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  • 【視頻報告 2018】株
    株洲中車時代電氣股份有限公司半導體事業(yè)部副總經理研發(fā)中心主任戴小平介紹了《多電飛機平面封裝型碳化硅功率模塊》技術報告；
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    limit2021-04-29 12:27
  • 【視頻報告 2018】周
    美國倫斯勒理工學院的周達成教授分享了《碳化硅功率器件的性能、可靠性和穩(wěn)健性》；
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    limit2021-04-29 12:25
  • 【視頻報告 2018】蘇
    蘇州能訊高能半導體有限公司李元分享了《以系統(tǒng)方法實現(xiàn)氮化鎵射頻功率器件的高可靠性：我們的成就及新進展》主題報告。氮化鎵射頻功率器件因其優(yōu)良的性能而在基礎工業(yè)領域（如5G通訊基站）具有廣泛的應用前景?；A工業(yè)應用要求的超長連續(xù)工作壽命及可能的外部惡劣工作環(huán)境，對器件的可靠性提出了更高的要求。能訊高能半導體通過一個系統(tǒng)工程，從產品設計，工藝開發(fā)，器件生產，到最終篩選測試，每一個環(huán)節(jié)都按嚴格的程序進行，確
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    limit2021-04-29 12:21
  • 【視頻報告 2018】港
    集成功率器件與智能控制單元、基于片上系統(tǒng)解決方案的智能功率芯片技術成為未來功率系統(tǒng)的最佳選擇。然而，傳統(tǒng)的硅功率器件的效率、開關速度以及最高工作溫度已逼近其極限，使得寬禁帶半導體氮化鎵成為應用于功率管理的理想替代材料。香港科技大學教授陳敬做了全GaN功率集成技術的報告，該技術能夠實現(xiàn)智能功率集成所需的功率模塊和各種控制單元模塊。
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    limit2021-04-29 12:06
  • 【視頻報告 2018】加
    與功率MOS場效應晶體管相比，驅動氮化鎵功率晶體管存在諸多困難，這些困難包括閾值電壓低、最大柵極電壓和額定柵極電壓之間的公差狹小、高轉換速率帶來的電流變化率和電壓變化率問題?，F(xiàn)有的氮化鎵驅動集成電路需要外部電阻器設定上拉速度和下拉速度，這將導致印刷電路板空間和額外寄生效應的增加。現(xiàn)有的氮化鎵驅動集成電路的其他缺陷諸如固定的輸出電壓、無精確定時控制能力等也限制了其應用。加拿大多倫多大學教授吳偉東分享了
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    limit2021-04-29 12:05
  • 【視頻報告 2018】電
    電子科技大學教授明鑫帶來了功率GaN器件驅動技術的報告，分享了該技術領域的最新進展。
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    limit2021-04-29 12:04
  • 【視頻報告 2019】奧
    奧趨光電技術（杭州）有限公司首席執(zhí)行官吳亮分享《高功率UVC-LED用AlN單晶襯底生長最新進展及其未來挑戰(zhàn)》。
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    limit2021-04-29 11:04
  • 【視頻報告 2019】蘇
    報告嘉賓：蘇州晶湛半導體有限公司市場總監(jiān)朱丹丹博士 報告主題：《針對大功率應用的硅基氮化鎵技術》
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    limit2021-04-29 10:26
  • 【極智課堂】芯謀研究
    芯謀研究總監(jiān)李國強 《功率半導體的市場分析》
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    limit2021-04-26 16:21
  • 西安衛(wèi)光科技微晶微電
    西安衛(wèi)光科技微晶微電子有限公司總工程師、博士馮 巍 《SiC功率MOSFET封裝工藝》
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    limit2020-02-02 16:22
  • 【視頻報告】有研稀土
    作為基礎材料，熒光粉的技術水平與半導體照明發(fā)展密切相關，有研稀土新材料股份有限公司副總經理、教授級高級工程師劉榮輝分享了大功率照明用熒光材料研發(fā)進展。 當前，LED照明光源呈現(xiàn)出朝著大電流密度、高光效方向發(fā)展，第三代半導體照明向著高能、短波特性方向發(fā)展等趨勢，現(xiàn)有大功率照明存在著結溫高、散熱量大，結溫高降低產品使用壽命，溫度高熒光粉量子效率降低，溫度高硅膠熱應力增大、折射率降低等問題，可以通過熒光粉料
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    limit2020-02-01 15:40
  • 芯謀研究總監(jiān)李國強：
    芯謀研究總監(jiān)李國強：功率半導體的市場分析
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    limit2020-02-01 10:39
  • 加拿大多倫多大學教授
    加拿大多倫多大學教授吳偉東分享了《用于增強型GaN功率晶體管的智能門極驅動芯片》研究報告。吳偉東，多倫多大學電子與計算機工
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    limit2020-01-28 12:45
  • 荷蘭代爾夫特理工大學
    荷蘭代爾夫特理工大學教授Braham FERREIRA帶來了題為寬禁帶功率半導體國際技術路線圖的精彩報告，介紹了寬禁帶功率半導體國際技
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    limit2019-12-31 12:41
  • 英諾賽科研發(fā)中心副總
    英諾賽科研發(fā)中心副總裁David C. ZHOU分享了《200mm 40V-650V E型硅基氮化鎵材料功率器件技術：從器件、封裝、到系統(tǒng)》研究報告
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    limit2019-12-30 13:03
  • 日本德島大學教授敖金
    日本德島大學教授、西安電子科技大學特聘教授敖金平分享了《常關型AlGaN/GaN HFET功率器件的發(fā)展》技術報告。敖金平博士1989年畢
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    limit2019-12-29 13:00
  • 奧趨光電吳亮：高功率
    奧趨光電吳亮：高功率UVC-LED用AlN單晶襯底生長最新進展及其未來挑戰(zhàn)
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    limit2019-05-31 17:37
  • Victor VELIADIS教授
    2018年10月23日下午，第十五屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導體論壇（IFWS 2018）開幕大會在深圳會展中心隆重召開。大會以創(chuàng)芯聚智 共享生態(tài)為主題，吸引了來自海內外半導體照明，第三代半導體及相關領域的專家學者、企業(yè)領袖、行業(yè)機構領導以及相關政府官員的積極參與，共同論道產業(yè)發(fā)展。 本屆論壇由國家半導體照明工程研發(fā)及產業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、深圳市
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    limit2018-12-01 12:43
  • 株洲中車時代電動汽車
    極智報告|株洲中車時代電動汽車股份有限公司副總經理劉國友：新能源汽車用功率器件解決方案報告。更多專業(yè)學術報告，請點擊頁面頂端下載極智頭條APP，海量報告，免費看！
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    limit2018-11-26 12:41
  • 極智報告|北京工業(yè)大
    北京工業(yè)大學光電子技術省部共建教育部重點阿實驗室教授郭偉玲分享了光功率計算對LED熱阻測試的影響主題報告。她表示，熱阻是衡量LED性能的重要參數，在LED熱阻測試中，其電能不僅轉化成熱能，還有20%或更多的能量轉化為光能。而目前大部分的熱阻測試儀并非專門為測試LED設計，且對是否計算光耗散功率的標準并不統(tǒng)一?！　⊥ㄟ^標準電學參數法分別對不同封裝（仿流明，SMD2835，XB-D封裝）相同輸出功率（1W）的正裝LED；相同封裝（S
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    limit2018-02-01 11:08
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