International Joint-Laboratory of Electronic Materials an

室溫紫外GaN微盤激光器Room-Temperature Ultraviolet GaN Microdisk Lasers司志偉中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所SI ZhiweiSuzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, CAS

Fabrication of 265 nm AlGaN-LEDs on Face-to-face annealed AlN/sapphire template三宅秀人日本三重大學教授Hideto MIYAKEProfessor of Graduate School of Engineering, Mie University

Ga2O3/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)紫外光電探測器Ga2O3/GaN Heterostructure Ultraviolet Photodetectors黃凱廈門大學物理科學與技術學院副院長、教授HUANG KaiProfessor, School of Physical Science and Technology, Xiamen University

提高AlGaN基DUV-LED效率的薄p-GaN上的銀基鏤空反射電極Ag-based hollow reflective electrode on thin p-GaN layer for improving the light output efficiency of AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes周玉剛南京大學電子科學與工程學院教授ZHOU YugangProfesor of School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University

北京大學陳志忠教授在《Operation behavior under extremely high injection level for GaN-based micron LED》報告中指出，我們制作不同直徑微柱LEDs不同波長和不同的基質(zhì)。測量了電致發(fā)光(EL)譜和電流-電壓(I-V)曲線。高飽和電流密度達到300 kA / cm2 20m紫外線導致氮化鎵襯底。效率為LEDs下垂也大大提高。采用橫光軟件模擬高注入水平下的輸運和重組過程。綜合量子漂移-擴散模型考慮了多體效應。并介紹了超高注入機理。

復旦大學副教授田朋飛分享了《智能GaN基micro-LED陣列》研究報告。GaN基micro-LED (霯ED)陣列可用于高亮度微顯示、高效率固態(tài)照明和高速可見光通信的高帶寬發(fā)光芯片。通過結(jié)合以上功能，可以實現(xiàn)用于大數(shù)據(jù)和物聯(lián)網(wǎng)的智能霯ED系統(tǒng)。至今為止，還未有將霯ED陣列用于高帶寬探測器(PD)的報道。

特阿卜杜拉國王科技大學的Kazuhiro OHKAWA教授介紹了《AlGaN 材料MOCVD生長優(yōu)化和反應器設計》研究報告。報告中，在較寬的壓力、Al /（Ga + Al）比例和溫度范圍內(nèi)成功仿真AlGaN生長?？紤]到適量聚合物的形成，仿真中AlGaN的生長速率和組分與實驗中的非常一致。這一技術使我們有可能優(yōu)化氮化物MOCVD并設計升級反應器。

挪威科學技術大學教授、挪威科學技術院院士、挪威Crayonano AS創(chuàng)始人兼首席技術官Helge WEMAN帶來以石墨烯為基底和透明電極的AlG

挪威科學技術大學教授，挪威科學技術院院士Helge WEMAN帶來了題為采用石墨烯襯底和透明底部電極的AlGaN納米線外延 UV LED的主題

廈門大學高娜帶來了題為可原子尺度精確調(diào)控的AlN/GaN結(jié)構(gòu)分選生長的主題報告，從晶體生長熱力學角度出發(fā)，采用第一性原理模擬了

藍寶石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱結(jié)構(gòu)的激光二極管中n-p電極對于p型電導率的影響 The effect of n-p electrodes upon the p-type conductivity of B0.375GaN/B0.45GaN QW/QB edge emitting laser diode grown over sapphire substrateMussaab I. NIASS鄭州大學 Mussaab I. NIASSZhengzhou University

隨著半導體照明的發(fā)展，尤其是室內(nèi)照明的推進，人們對其效率和顯色指數(shù)（Color rendering index, CRI）等品質(zhì)參數(shù)等提出了更高的要求。中南大學教授汪煉成做了題為設計制造復合金屬等離激元同時提高GaN LED效率和顯色指數(shù)研究的主題報告。汪煉成科研方向為集成寬禁帶半導體器件和系統(tǒng)，在GaN LED 方面有近10年科研經(jīng)歷，近5年以第一/通訊作者發(fā)表SCI論文40余篇，引用次數(shù)744次，申請專利38項，已授權13項，成功制備性能國內(nèi)領先、