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中電科13所高楠:MOCV
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中電科13所高楠:MOCV
MOCVD生長(zhǎng)高質(zhì)量6英寸SiC上GaN HEMT材料高楠,房玉龍*,尹甲運(yùn),張志榮,王波,李佳,蘆偉立,陳宏泰,牛晨亮中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所
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guansheng
2022-09-01 13:45
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